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公开(公告)号：CN110310309B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201910616002.6
申请日：2019-07-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06T7/30
Abstract: 本发明适用于图像处理技术领域，提供了一种图像配准方法、图像配准装置及终端，所述图像配准方法包括：获取平移图样，根据平移图样上的每个平移点对目标图像进行平移配准，得到多个候选图像，计算各个候选图像与指定的基准图像的互相关度，将与基准图像的互相关度最大的候选图像确定为选中图像，若选中图像与基准图像的互相关度符合预设条件，将选中图像确定为目标图像的配准图像；否则，将选中图像对应的平移点作为新的零平移点，对本次平移配准各非零平移点进行平移和预设角度的旋转更新，获得下一次平移图样，基于下一次平移图样进行平移配准，直到选中图像与基准图像的互相关度符合预设条件。本发明能够提高显微热成像测量温度的准确性。
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公开(公告)号：CN112684222A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011496755.7
申请日：2020-12-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R1/067
Abstract: 本发明提供了一种小型手动探针台，属于器件测试技术领域，包括底板、载片台、XYZ三轴位移台、显微镜滑台、Z向调整杆以及显微镜；载片台设有真空腔和与真空腔连通的吸附孔；XYZ三轴位移台滑动设于底板上，用于连接并精调探针的位置；XYZ三轴位移台为两组，左右对称设于载片台的两侧；XYZ三轴位移台借助X向直线导轨粗调到载片台的位移；显微镜滑台滑动设于底板上；Z向调整杆固定于显微镜滑台上，用于安装显微镜并精调显微镜的Z向位移；显微镜安装于Z向调整杆上。本发明提供的小型手动探针台，结构简单，使用方便，制作成本低，粗调和精调均可手动操作，能够满足芯片测试需要，有利于裸芯片研发阶段成本的降低。
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公开(公告)号：CN112097952A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010872416.8
申请日：2020-08-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于图像处理领域和显微成像领域，提供了一种光热反射显微热成像装置、漂移修正方法及漂移修正装置，该装置包括：在原光热反射显微热成像装置上增加调制片和调光装置；所述调制片设置在所述原光热反射显微热成像装置中的准直透镜和分束器之间，且位于所述准直透镜的焦面上；所述调光装置设置在所述原光热反射显微热成像装置的光路上，用于使经所述调制片调制后的照明光不经被测样品表面直接在像面成像。由于采用的光热反射显微热成像装置中增加的调制片和调光装置，可以有效抑制光源强度漂移和相机响应度漂移对参考图像和待修正图像的采集，并且不需要对被测物温度进行调制，即可实现对静态目标的温度测量。
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公开(公告)号：CN110310272A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910585005.8
申请日：2019-07-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于微电子器件温度检测技术领域，提供了一种图像配准方法及终端设备，该方法包括：获取不同材料构成的被测件的参考图像和对比图像；根据参考图像和对比图像上的预设特征点，获取被测件相对探测器的位置改变量；根据位置改变量反复调整热反射成像测温装置上的纳米位移台的位置，并获取每次纳米位移台位置调整后的被测件的新图像；根据新图像与参考图像，确定新图像中与参考图像误差最小的新图像为有效图像，从而可以修正被测件在由于震动、被测件热膨胀等造成的热反射成像测温过程中发生在二维方向的位置改变，实现较高的测温准确度。
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公开(公告)号：CN110298834A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910584994.9
申请日：2019-07-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于微电子器件温度检测技术领域，提供了一种像素级边缘效应的修正方法及终端设备，该方法包括：通过获取不同材料构成的被测件的多张图像；当不同图像上预设线段上相同位置的像素点读数不同时，控制热反射成像测温装置上的纳米位移台向像素点移动方向的反方向移动，直到所述不同图像上预设线段上相同位置的像素点读数相同，从而可以通过图像处理的方式使得X、Y两个方向的像素级位置变化引起的边缘效应得到修正，从而使被测件位置变化造成高温误差和低温误差得到了修正，可以提高的热反射测温准确度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107941346A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711138993.9
申请日：2017-11-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01J5/00
Abstract: 本发明公开了空间分辨力校准装置及制备方法，属于计量技术领域，包括：衬底，金属或金属化合物层设置于衬底上表面；金属或金属化合物层设置有用于定位空间分辨力校准装置位置的定位标记和用于判定成像系统空间分辨力的标称值标识。本发明利用不同发射率的材料制作空间分辨力校准装置的图形和背景，图形能够在显微红外热像仪下清晰分辨，实现对显微红外空间分辨力的校准功能。
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公开(公告)号：CN104297551B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410502198.3
申请日：2014-09-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种皮纳安级直流电流源高精度校准系统，涉及半导体器件直流电流特性测量技术领域。包括数字多用表、高值电阻/短路器、线性稳压电源和有源校准适配器，所述有源校准适配器的电阻信号输入端与所述高值电阻/短路器连接，所述有源校准适配器的电阻电压信号输出端与所述数字多用表连接，所述有源校准适配器的电源信号输入端与所述线性稳压电源连接。所述有源校准适配器并设有皮纳安级直流电流源电流信号输入端接口。本发明解决了现有技术的使用局限性（仅适用于具有保护端子输出的微小电流）和测量误差大（默认保护端电压与高值电阻电压相等，默认保护端输出没有线性度）等问题，具有很高的市场推广价值。
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公开(公告)号：CN112820715B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202011579083.6
申请日：2020-12-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/522 , H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种校准用晶圆级在片电阻标准样片及制备方法，属于半导体工艺过程监控设备校准技术领域。所述校准用晶圆级在片电阻标准样片，包括：晶圆片和制作在所述晶圆片上的多个芯片单元；所述芯片单元的结构中包括：多组不同量级的标称电阻系列和分别与每组所述标称电阻系列一一对应的短路器，所述标称电阻系列包括以标称值为中心、以预设值为步进、阵列设置的多个标称电阻；所述标称电阻系列的阻值范围为：0.1Ω‑10kΩ。本发明所述校准用晶圆级在片电阻标准样片，用于PCM设备在片电阻参数的整体校准，填补国内PCM设备该参数相应范围内校准领域的空白，确保PCM设备小电阻测量数据的准确、一致，保障半导体器件工艺稳定性与产品质量。
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公开(公告)号：CN110310312B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201910615299.4
申请日：2019-07-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06T7/33
Abstract: 本发明适用于图像处理技术领域，提供了一种图像配准方法、图像配准装置及终端，所述图像配准方法包括：获取平移图样，根据平移图样上的每个平移点对目标图像进行平移配准，得到多个候选图像，计算各个候选图像与指定基准图像的互相关度，基于互相关度，得到选中图像，若选中图像与基准图像的互相关度符合预设条件，将选中图像确定为目标图像的配准图像；否则，将选中图像对应的平移量和零平移点的平移量的差值与预设平移量进行比较，对本次平移图样进行不同的操作更新，获得下一次平移图样，并基于下一次平移图样进行平移配准，直到选中图像与基准图像的互相关度符合预设条件，本发明能够提高显微热成像测量温度的准确性。
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公开(公告)号：CN112525385A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011134908.3
申请日：2020-10-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01K15/00
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种热阻测量仪器校准系统，包括：校温装置、测温装置、上位机和热阻标准件；校温装置用于控制热阻标准件处于预设温度下，向热阻标准件输入预设测试电流，并测量热阻标准件的第一结电压；测温装置用于向热阻标准件输入预设工作电流，待热阻标准件的结温稳定后，测量热阻标准件的第二结电压；上位机用于根据预设温度、第一结电压、第二结电压确定热阻标准件的标准热阻值，标准热阻值用于对热阻测量仪器进行校准。本发明利用已标定准确热阻值的热阻标准件对热阻测量仪器进行校准，能够解决现有技术中的热阻测量仪器测量结果准确度低、一致性差的问题。
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