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公开(公告)号:CN112777283A
公开(公告)日:2021-05-11
申请号:CN202110134702.9
申请日:2021-01-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: B65G47/248 , B65G43/00 , B08B3/04
Abstract: 本发明提供了一种工件翻转机构,属于微波组件清洗技术领域,包括夹具、固定架、第一驱动件和导向组件,夹具具有容置工件的固定腔,固定腔对工件进行限位;固定架具有能够容纳夹具的容纳腔,容纳腔的至少一侧具有开口部,以使夹具进出容纳腔;第一驱动件与固定架连接,能够驱动固定架翻转;导向组件设于固定架上,导向组件对夹具进出容纳腔进行导向。本发明提供的工件翻转机构,解决了现有技术中对微波组件进行清洗时无法自动翻转微波组件,造成工作效率低下的问题。
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公开(公告)号:CN112485517A
公开(公告)日:2021-03-12
申请号:CN202011040038.3
申请日:2020-09-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R23/02
Abstract: 本发明适用于微波频率源及测试测量技术领域,提供了一种测量锁相频率源频率跳变时间的方法及终端设备,该方法包括:获取被测信号;根据被测信号的频率和信号稳定精度需求,确定计时时间段;分别测量每个计时时间段对应的实际频率,当测量的连续预设个数的实际频率均等于被测信号的频率时,则确定频率稳定时间为连续预设个数的实际频率中第一个实际频率对应的计时时间段;根据频率稳定时间和跳频触发信号开始时间,确定锁相频率源频率的跳变时间,从而可以得到准确的跳变时间,适用于批量情况下锁相源产品的跳频时间指标测量,可大幅度提高测试效率。
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公开(公告)号:CN112259532A
公开(公告)日:2021-01-22
申请号:CN202011059954.1
申请日:2020-09-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L25/16 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/552
Abstract: 本发明提供了一种微波毫米波封装器件,属于芯片封装技术领域,包括金属管壳、基板以及多个屏蔽罩;其中,金属管壳的侧壁设有输入连接器和输出连接器;基板设于金属管壳内部,基板内部设有电路网络,电路网络与输入连接器和输出连接器分别电连接;基板上贴装有多个分别与电路网络电连接的片式元件,还设有多个分别与电路网络电连接的高频芯片;多个屏蔽罩分别罩设于各个高频芯片上,并与基板焊接固定。本发明提供的微波毫米波封装器件,采用屏蔽罩集成装配于基板上的方式,集成度高,有利于实现微波毫米波封装器件的小型化设计,且能够简化金属管壳的结构,降低加工成本。本发明还提供了一种制作上述微波毫米波封装器件的方法。
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公开(公告)号:CN111064441A
公开(公告)日:2020-04-24
申请号:CN202010062193.9
申请日:2020-01-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于集成电路设计技术领域,提供了一种可变增益放大器、矢量调制移相器及通信装置,上述可变增益放大器包括:第一负载模块、第二负载模块、第三负载模块及至少两个放大模块;所述第一负载模块的阻值和所述第二负载模块的阻值相同;所述放大模块包括:第一跨导放大单元、第二跨导放大单元、第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元及第四开关单元。通过控制第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元及第四开关单元的打开和关闭,使得各个放大模块打开或关闭时流过可变增益放大器的输入端口的总的工作电流不变,由此,可变增益放大器在各种增益状态时输入端口的阻抗不变,输入端口驻波比不变。
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公开(公告)号:CN111048492A
公开(公告)日:2020-04-21
申请号:CN201911401636.6
申请日:2019-12-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L25/07 , H01L23/60 , H01L23/498
Abstract: 本申请公开了一种限幅低噪声放大器芯片结构,涉及半导体技术领域。其中,上述限幅低噪声放大器芯片结构包括:限幅器芯片、位于限幅器芯片上表面的屏蔽芯片,以及位于屏蔽芯片上表面的低噪声放大器芯片;屏蔽芯片的下表面与限幅器芯片的上表面电性连接;低噪声放大器芯片的下表面与屏蔽芯片的上表面电性连接;低噪声放大器芯片与限幅器芯片电性连接。本申请中限幅低噪声放大器芯片为垂直堆叠结构,且限幅器芯片与低噪声放大器芯片之间通过屏蔽芯片进行信号屏蔽和隔离,有利于缩小限幅低噪声放大器的尺寸。
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公开(公告)号:CN111029313A
公开(公告)日:2020-04-17
申请号:CN201911155677.1
申请日:2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/768 , H01L23/367 , H01L23/48 , H01L25/18
Abstract: 本发明公开了一种气密封装器件及气密封装方法,气密封装器件,包括:下管壳,设有贯穿下管壳的上表面和下表面的第一通孔,第一通孔内的金属记为第一金属柱;芯片,安装在下管壳的正面,芯片的焊盘通过键合线与第一金属柱相连;上管壳,设置在下管壳上,上管壳上设有贯穿所述上管壳的上表面和下表面的第二通孔,第二通孔内的金属记为第二金属柱;平面天线,平面天线的下表面贴合在所述上管壳的上表面,平面天线与一个第二金属柱相连,连接所述天线的第二金属柱通过连接结构与所述芯片相连。通过在上管壳的上表面直接制备平面天线,平面天线和气密封装器件是一体结构,提高了气密封装结构的集成密度。
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公开(公告)号:CN110152116A
公开(公告)日:2019-08-23
申请号:CN201910584685.1
申请日:2019-07-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: A61M5/168
Abstract: 本发明适用于医疗器械技术领域,提供了一种输液控制方法、装置、终端及计算机可读存储介质,其中,所述输液控制方法包括:获取本次输液对应的液体流速的设定值;控制输液管以所述设定值对应的液体流速进行输液;判断本次输液是否完成;当本次输液完成后控制所述输液管关闭。本发明可以提高输液的安全性,以及输液的液体流速控制的灵活性和准确性。
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公开(公告)号:CN110138408A
公开(公告)日:2019-08-16
申请号:CN201910407158.3
申请日:2019-05-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H04B1/40
Abstract: 本发明适用于射频微波组件技术领域,提供了一种瓦片式T/R组件及其设计方法,包括:金属盒体,上侧面开设有第一凹槽,N*N个用于放置射频插接件的通道分布设置在第一凹槽周围;N*N个通道构成对称分布的M个区域,任一区域与不同方向上相邻的两个区域的间距不同,各个区域内的通道布局相同,横向通道间距与纵向通道间距不同;上盖板与第一凹槽形状一致,用于盖设在第一凹槽上;金属盒体下侧面开设有与N*N个通道的位置对应的多个第二凹槽;多个下盖板与第二凹槽形状一致,用于盖设在第二凹槽上。瓦片式T/R组件可以提高瓦片式T/R组件的空间利用效率,实现瓦片式T/R组件为一个金属盒体的厚度。
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公开(公告)号:CN110132425A
公开(公告)日:2019-08-16
申请号:CN201910500850.0
申请日:2019-06-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于太赫兹安检、物质检测、遥感以及医疗诊断等技术领域,提供了一种辐射计前端以及终端设备,包括:金属盒体,上侧面开有一凹槽,凹槽内设置多个凸台;两级低噪声放大器芯片以及检波器芯片,依次设置于对应的凸台上;石英探针设置于金属盒体的凹槽内并且位于两级低噪声放大器芯片对应的凸台左侧;视频放大器设置于金属盒体的凹槽内并且位于检波器芯片对应的凸台右侧;相邻器件之间电气连接;温度补偿偏置电路,与两级低噪声放大器芯片连接中至少一个低噪声放大器芯片连接,从而可以显著减小各电路的体积,具有较高的集成度,可实现全自动装配,降低装配难度,可实现工程化和批产化。
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公开(公告)号:CN109450399A
公开(公告)日:2019-03-08
申请号:CN201811257812.9
申请日:2018-10-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03G3/30
Abstract: 本发明公开了一种电调衰减电路,包括射频衰减模块和控制模块,射频衰减模块的输入端接入射频信号,射频衰减模块的输出端输出衰减信号,射频衰减模块的第一受控端和第二受控端分别与控制模块的第一输出端和第二输出端一一对应连接,控制模块的输入端接入控制信号。通过输入控制模块的控制信号的电压变化,使控制模块控制射频衰减模块对射频信号的衰减比例随之变化,实现了电调衰减的功能,结构简单,调节线性程度高,可靠性高。
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