公开(公告)号：CN106972053A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201611093812.0

申请日：2016-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金奇奂 ,  朴起宽 ,  刘庭均 ,  申东石 ,  崔炫烈

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括：包含第一区域和第二区域的基板；在第一区域中的第一和第二栅电极，在基板上彼此平行地形成并且彼此间隔开第一距离；在第二区域中的第三和第四栅电极，在基板上彼此平行地形成并且彼此间隔开大于第一距离的第二距离；在第一区域中形成在基板上在第一和第二栅电极之间的第一凹槽；在第二区域中形成在基板上在第三和第四栅电极之间的第二凹槽；填充第一凹槽的第一外延源极/漏极；以及填充第二凹槽的第二外延源极/漏极，其中第一外延源极/漏极的上表面的最高部分高于第二外延源极/漏极的上表面的最高部分。

公开(公告)号：CN106972053B

公开(公告)日：2020-10-13

申请号：CN201611093812.0

申请日：2016-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金奇奂 ,  朴起宽 ,  刘庭均 ,  申东石 ,  崔炫烈

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括：包含第一区域和第二区域的基板；在第一区域中的第一和第二栅电极，在基板上彼此平行地形成并且彼此间隔开第一距离；在第二区域中的第三和第四栅电极，在基板上彼此平行地形成并且彼此间隔开大于第一距离的第二距离；在第一区域中形成在基板上在第一和第二栅电极之间的第一凹槽；在第二区域中形成在基板上在第三和第四栅电极之间的第二凹槽；填充第一凹槽的第一外延源极/漏极；以及填充第二凹槽的第二外延源极/漏极，其中第一外延源极/漏极的上表面的最高部分高于第二外延源极/漏极的上表面的最高部分。