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公开(公告)号：CN115574956A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211067141.6
申请日：2022-09-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于显微热成像技术领域，提供了热反射温度计算方法、系统、装置及终端设备，该方法包括：获取被测器件在未加电的情况下的参考温度、彩色相机参考图像和在待测温度下的彩色相机测量图像，以及第一预设温度下彩色相机第一图像和第二预设温度下彩色相机第二图像；对彩色相机参考图像、彩色相机测量图像、彩色相机第一图像和彩色相机第二图像进行向量化处理，得到参考向量、测量向量、第一向量和第二向量；基于第一预设温度、第二预设温度、参考温度、第一向量、第二向量、参考向量和测量向量，得到待测温度。本申请可以对不同材料同时进行测温。
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公开(公告)号：CN111983411B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202010663553.0
申请日：2020-07-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种多指栅型晶体管热阻测试方法、装置及终端设备，该方法包括：获取多指栅型晶体管各个栅指的第一温升，并根据各个栅指的第一温升确定各个栅指对应的温度权值；其中，多指栅型晶体管各个栅指的第一温升由显微红外热像仪测量得到；获取多指栅型晶体管的平均温升；其中，多指栅型晶体管的平均温升是基于电学参数法对多指栅型晶体管进行结温测量得到的；根据多指栅型晶体管的平均温升以及各个栅指对应的温度权值确定多指栅型晶体管各个栅指的第二温升；基于各个栅指的第二温升确定多指栅型晶体管各个栅指的热阻。本发明提供的多指栅型晶体管热阻测试方法、装置及终端设备能够提高多指栅型晶体管热阻测试的准确性。
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公开(公告)号：CN115219040A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210634977.3
申请日：2022-06-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于显微热成像技术领域，提供了瞬态热反射测试方法、系统、装置及终端设备，该瞬态热反射测试方法包括：获取被测器件的热反射系数和被测器件在周期激励条件下热平衡后的平均温度；在周期激励条件不变的情况下，选定测量时延和参考时延，基于测量时延和参考时延，得到相机测量灰度值和相机参考灰度值；基于相机测量灰度值、相机参考灰度值、热反射系数和平均温度，得到测量时刻被测器件的温度；将被测器件的温度按照测量时延从小到大的顺序排序，得到被测温度随时间的变化情况。本申请瞬态热反射测试结果受强度漂移的影响较小，提高了测试结果的准确度。
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公开(公告)号：CN115200720A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210633543.1
申请日：2022-06-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于基于光学原理的微电子器件温度检测领域，提供了一种基于双区域检测的热反射热成像自动重聚焦方法和装置，该方法包括：基于参考图像和被测件温度变化，获取参考图像的第一区域和第二区域，计算两个区域的清晰度，调节三轴纳米位移台；每次调节三轴纳米位移台后，获取当前测量图像，计算两个区域的清晰度；当前测量图像仍包含上述两个区域；若被测件的温度、三轴纳米位移台的位移、第二区域清晰度满足预设温度阈值条件、第二预设位移阈值条件和第二预设清晰度条件，并满足第一预设位移阈值条件和第一预设清晰度条件，确定测量结果。本申请能够提高测温结果准确性，为实现高空间分辨率下的光热反射成像测温奠定基础。
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公开(公告)号：CN114241023A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111527188.1
申请日：2021-12-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于亚像素图像配准技术领域，提供了亚像素图像配准方法、装置及终端设备，该亚像素图像配准方法包括：获取目标物体的参考图像、目标物体的待配准采集图像；对待配准采集图像和参考图像进行傅里叶变换；对经过傅里叶变换后的待配准采集图像进行带限处理，过滤掉待配准采集图像中的无效信息；基于参考图像对经过带限处理的待配准采集图像进行配准。本申请解决了现有相位相关法在高放大倍率下会发生失效的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113866511A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110989553.4
申请日：2021-08-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种在片电容测量系统和测量方法。其中。在片电容测量系统包括：电容测试设备；探针测试系统，包括探针座，对称分布在探针座两侧的第一组探针和第二组探针，以及设置在探针座上的第一组连接线和第二组连接线，第一组连接线与第一组探针连接，第二组连接线与第二组探针连接；标准电容、开路器和在片直通线，用于与电容测试设备和探针测试系统连接；通过电容测试设备、探针测试系统、标准电容、开路器和在片直通线测试待测在片电容的电容值。本发明提供的在片电容测量系统，可实现待测在片电容参数到标准电容的溯源，从而保证待测在片电容的测量结果与现有溯源体系下的标准电容结果之间的可比性，从而实现在片电容的准确测量。
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公开(公告)号：CN110310272B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201910585005.8
申请日：2019-07-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于微电子器件温度检测技术领域，提供了一种图像配准方法及终端设备，该方法包括：获取不同材料构成的被测件的参考图像和对比图像；根据参考图像和对比图像上的预设特征点，获取被测件相对探测器的位置改变量；根据位置改变量反复调整热反射成像测温装置上的纳米位移台的位置，并获取每次纳米位移台位置调整后的被测件的新图像；根据新图像与参考图像，确定新图像中与参考图像误差最小的新图像为有效图像，从而可以修正被测件在由于震动、被测件热膨胀等造成的热反射成像测温过程中发生在二维方向的位置改变，实现较高的测温准确度。
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公开(公告)号：CN109596963B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201811548650.4
申请日：2018-12-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种用于检测结温的脉冲调制装置，用于检测半导体器件的结温，脉冲调制装置分别与CCD相机和电流发生装置相连，电流发生装置与半导体器件相连，CCD相机与监测控制装置相连；脉冲调制装置发出第一脉冲信号传输至CCD相机，脉冲调制装置发出第二脉冲信号传输至电流发生装置，脉冲调制装置检测半导体的电流，电流发生装置输出电流至半导体器件，光源发射装置发出入射光至半导体器件，CCD相机采集半导体器件的反射光生成对应的电信号，检测控制装置对电信号进行处理并计算得到半导体器件的结温。本发明提高了测结温过程的信噪比，保证了测量结温的准确性，只需要CCD相机采集两次反射光信号即可计算出结温。
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公开(公告)号：CN111983411A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010663553.0
申请日：2020-07-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种多指栅型晶体管热阻测试方法、装置及终端设备，该方法包括：获取多指栅型晶体管各个栅指的第一温升，并根据各个栅指的第一温升确定各个栅指对应的温度权值；其中，多指栅型晶体管各个栅指的第一温升由显微红外热像仪测量得到；获取多指栅型晶体管的平均温升；其中，多指栅型晶体管的平均温升是基于电学参数法对多指栅型晶体管进行结温测量得到的；根据多指栅型晶体管的平均温升以及各个栅指对应的温度权值确定多指栅型晶体管各个栅指的第二温升；基于各个栅指的第二温升确定多指栅型晶体管各个栅指的热阻。本发明提供的多指栅型晶体管热阻测试方法、装置及终端设备能够提高多指栅型晶体管热阻测试的准确性。
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公开(公告)号：CN109813435B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811633816.2
申请日：2018-12-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01J5/00
Abstract: 本发明提供了一种静态光反射显微热成像方法、装置及终端设备，同时获取被光源区域A的图像和被测目标区域B的图像，通过光源区域A的像素读数，获取被测目标区域B的漂移修正系数；在M个不同温度下获取每个温度下被测目标区域B的N帧图像，计算被测目标区域B中任一像素bk的读数均值获得bk所对应的M个数据对；进行线性拟合得到斜率β并根据β计算bk所对应的光热反射系数CTR(bk)；分别计算参考温度T0下bk的读数均值和待测温度Tx下bk的读数均值根据T0、CTR(bk)、和计算bk的待测温度Tx(bk)。解决了基于相机的热成像技术需要对被测目标的温度进行调制的问题。
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