公开(公告)号：CN118176329A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202280067121.0

申请日：2022-08-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大槻刚 ,  萩本和德 ,  石崎顺也 ,  阿部达夫 ,  铃木温 ,  松原寿树

IPC: C30B29/62 ,  C23C16/02 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56 ,  C30B25/02 ,  C30B33/00 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明为一种异质外延膜的制作方法，其为使3C‑SiC单晶膜在单晶Si基板上异质外延生长后将其剥离的异质外延膜的制作方法，该制作方法包括：使用减压CVD装置，通过氢焙去除单晶硅基板的表面的自然氧化膜的第一工序；一边供给包含碳与硅的源气体，一边在1333Pa以下、300～950℃以下的条件下进行SiC的核形成的第二工序；在1333Pa以下、800℃以上且小于1200℃的条件下形成3C‑SiC单晶膜并且在3C‑SiC单晶膜正下方形成空位的第三工序；及利用空位剥离3C‑SiC单晶膜从而制作异质外延膜的第四工序。由此，提供一种对器件造成的损伤少且减少材料的损失而效率良好地得到薄膜状的异质外延膜的方法。

公开(公告)号：CN117678053A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202280049148.7

申请日：2022-06-27

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 萩本和德

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/812 ,  H01L29/778 ,  H01L21/338 ,  H01L21/322 ,  H01L21/263

Abstract: 本发明提供一种半导体器件用基板，包含：电阻率100Ω·cm以上的高电阻单晶硅基板；由形成在所述高电阻单晶硅基板上的AlN层构成的第一缓冲层；以及设置在所述第一缓冲层上的氮化物半导体层，其特征在于，在所述高电阻单晶硅基板表面不存在电阻率比该高电阻单晶硅基板整体的电阻率相对低的低电阻率部分。由此，提供一种能够对器件赋予良好的电特性的半导体器件用基板、及这种基板的简便的制造方法。

公开(公告)号：CN117480593A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202280040388.0

申请日：2022-05-30

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 萩本和德 ,  后藤正三郎

IPC: H01L21/66 ,  B23K26/00

Abstract: 本发明是一种晶圆标记方法，其使用激光对氮化物半导体基板的缺陷部分施加激光标记，所述氮化物半导体基板是使至少包含GaN层的氮化物半导体层在单晶硅基板上外延生长而成的，将相当于GaN的带隙能量的波长即365nm的±10％以内的波长的激光照射至所述缺陷部分，从而对所述GaN层的表面及所述单晶硅基板表面同时进行标记。由此，提供一种激光标记方法，该方法在对氮化物半导体基板中的缺陷部分进行激光标记时，能够对GaN层表面及单晶硅基板表面同时进行标记，其中，上述氮化物半导体基板是使至少包含GaN层的氮化物半导体层在单晶硅基板上外延生长而成的。

公开(公告)号：CN116848296A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202280012925.0

申请日：2022-01-17

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 久保埜一平 ,  萩本和德 ,  篠宫胜

IPC: C30B25/18

Abstract: 本发明为一种氮化物半导体基板，其在成膜用基板上成膜有包含Ga的氮化物半导体薄膜，所述成膜用基板在由多个层结合而成的复合基板上形成有单晶硅层，所述氮化物半导体基板的特征在于，从作为所述氮化物半导体薄膜的生长面的所述单晶硅层的端部起朝向内侧具有未成膜有包含Ga的所述氮化物半导体薄膜的区域。由此，提供抑制了反应痕迹的产生的氮化物半导体基板及其制造方法。

公开(公告)号：CN116802350A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202280012933.5

申请日：2022-01-17

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 久保埜一平 ,  土屋庆太郎 ,  萩本和德 ,  篠宫胜

IPC: C30B25/18

Abstract: 本发明为一种氮化物半导体基板，其在成膜用基板上成膜有包含Ga的氮化物半导体薄膜，所述成膜用基板在支撑基板上隔着绝缘层形成有单晶硅层，所述氮化物半导体基板的特征在于，从作为所述氮化物半导体薄膜的生长面的所述单晶硅层的端部起朝向内侧具有未成膜有包含Ga的所述氮化物半导体薄膜的区域。由此，提供抑制了反应痕迹的产生的氮化物半导体基板及其制造方法。

公开(公告)号：CN114207825A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202080055655.2

申请日：2020-07-02

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 萩本和德 ,  后藤正三郎

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/02 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明提供一种电子器件用基板，其是在单晶硅的接合基板上形成有氮化物半导体膜的基板，所述接合基板是至少在由单晶硅构成的基底晶片上接合了由单晶硅构成的接合晶片的基板，所述基底晶片由电阻率为0.1Ωcm以下、结晶取向为 的CZ硅构成，所述接合晶片的结晶取向为 。由此，提供抑制了电子器件用基板的翘曲的基板。

公开(公告)号：CN113994032A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202080044129.6

申请日：2020-04-30

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 萩本和德 ,  后藤正三郎

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/02

Abstract: 本发明是一种电子器件用基板，其是在单晶硅的接合基板上形成了氮化物半导体膜的基板，其特征在于，所述接合基板是接合了多个单晶硅基板而成的基板，厚度大于2000μm，所述多个单晶硅基板是通过CZ法制造的基板，电阻率为0.1Ωcm以下。由此，提供一种在将氮化物半导体膜形成在硅基板上的电子器件用基板中抑制了翘曲并且能够用于高耐压产品的电子器件用基板及其制造方法。

公开(公告)号：CN112753092A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201980062141.7

申请日：2019-09-06

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 土屋庆太郎 ,  萩本和德 ,  篠宫胜

IPC: H01L21/20 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种外延片的制造方法，该制造方法具有：准备在外周部具有倒角部的硅系基板的工序；在所述硅系基板的所述倒角部，形成沿着所述倒角部的内周缘的圆环状的沟槽的工序；以及在形成有所述沟槽的所述硅系基板上进行外延生长的工序。由此，提供一种可抑制产生在外周倒角部的裂缝向中心部方向伸长的外延片的制造方法。

公开(公告)号：CN1754267A

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN200380109980.9

申请日：2003-12-19

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 萩本和德 ,  山田雅人

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/0079

Abstract: 在本发明的发光元件100中，以具有发光层部24的化合物半导体层的第一主表面作为光取出面，在该化合物半导体的第二主表面侧，透过具有反射面的主金属层10结合元件基板7而构成；该反射面使来自该发光层部24的光向该光取出面侧反射，其特征在于：该元件基板7是以导电型为p型的Si基板所构成，且在该元件基板7的主金属层侧10的主表面正上方形成以Al为主成分的接触层31。藉此提供：在具有透过金属层使发光层部与元件基板贴合的构造的发光元件中，具有良好的导电性的发光元件及其制造方法。

公开(公告)号：CN108140582B

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN201680058423.6

申请日：2016-08-29

Applicant: 三垦电气株式会社 ,  信越半导体股份有限公司

Inventor： 鹿内洋志 ,  佐藤宪 ,  篠宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  萩本和德

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供一种半导体衬底，其特征在于，具备：基板；缓冲层，其设置于前述基板上并且由氮化物半导体构成；以及，沟道层，其设置于前述缓冲层上并且由氮化物半导体构成；其中，前述缓冲层包含：第一区域，其设置于前述基板侧，所述第一区域的硼浓度比受体元素浓度更高；以及，第二区域，其设置于前述第一区域上，所述第二区域的硼浓度比前述第一区域的硼浓度更低，并且所述第二区域的受体元素浓度比前述第一区域的受体元素浓度更高。由此，提供一种半导体衬底，其能够维持高的纵向耐压并且得到高的凹坑抑制效果。