公开(公告)号：CN106486483B

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN201610791568.9

申请日：2016-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成石铉 ,  刘庭均 ,  朴起宽 ,  金基一

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种集成电路器件包括：鳍型有源区，从基板突出；多个衬层，顺序地覆盖鳍型有源区的下侧壁；器件隔离层，覆盖鳍型有源区的下侧壁并且多个衬层在器件隔离层和鳍型有源区之间；以及栅绝缘层，延伸以覆盖鳍型有源区的沟道区、多个衬层和器件隔离层，并包括位于栅绝缘层的覆盖多个衬层的部分上的突起。

公开(公告)号：CN106298670B

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN201610463537.0

申请日：2016-06-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  朴起宽

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括第一鳍型有源区、第二鳍型有源区和区域间台阶部。第一鳍型有源区在基板的第一区中从基板突出并具有在第一方向上的第一宽度。第二鳍型有源区在基板的第二区中从基板突出并具有在第一方向上的第二宽度。第二宽度小于第一宽度。区域间台阶部形成在底表面上的第一区和第二区之间的界面处，该区域间台阶部是基板的在第一鳍型有源区和第二鳍型有源区之间的部分。

公开(公告)号：CN106683987B

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN201610962976.6

申请日：2016-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基一 ,  朴起宽 ,  刘庭均 ,  金炯东 ,  成石铉 ,  严命允

IPC: H01L21/027

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：在衬底上形成包括真实掩模图案和伪掩模图案的多个掩模图案；去除伪掩模图案；以及利用真实掩模图案作为掩模对衬底进行蚀刻，以形成第一沟槽、第二沟槽以及由第一沟槽和第二沟槽限定的鳍式图案。接触鳍式图案的第二沟槽包括凸出并且位于第二沟槽的底表面与侧表面之间的平滑图案、位于第二沟槽的侧表面与平滑图案之间的第一凹进部分和位于凸出部分与第二沟槽的底表面之间的第二凹进部分。

公开(公告)号：CN106601666B

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN201610893808.6

申请日：2016-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张锺光 ,  吴怜默 ,  安学润 ,  刘庭均 ,  朴起宽 ,  成百民

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8234

Abstract: 公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：栅极结构，在基底上；源极/漏极层，在基底的与栅极结构相邻的部分上；第一接触塞，接触源极/漏极层的上表面；第二接触塞，接触栅极结构和第一接触塞的上表面。第二接触塞的底表面具有不接触第一接触塞的上表面的第一部，第一部高于栅极结构的上表面。

公开(公告)号：CN106158970B

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN201610288540.3

申请日：2016-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  金载哲

IPC: H01L29/78

Abstract: 提供了一种包括鳍形图案的半导体装置。所述半导体装置包括：第一鳍形图案；场绝缘层，设置在第一鳍形图案的附近，并具有第一部分和第二部分，第一部分从第二部分突出；第一虚设栅极堆叠件，形成在场绝缘层的第一部分上，并包括具有第一厚度的第一虚设栅极绝缘层；第一栅极堆叠件，形成在场绝缘层的第二部分上以与第一鳍形图案相交，并包括具有与第一厚度不同的第二厚度的第一栅极绝缘层。

公开(公告)号：CN112420842A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202011299684.1

申请日：2016-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  严命允 ,  朴永俊 ,  李廷骁 ,  河智龙 ,  黃俊善

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：有源鳍，其从衬底向上突出，并且在第一方向上延伸；以及栅极结构，其在以与有源鳍交叉的第二方向上延伸，其中栅极结构的与有源鳍接触的下部的第一宽度大于栅极结构的与有源鳍间隔开的下部的第二宽度。

公开(公告)号：CN106571364B

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201610857459.2

申请日：2016-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基一 ,  刘庭均 ,  朴起宽

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明提供了集成电路装置及其制造方法。集成电路装置包括从器件间隔离区的表面突出的双峰突起。为了制造该集成电路装置，在衬底的器件间隔离区中形成多个凹槽，通过部分地去除多个凹槽之间的衬底的表面来形成凹坑，通过蚀刻器件区和器件间隔离区中的衬底，在器件区中形成至少一个鳍式有源区域，并且在器件间隔离区中从衬底的表面形成双峰突起。

公开(公告)号：CN107017283A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610825443.3

申请日：2016-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基一 ,  刘庭均 ,  朴起宽

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7855 ,  H01L29/1033

Abstract: 一种半导体器件可以包括在基板上的场绝缘膜以及在基板上的具有特殊材料的鳍型图案，该鳍型图案具有第一侧壁和相反的第二侧壁。鳍型图案可以包括鳍型图案的从场绝缘膜的上表面突出的第一部分以及鳍型图案的设置在第一部分上的第二部分。鳍型图案的第三部分可以设置在第二部分上，在该处第三部分可以被鳍型图案的顶部倒圆表面覆盖，并且第一侧壁可以具有跨越第一、第二和第三部分的起伏轮廊。

公开(公告)号：CN106972053A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201611093812.0

申请日：2016-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金奇奂 ,  朴起宽 ,  刘庭均 ,  申东石 ,  崔炫烈

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括：包含第一区域和第二区域的基板；在第一区域中的第一和第二栅电极，在基板上彼此平行地形成并且彼此间隔开第一距离；在第二区域中的第三和第四栅电极，在基板上彼此平行地形成并且彼此间隔开大于第一距离的第二距离；在第一区域中形成在基板上在第一和第二栅电极之间的第一凹槽；在第二区域中形成在基板上在第三和第四栅电极之间的第二凹槽；填充第一凹槽的第一外延源极/漏极；以及填充第二凹槽的第二外延源极/漏极，其中第一外延源极/漏极的上表面的最高部分高于第二外延源极/漏极的上表面的最高部分。

公开(公告)号：CN106601666A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201610893808.6

申请日：2016-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张锺光 ,  吴怜默 ,  安学润 ,  刘庭均 ,  朴起宽 ,  成百民

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53295 ,  H01L2029/7858 ,  H01L21/823475

Abstract: 公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：栅极结构，在基底上；源极/漏极层，在基底的与栅极结构相邻的部分上；第一接触塞，接触源极/漏极层的上表面；第二接触塞，接触栅极结构和第一接触塞的上表面。第二接触塞的底表面具有不接触第一接触塞的上表面的第一部，第一部高于栅极结构的上表面。