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公开(公告)号：CN108930028B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201810223693.9
申请日：2018-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/40
Abstract: 形成薄膜的方法以及使用其制造集成电路器件的方法，所述形成薄膜的方法包括：通过在约300℃至约600℃的温度下将具有羰基的反应抑制化合物供应至下部膜的暴露表面而形成化学吸附在所述下部膜的第一部分上的第一反应抑制层；在约300℃至约600℃的温度下形成化学吸附在所述下部膜的第二部分上的第一材料的第一前体层，所述第二部分通过所述第一反应抑制层暴露；以及通过将反应性气体供应至所述第一反应抑制层和所述第一前体层而在所述下部膜上形成包含所述第一材料的第一单层，并从所述下部膜的表面除去所述第一反应抑制层，从而暴露所述第一部分。
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公开(公告)号：CN110349854A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910180129.8
申请日：2019-03-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/285 , C23C16/455
Abstract: 提供了一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：在基底上形成半导体图案，使得半导体图案彼此竖直间隔开；以及形成金属逸出功图案以填充半导体图案之间的空间，其中，形成金属逸出功图案的步骤包括执行原子层沉积(ALD)工艺以形成合金层，并且ALD工艺包括在基底上提供包含有机铝化合物的第一前驱体以及在基底上提供包含钒-卤素化合物的第二前驱体。
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公开(公告)号：CN108930028A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810223693.9
申请日：2018-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/40
Abstract: 形成薄膜的方法以及使用其制造集成电路器件的方法，所述形成薄膜的方法包括：通过在约300℃至约600℃的温度下将具有羰基的反应抑制化合物供应至下部膜的暴露表面而形成化学吸附在所述下部膜的第一部分上的第一反应抑制层；在约300℃至约600℃的温度下形成化学吸附在所述下部膜的第二部分上的第一材料的第一前体层，所述第二部分通过所述第一反应抑制层暴露；以及通过将反应性气体供应至所述第一反应抑制层和所述第一前体层而在所述下部膜上形成包含所述第一材料的第一单层，并从所述下部膜的表面除去所述第一反应抑制层，从而暴露所述第一部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108149222A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711247397.4
申请日：2017-12-01
IPC: C23C16/455 , C23C16/18 , C07F7/22
CPC classification number: C07F7/2284 , C23C16/407 , C23C16/45553 , C23C16/18
Abstract: 本发明提供一种锡化合物、用于原子层沉积(ALD)的锡前体化合物、形成含锡材料膜的方法、及合成锡化合物的方法，所述锡化合物是由化学式(I)表示： 其中R1、R2、Q1、Q2、Q3、及Q4分别独立地为C1至C4直链烷基或支链烷基，且所述锡化合物可具有良好的热稳定性。
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公开(公告)号：CN107026072A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610986776.4
申请日：2016-11-09
Applicant: 三星电子株式会社 , 乔治·克劳德方法的研究开发液气股份有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: C07F17/00 , C09D5/24 , H01L21/02189 , H01L21/28088 , H01L21/28556 , H01L21/28568 , H01L27/1085 , H01L27/10855 , H01L27/10879 , H01L28/60 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66795 , H01L21/02104
Abstract: 本文中公开了形成薄膜的方法、制造集成电路器件的方法和形成半导体器件的方法。所述形成薄膜的方法包括通过使用铌前体成分和反应物形成含铌的膜，所述铌前体成分包括由式(1)表示的铌化合物，其中R各自独立地为H、C1‑C6烷基或R13Si，其中R1各自独立地为H或C1‑C6烷基，Cp为环戊二烯基，和L选自甲脒化物(NR,R'‑fmd)、脒化物(NR,R',R″‑amd)、和胍化物(NR,R',NR″,R″′‑gnd)。式(1)Nb(R5Cp)2(L)。
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公开(公告)号：CN1674259B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200510062415.2
申请日：2005-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8242 , H01L21/82 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10867 , H01L27/10829 , H01L27/1087 , H01L29/66181 , H01L29/945
Abstract: 本发明涉及在底切区域中具有绝缘层环的沟槽电容器及其制造方法。制造沟槽电容器的一些方法包括在衬底上形成第一层。在与衬底相对的第一层上形成第二层。在第一和第二层之上形成具有开口的掩模。通过经由掩模中的开口去除第一和第二层的一部分形成第一沟槽。去除第二层下面的第一层的一部分，从而在第二层下面形成底切区域。在第二层下面底切区域中形成绝缘层环。通过经由掩模中的开口去除衬底的一部分形成从第一沟槽延伸的第二沟槽。沿着第二沟槽在衬底中形成掩埋极板。在第二沟槽的内壁和底部上形成介电层。在介电层上第二沟槽中形成存储电极。
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公开(公告)号：CN1674259A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510062415.2
申请日：2005-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8242 , H01L21/82 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10867 , H01L27/10829 , H01L27/1087 , H01L29/66181 , H01L29/945
Abstract: 本发明涉及在底切区域中具有绝缘层环的沟槽电容器及其制造方法。制造沟槽电容器的一些方法包括在衬底上形成第一层。在与衬底相对的第一层上形成第二层。在第一和第二层之上形成具有开口的掩模。通过经由掩模中的开口去除第一和第二层的一部分形成第一沟槽。去除第二层下面的第一层的一部分，从而在第二层下面形成底切区域。在第二层下面底切区域中形成绝缘层环。通过经由掩模中的开口去除衬底的一部分形成从第一沟槽延伸的第二沟槽。沿着第二沟槽在衬底中形成掩埋极板。在第二沟槽的内壁和底部上形成介电层。在介电层上第二沟槽中形成存储电极。
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公开(公告)号：CN1292431A
公开(公告)日：2001-04-25
申请号：CN00131893.4
申请日：2000-10-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C26/00
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/403 , C23C16/409 , C23C16/45525 , C30B25/02 , C30B29/20 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02183 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02192 , H01L21/02197 , H01L21/316 , H01L21/31691
Abstract: 一种利用原子层沉积(ALD)方法形成薄膜的方法,在这种方法中,在一周期内在基底上形成薄膜,这个周期包括:向装有基底的反应室注入第一反应物,该第一反应物包括形成薄膜的原子和配体;清除第一反应物,向反应室注入第二反应物;清除第二反应物。通过形成薄膜的原子与第二反应物之间的化学反应形成薄膜,并防止产生副产品,其中第二反应物与形成薄膜的原子的结合能大于配体与形成薄膜的原子的结合能。通过利用不含氢氧化物的一种物质作为第二反应物,清除第二反应物,使第二反应物与含氢氧化物的第三反应物反应,来抑制薄膜中氢氧化物副产品的产生。在清除第二反应物之后,注入第三反应物并被清除,该第三反应物是用于除去杂质,并改善薄膜的化学配比。通过这样做,就能获得化学配比良好且不含杂质的薄膜。
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