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公开(公告)号：CN101510482A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910047406.4
申请日：2009-03-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种硅微机械压力开关、制作方法及其应用。特征在于所述的压力开关的上、下硅片电极封装在金属管壳中，形成空气腔；上下两电极间由二氧化硅作为绝缘层进行隔离；使上、下两硅片电极间形成间隙，上硅片电极包括有硅弹性薄膜、至少一个节流槽、金薄膜和框架；下硅片电极包括有导流孔和金薄膜；导流孔正对硅弹性薄膜的中心；硅弹性薄膜位于上硅片电极底部中央，节流槽位于键合后的上、下硅片电极形成的间隙之间；上硅片电极中的框架被二氧化硅覆盖，制作是基于MEMS技术，包括节流槽的形成、框架的形成、硅弹性薄膜的形成、电接触硅膜图形的形成、电接触金膜图形的形成、导流孔的形成、上下电极粘合和器件封装，主要应用于轮胎爆胎快速制动。
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公开(公告)号：CN100492016C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200610118484.5
申请日：2006-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明涉及一种微机械电容式加速度传感器及制作方法，属于微电子机械系统领域。其特征在于，最为关键的就是通过可动质量块上下两面的弹性梁交错分布，不重合，呈90°交叉或平行分布的设计，利用各向异性腐蚀技术，在(100)单晶硅片上实现在无凸角补偿下矩形质量块的形成，同时在质量块的上下两面形成直弹性梁结构。利用一般的硅硅键合技术实现了三层硅片的键合。在上电极和中间电极引出的制作上，通过可动质量块电极引出通孔和屋檐形遮挡台在一步淀积上电极和可动电极的引线盘的同时，也实现了两个电极之间的电信号隔离。本发明简化了制作微机械传感器的工艺，提高了成品率，在提高器件灵敏度的同时也降低了交叉灵敏度，是一种实用的加速度传感器。
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公开(公告)号：CN100491971C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200610027341.3
申请日：2006-06-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于闪耀光栅和热堆探测器的微型集成光栅光谱仪及制作方法，其特征在于由盖板、热堆阵列芯片和光栅芯片按顺序集成组合而成；其中盖板包括一个两面腐蚀的通光孔和下表面的浅槽；热堆阵列芯片的支撑框架支撑整个膜结构；热堆位于介质薄膜上面，引线柱位于支撑框架上，热堆阵列芯片上的通光孔与盖板上的通光孔相对应；光栅芯片上的闪耀光栅是采用特定晶向腐蚀出来的，将特定波长的红外光的最大功率正好反射在热堆的热端薄膜表面。依所述结构采用MEMS工艺制作三块芯片，再采用点胶机点胶键合，或利用粘合剂光刻对准键合，或直接进行Si-Si、Si-玻璃对准键合。具有体积微小、结构稳定、重复性好、成本低廉等优点。
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公开(公告)号：CN101402445A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810202158.1
申请日：2008-11-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种自对准制作微结构的方法及其制作的微机械热电堆红外探测器，特征在于利用多晶硅条的自对准刻蚀下面的介质层形成热电堆，使用各向同性的干法刻蚀腐蚀硅衬底释放结构。热电堆可成悬臂梁直接悬空于衬底上。工艺步骤包括复合介质膜形成、多晶硅条形成、包裹多晶硅条、自对准形成腐蚀开口、引线孔形成，热电堆形成以及干法刻蚀释放结构等。探测器包括基体、框架、热电堆、复合介质膜、腐蚀孔五部分。优点在于使用干法刻蚀使用铝金属制作热偶。所有结构是由标准CMOS工艺中最常见的材料构成的，便于将放大器等信号处理电路整合到传感器中，实现集信号产生和处理于一体的MEMS系统。
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公开(公告)号：CN100440558C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200410053913.6
申请日：2004-08-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种采用硅支撑梁的红外热电堆探测器阵列结构，其特征在于利用硅支撑梁结构取代原有各个器件单元间的硅框架以实现高密度的红外热电堆探测器阵列结构。周边硅框架不变，膜区的间距在20-700μm之间。本发明可利用无掩膜腐蚀工艺实现，且发明在保证器件结构稳定、性能优异的前提下，大大减小了单元器件的间距，从而提高了器件的占空比，有利于器件的大密度集成，同时其具有工艺简单、一致性好、重复性好、成品率高、易批量生产等特点，特别适用于制作大批量高密度的红外热电堆探测阵列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101303366A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200710040541.7
申请日：2007-05-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/135
Abstract: 本发明涉及硅基带锁止功能的阈值可调加速度开关传感器及制作方法，其特征在于所述的加速度开关传感器是由绝缘衬底上的锚区和硅框架、单端固支在锚区的低阻硅悬臂梁、绝缘衬底上的金属静电驱动导电定极板、悬臂梁下表面上的绝缘介质层、介质层上金属接触电极、固定金属接触电极以及信号驱动/检测回路组成。提供的传感器驱动电压与阀值加速度间存在一定关系且具有锁止功能。同时利用金属桥路通断检测传感器工作状态的信号输出方式，使利用MEMS制作的加速度开关传感器具有结构简单、体积小、功耗低、导通电阻小、接口电路方便、输入、输出隔离性好等特点。
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公开(公告)号：CN100422070C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200510028753.4
申请日：2005-08-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种由硅和二氧化硅共同支撑的可移动微结构及其制备方法。针对微观下静电驱动力小的问题，采用硅梁和二氧化硅膜作为共同支撑部件，共同支撑中间可动部件。既增加了支撑强度又提高了静电力驱动下的位移；针对用梁支撑的可动结构在后续工艺中粘上杂质和被腐蚀液破坏的问题，采用二氧化硅膜作保护，使结构在后续工艺中不被污染破坏，增加了提高器件制作工艺的可选择性。其制备方法是通过硅片上制作出图形，键合到衬底上，然后从背面减薄硅片上。
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公开(公告)号：CN100397041C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200410068145.1
申请日：2004-11-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微梁直拉直压结构的压阻微机械陀螺及制作方法，其特征在于将加速度计作为陀螺的科里奥利加速度检测部分，把两个加速度计放在扭转驱动结构两侧，形成类似音叉原理的微机械陀螺；使用压阻四端器件，检测、控制陀螺的驱动幅度，实现陀螺灵敏度的温度自我补偿。其制备工艺是将体硅工艺和表面硅工艺相结合，用深反应离子刻蚀工艺完成主梁、微梁、扭转梁和质量块制作，最后将陀螺和盖板对准粘在一起完成制作。本发明提供的陀螺利用扩散在扭转梁上的四端器件实现压阻系数温度自我补偿，扦测时微梁没有弯曲，只有Z方向直拉直压。
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公开(公告)号：CN100382991C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200410035193.0
申请日：2004-04-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用一只加速度传感器实现车辆加速或减速/刹车方法及装置。特征在于在车辆上只放置一只加速度传感器，利用传感器对车辆行驶中速度改变的敏感特性，将车辆向前的加速度或刹车/减速信号经简便电路处理后，分别对车辆向前加速度显示及对刹车/减速时产生向后加速度的程度产生分级显示，与车辆原刹车信号间形成逻辑“或”的关系。装置中包括安装一只2g量程加速度传感器及信号处理电路，分别驱动放在车内前部的向前加速度显示器和方在车后部的分级刹车/减速显示器。可就本车减速程度对后面车辆进行分级警示，提醒后车驾驶员根据前车告示的减速程度对己车采取合适程度的刹车，避免追尾等事故发生。
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公开(公告)号：CN101062761A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200610148119.9
申请日：2006-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种用湿法腐蚀工艺制作截面为直角三角形的纳米梁加工方法，其特征在于利用(100)晶向硅材料各向异性腐蚀特性，纳米梁形成后腐蚀即自动停止；形成梁的横截面为直角三角形，所述直角三角形的斜而为(111)面，侧面是(110)面，底面是(100)面，梁的斜面和底面宽度由梁的高度决定，是用氧化法进行控制的。本发明巧妙利用各向异性干法腐蚀特性和硅各向异性湿法腐蚀特性，只需一块光刻版就可实现纳米梁结构的加工。
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