公开(公告)号：CN109950227A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201811250307.1

申请日：2018-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙永训 ,  崔桢焕 ,  玄锡勋

IPC: H01L23/52 ,  H01L27/02

Abstract: 提供了一种半导体封装件。该半导体封装件包括：第一层，包括第一半导体芯片和第一通孔；第一再分布层，设置在第一层的表面上，并且包括第一-第一布线和第二-第一布线；以及第二层，包括第二半导体芯片，并且堆叠在第一层上。第一半导体芯片包括第一-第一缓冲器，第一-第一缓冲器电连接在第一-第一布线与第二-第一布线之间。

公开(公告)号：CN114203216A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202110664944.9

申请日：2021-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申光燮 ,  朴宰祐 ,  孙永训 ,  崔荣暾 ,  崔桢焕

IPC: G11C7/10 ,  G11C29/42

Abstract: 公开了多电平信号接收器和包括多电平信号接收器的存储器系统。所述多电平信号接收器包括其中具有M‑1个感测放大器的数据采样器，所述M‑1个感测放大器被配置为将具有M个电压电平中的一个的多电平信号与M‑1个参考电压进行比较，从而生成M‑1个比较信号。数据采样器还被配置为生成包括N个位的目标数据信号，M是大于二的整数，并且N是大于一的整数。提供了均衡控制器，被配置为通过以下操作训练所述M‑1个感测放大器：基于所述M‑1个比较信号的均衡值，(i)在第一训练模式期间调整M‑1个电压区间中的至少一个，和(ii)在第二训练模式期间调整所述M‑1个参考电压的电平，所述M‑1个电压区间中的每个表示所述M个电压电平之中的两个相邻的电压电平之间的差。

公开(公告)号：CN114187936A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202111053099.8

申请日：2021-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 严泳度 ,  朴宰佑 ,  孙永训 ,  崔荣暾 ,  崔桢焕

IPC: G11C7/10

Abstract: 一种校准存储器设备的信号电平的方法，包括：使用用于非归零(NRZ)信令的ZQ校准，执行上拉编码校准和下拉编码校准；使用用于4级脉冲幅度调制(PAM4)信令的最高有效位(MSB)附加驱动器，执行MSB编码校准；以及使用用于PAM4信令的最低有效位(LSB)附加驱动器，执行LSB编码校准。

公开(公告)号：CN114155894A

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202111048370.9

申请日：2021-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李受哲 ,  孙永训 ,  赵泫润 ,  崔荣暾 ,  崔桢焕

IPC: G11C11/4076 ,  G11C7/22

Abstract: 提供的存储设备可以将脉冲幅度调制方法应用于数据(DQ)信号发送/接收，并且可以根据操作频率条件缩放DQ信号，从而提高数据传输性能并有效地改进功耗。存储设备包括存储单元阵列和数据输入/输出电路，数据输入/输出电路被配置为缩放包括从存储单元阵列读取的数据的DQ信号，并输出缩放DQ信号。数据输入/输出电路被配置为利用对应于操作频率条件的DQ参数基于n电平脉冲幅度调制(PAMn)(其中n是4或更大的整数)来缩放DQ信号并输出DQ信号。其他方面包括与存储设备通信的存储控制器，以及包括存储设备和存储控制器的存储系统。

公开(公告)号：CN114141285A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202111017758.2

申请日：2021-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李民揆 ,  朴宰佑 ,  孙永训 ,  崔荣暾 ,  陈炯珉 ,  崔桢焕

IPC: G11C7/22

Abstract: 可以提供一种操作存储器件的方法，该方法包括：通过时钟接收引脚接收外部控制器发送的具有M个电平的多电平信号，其中，M是大于2的自然数；以及对多电平信号进行解码以恢复数据总线倒置(DBI)数据、数据屏蔽(DM)数据、循环冗余校验(CRC)数据或纠错码(ECC)数据中的至少一个。多电平信号是外部控制器发送的时钟信号，并且是基于中间参考信号摆动的信号，该中间参考信号是M个电平中的最小电平和最大电平之间的中间值。

公开(公告)号：CN112951287B

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202110219921.7

申请日：2018-05-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙永训 ,  金始弘 ,  李昶教 ,  崔桢焕 ,  河庆洙

IPC: G11C7/10 ,  G11C7/24 ,  G11C5/14

公开(公告)号：CN110534140A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201910339068.5

申请日：2019-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东勳 ,  文大植 ,  孙宁洙 ,  孙永训 ,  吴起硕 ,  李昶教 ,  赵泫润 ,  河庆洙 ,  玄锡勳

IPC: G11C7/10

Abstract: 公开了一种存储器装置、存储器系统和存储器装置的操作方法。一种存储器装置包括：驱动器，驱动与外部装置连接的数据线；内部ZQ管理器，产生内部ZQ开始信号；选择器，基于ZQ模式选择内部ZQ开始信号和来自外部装置的ZQ开始命令中的一个；ZQ校准引擎，通过响应于选择器的选择结果执行ZQ校准来产生ZQ码；以及ZQ码寄存器，响应于来自外部装置的ZQ锁存命令将ZQ码加载到驱动器上。

公开(公告)号：CN110060970A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201811502453.9

申请日：2018-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙永训 ,  金始弘 ,  吴台荣 ,  河庆洙

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/52 ,  G11C5/06

Abstract: 一种半导体存储器包括：布置在第一方向上的多个第一焊盘；多个第二焊盘，平行于所述多个第一焊盘且在第一方向上布置；多个第三焊盘，布置在垂直于第一方向的第二方向上；以及多个第四焊盘，布置在第二方向上。半导体存储器还包括在第二方向上从所述多个第一焊盘延伸的第一互连线以及在与第二方向相反的方向上从所述多个第二焊盘延伸的第二互连线，第一互连线连接到所述多个第三焊盘，第二互连线连接到所述多个第四焊盘。

公开(公告)号：CN107958679A

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201710953332.5

申请日：2017-10-13

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团 ,  威斯康星校友研究基金会

Inventor： 吴成一 ,  金南昇 ,  孙永训 ,  金灿景 ,  宋镐永 ,  安廷镐 ,  黄祥俊

IPC: G11C7/10 ,  G11C8/10

CPC classification number: G11C7/1057 ,  G11C7/1063 ,  G11C7/1084 ,  G11C7/109 ,  G11C8/10

Abstract: 提供了存储器模块和用于存储器模块的处理数据缓冲器。存储器模块包括存储器装置、命令/地址缓冲装置和处理数据缓冲器。存储器装置包括：存储器单元阵列；第一输入/输出端子组，每个端子被配置为接收第一命令/地址位；第二输入/输出端子组，每个端子被配置为接收数据位和第二命令/地址位两者。命令/地址缓冲装置被配置为向第一输入/输出端子组输出第一命令/地址位。处理数据缓冲器被配置为向第二输入/输出端子组输出数据位和第二命令/地址位。存储器装置被配置为使得第一命令/地址位、第二命令/地址位和数据位均用来访问存储器单元阵列。

公开(公告)号：CN214847743U

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202121266122.7

申请日：2021-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申光燮 ,  卞辰瑫 ,  孙永训 ,  崔荣暾 ,  崔桢焕

IPC: G11C7/10 ,  G11C7/22

Abstract: 公开了多电平信号接收器、存储器系统和电子设备。所述多电平信号接收器包括数据采样器电路和参考电压生成器电路。数据采样器电路包括将多电平信号与M‑1个参考电压进行比较的M‑1个感测放大器，多电平信号具有彼此不同的M个电压电平中的一个。数据采样器电路生成包括N个位的数据信号，M是大于2的整数，并且N是大于1的整数。参考电压生成器电路为生成所述M‑1个参考电压。所述M‑1个感测放大器中的至少两个感测放大器具有不同的感测特性。所述多电平信号接收器具有提高的通信速度(或接口速度)。