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公开(公告)号：CN101059380A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710037606.2
申请日：2007-02-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种柔性电容式触觉传感器的制作方法，其特征在于所述柔性电容式触觉传感器的制作包括PDMS的中间层准备，柔性PI衬底的制备，金属敏感电极及其电连接的图形化，第一高弹性介电层PDMS和第二柔性介电层PI的形成，金属驱动电极及其电连接的图形化，最上层柔性绝缘保护层PI的图形化和柔性电容式触觉传感器的分离。本发明通过工艺的优化整合，实现了有机柔性材料PDMS及PI与传统MEMS工艺之间的兼容性。所制作的电容式触觉传感器结构轻薄，机械强度高，可挠性好，可贴附在任意曲率表面同时感受法向力和切向力的大小，同样适合由众多这种柔性电容式触觉传感器单元组成阵列的制造。
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公开(公告)号：CN1994861A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610147625.6
申请日：2006-12-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种全光学微机械非致冷红外热成像芯片的结构及制作方法，所述的非制冷红外热成像芯片是由框架、弯折梁、可动微镜和长条形开口组成，其中，框架与中间悬浮的可动微镜构成像素元的冷结区和热结区；弯折梁连接框架和可动微镜；弯折梁由作为结构的主要支撑材料的非金属层、上金属层和下金属层组成，上金属层与非金属层构成双材料层使梁发生偏转，下金属层调节热导；长条形开口是在可动微镜上刻蚀的腐蚀窗口。利用〔100〕单晶硅各向异性腐蚀特性采用与(100)方向平行的开口通过正面腐蚀实现光机械敏感元结构。由于芯片采用光学读出，不需要复杂的读出电路和致冷设备，具有价格低、体积小、功耗小等优势，特别适合制作佩戴式热成像系统。
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公开(公告)号：CN1279362C
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN02151296.5
申请日：2002-12-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/12
Abstract: 本发明涉及一种硅微加速度传感器及制作方法，更确切地说涉及一种单片集成直拉直压微梁结构压阻加速度传感器及制作方法。其特征在于：二个直拉直压微梁对称地位于弯曲主悬臂梁的两边，使得微梁只有X方向的直拉直压变形，微梁的自由端与质量块相连；硼扩散的微梁本身作为压阻敏感电阻；硅框架、悬臂梁、可动质量块、微梁以及过保护机构构成的传感器为单片硅形成的整体式结构；悬臂梁、微梁和过载保护结构的制作是同时完成；其中直拉微梁在SOI材料的上层硅上制作，弯曲悬臂梁的质量块等在下层硅衬底上制作，并有中间的氧化层形成电阻与结构间的电绝缘。本发明适合各种量程(1～1.6×105g)，具有高灵度、高带宽的特点。
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公开(公告)号：CN1821787A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200510111362.9
申请日：2005-12-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种三维集成的高量程加速度传感器。其特征在于所述的三维加速度传感器是由三个相互独立的加速度传感元件集成一体构成的；X、Y轴方向的加速度传感元件的结构相同，其敏感方向在硅平面方向，两个相同结构的传感元件相互垂直排布；Z轴方向的加速度传感元件为另一种结构，其敏感方向为硅片的垂直方向，平行排布于X、Y轴方向的加速度传感元件的一侧；是采用MEMS常规工艺制作，且考虑了两种不同传感元件的工艺兼容问题，使制作的传感器三个方向的敏感元件没有窜扰现象，且可依要求设计出1－10万g的不同量程的三维高冲击加速度传感器。
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公开(公告)号：CN1792765A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510112436.0
申请日：2005-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在SOI硅片上纳米宽度谐振结构及制作方法，其特征在于巧妙利用了(110)晶向硅片的各向异性湿法腐蚀特性，通过精确控制光刻掩模图形与(112)晶向间夹角，利用各向异性湿法腐蚀会自动校准晶向、同时结合腐蚀液对(111)晶面的低速腐蚀减小宽度，在(110)绝缘体上硅的硅片上制作出宽度小于光刻最小线宽、侧壁为(111)晶面的纳米梁结构，通过浓硼自终止技术很好地控制锚点和驱动电极的形貌。利用本发明可以制成宽度小于100纳米的纳米梁，在纳米梁两侧制作驱动/敏感电极，从而实现纳米谐振结构。由于各向异性湿法腐蚀对硅(111)晶面的腐蚀速率慢，可以通过控制腐蚀时间实现对纳米梁宽度的较精确控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1736850A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510028753.4
申请日：2005-08-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种由硅和二氧化硅共同支撑的可移动微结构及其制备方法。针对微观下静电驱动力小的问题，采用硅梁和二氧化硅膜作为共同支撑部件，共同支撑中间可动部件。既增加了支撑强度又提高了静电力驱动下的位移；针对用梁支撑的可动结构在后续工艺中粘上杂质和被腐蚀液破坏的问题，采用二氧化硅膜作保护，使结构在后续工艺中不被污染破坏，增加了提高器件制作工艺的可选择性。其制备方法是通过硅片上制作出图形，键合到衬底上，然后从背面减薄硅片上。
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公开(公告)号：CN1242276C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200410025197.0
申请日：2004-06-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新漫传感技术研究发展有限公司
IPC: G02B5/18
Abstract: 本发明涉及一种基于{100}晶面硅锭制作的红外闪耀光栅结构。其关键是对{100}晶面硅锭进行特定角度θc切割形成基片，再对基片进行常规半导体工艺，包括光刻、氧化、各向异性湿法腐蚀等，从而制作出特定的闪耀光栅倾角，实现闪耀光栅结构；其光栅闪耀角θb和切割角度θc满足关系式：θb+θc＝54.7°。所得到的闪耀光栅的闪耀角范围可以从1到54度。由于本发明采用硅的慢腐蚀面{111}面来保证闪耀光栅的闪耀角，具有精度高、易集成、工艺简单、成本低廉、易于控制、成品率高、重复性好、易批量生产等优点，特别适合于量大面广、需要集成的场合使用。
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公开(公告)号：CN1693931A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510026059.9
申请日：2005-05-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种玻璃基硅光波导材料的制备方法。该材料是以玻璃为衬底，硅为导波层。其制备方法为：将绝缘体上的硅材料(SOI)的顶层硅和玻璃片的抛光面常规清洗、烘干后进行键合，键合后利用自停止效应去除SOI硅片的底层硅。该材料和制作工艺的优点是：所制得的光波导材料的导波层厚度可以从几十纳米到几微米，而且厚度均匀性高；玻璃作为限制层，限制效果好；键合面在键合之前可以通过各种工艺过程来实现设定的图案、电极等。
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公开(公告)号：CN1206550C
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN03116501.X
申请日：2003-04-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种垂直光滑的反射微镜的制作方法，其特征在于利用硅的干法刻蚀和各向异性腐蚀相结合在绝缘层上的硅材料上制作的；具体步骤是：(1)在绝缘层上的硅上生长一层可用于硅的各向异性腐蚀的掩模；(2)在掩模上光刻出制作镜子的窗口；(3)利用步骤(2)中的光刻胶或已经光刻出镜子窗口的掩模作掩模进行硅的干法刻蚀，刻蚀出垂直、相对光滑的镜面；(4)在各向异性腐蚀液中腐蚀，而制成垂直、光滑的镜面。本发明优点在于镜面光滑，可在更小区域内制作面积是足够大镜面；无用区域小以及工艺简单，仅增加一步干法刻蚀工艺。
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公开(公告)号：CN1610087A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410067931.X
申请日：2004-11-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微机械芯片测试探卡及制造方法，它是采用微机械的方法在硅片上实现探卡的制造，所述的探卡是由按照芯片管脚分布而排布的悬臂梁阵列实现的，针尖在悬臂梁的末端，并且保证每个针尖的位置与相应的芯片管脚的位置一致。悬臂梁一端是探针，另一端键合在玻璃上。玻璃同时用作背面引线，引线将探针上的信号传输到测试电路。在一片硅片上通过改变探针的分布可以实现适用于不同芯片的探卡，从而降低了探卡的成本。释放梁结构与针尖的形成同时完成，梁的台阶结构在蒸金属时起了自动隔断作用。
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