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公开(公告)号：CN1779947A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510030636.1
申请日：2005-10-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/82 , H01L21/8239 , H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种纳电子相变存储器器件单元的制备方法。本发明采用纳米加工技术在金属氧化物半导体场效应晶体管的源端或漏端处的相变材料层上制备出柱状小电极，且柱状小电极底面与相变材料层保持良好接触，然后在柱状小电极周围填充绝热材料层，去除柱状小电极上覆盖的绝热材料层后，再在柱状小电极上制备引出电极，且柱状小电极顶面与引出电极保持良好接触，最后通过光刻工艺把两个电极引出，即制备出相变存储器的器件单元。本发明制备的器件单元是与金属氧化物半导体场效应晶体管直接集成的，同时柱状小电极的尺寸可以做的很小，可以很容易制备出纳米尺度的器件单元，大大提高存储密度，实现存储器由微电子向纳电子器件的转变。
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公开(公告)号：CN1604210A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410067987.5
申请日：2004-11-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种可用于相变存储器多级存储的相变材料。其特征在于所述的相变材料为掺杂氮或硼的Ge2Sb2Te5存储材料，其掺杂量为0.01－10原子百分比的氮或0.01－5原子百分比的硼。相变材料结构状态的改变将伴随着电阻性能的变化，其变化幅度可以达到多个数量级，脉冲电压可以使相变材料在不同的结构状态之间可逆转换，利用不同状态间电阻性能的改变可以实现相变存储器的多级存储，从而突破传统的“0”与“1”的存储模式，并且可以在不改变存储器器件结构的情况下大幅度提高存储器的密度。
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公开(公告)号：CN1588637A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410053565.2
申请日：2004-08-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种纳电子器件的制备方法。特征在于：首先在衬底材料上沉积一层下电极材料W，然后依次沉积一层Al和一层SiO2。通过曝光、刻蚀，在SiO2上刻蚀出孔，使下层Al暴露出来，然后通过阳极氧化法在暴露出的部分形成多孔氧化铝，同时对每个孔进行进一步的加工，可以形成唯一的一个纳米尺度的氧化铝小孔，或形成孔径一致，分布均匀纳米孔阵列，或形成孔径分散而分布均匀纳米孔阵列。再用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)沉积薄膜，实现纳米孔的W填充，通过纳米抛光技术实现纳米孔顶端的平坦化，然后沉积相变材料与电极材料，引线，封装，实现纳米存储单元。
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公开(公告)号：CN1588613A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410053564.8
申请日：2004-08-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种简单易行的纳电子相变存储器器件单元制备方法。本发明通过采用薄膜制备工艺在衬底上制备出构成器件的各层薄膜，采用纳米加工技术制备出小孔，然后在孔内填充电极材料或相变材料，最后把两个电极引出后即可制备出相变存储器的器件单元，器件单元中发生相变区域的尺寸在2－1000nm范围。只制备一个孔时可得到一个器件单元；制备阵列孔时可得到阵列器件单元；阵列器件单元与CMOS管集成后可得到相变存储器器件。本发明的相变存储器器件单元的制备方法只涉及薄膜制备工艺和纳米加工技术，器件结构简单，器件制备方法容易实施，可以很容易制备出纳米尺寸的相变存储器器件或器件单元，实现存储器由微电子向纳电子器件的转变。
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公开(公告)号：CN1570673A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410018081.4
申请日：2004-04-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种一维紫外到可见光波段光子晶体的材料及制备方法，属于光电子技术领域。其特征在于以石英作衬底，利用超高真空电子束蒸发在石英衬底上交替生长SiO2、TiO2薄膜，各5～10层，设计SiO2薄膜厚度10nm～96nm，TiO2薄膜厚度10nm～96nm，从而制备出一维紫外到可见光波段光子晶体材料。超高真空电子束蒸发时的真空度10－6－10－8乇。本方法相对于分子束外延(MBE)等方法工艺简单，成本较低，并且生长速度快，实验证明光子带隙清晰，为光子晶体材料在器件上的应用提供了比较快捷的制备工艺，同时为制备更高维数的紫外到可见光波段光子晶体打下基础。本发明可以用于研发微电子光刻工艺的下两代光源，即90nm和75nm光源。
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公开(公告)号：CN1564337A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN200410017747.4
申请日：2004-04-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种减小相变存储器工作电流的单元结构上的改进及其实现方法，属于微电子领域。其特征在于：在加热电极与硫系化合物之间加入一层过渡层，过渡层厚度为10nm－50nm。过渡层材料要求是电阻率比加热电极高，且熔点高于硫系化合物。可选择的有Pt，Ti，TiN等。其结构的改进的实现是采用溅射方法沉积底电极，在沉积一层电介质层，通过曝光刻蚀方法刻蚀小孔，依次沉积加热电极和过渡层，再在其上沉积电介质层，刻蚀较大孔，在孔中沉积硫系化合物，经化学机械抛光后再沉积上电极。经由结构上的改进并实施，由于过渡层材料电阻率高，发热效率就高，用较小的电流就可以达到所需温度。
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公开(公告)号：CN114944452B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202210158712.0
申请日：2022-02-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种阈值选通材料、阈值选通器件单元及其制备方法，所述阈值选通材料的化学通式为(InxTey)aM1‑a，其中0.1≤x/y≤1，0＜x＜100，0＜y＜100，x+y＝100，0＜a≤0.2，M为包括至少一种第六主族元素的阈值开关材料。本发明的阈值选通器件单元具有漏电流低、阈值电压低、选通比大、开启速度快等优点，而且器件的寿命及可靠性都得到了提高。
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公开(公告)号：CN119072219A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411035002.4
申请日：2024-07-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及基于一类硫系化合物的开关器件及其存储设备，所述硫系化合物的化学通式为(SxSeyTe100‑x‑y)100‑zMz，其中M是Sb、Sn、Si、Ge、Bi、Pb、ln、Ga、As、C、P、N中的一种或几种，x、y、z满足0≤x≤100，0≤y≤100，10≤z≤90。本发明开关器件和存储设备功耗极低、操作速度快、泄漏电流低、集成密度高，可用于高密度与三维海量存储器的制造。
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公开(公告)号：CN118613141A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410844936.6
申请日：2024-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种SeTe选通管材料及选通管器件，所述SeTe选通管材料的化学式为SexTe1‑x，其中0.1≤x≤0.9。本发明是一种双向阈值开关型选通管材料，提高选通管的热稳定性，降低选通管的漏电流，增强选通管的寿命和可靠性，在非挥发性存储器、电子开关和可重构电路等领域具有重要的应用前景，可为电子设备提供更高性能、更低功耗的解决方案。
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公开(公告)号：CN114721230B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202210276000.9
申请日：2022-03-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器光刻工艺优化方法，包括：步骤(1)：当每片所述晶圆表面不平整度α相同时，在光刻和刻蚀中确定相变存储器的第一光刻工艺窗口；步骤(2)：当特定图形的周期和线宽不一致时，在光刻和刻蚀中确定相变存储器的第二光刻工艺窗口，其中，所述特定图形为晶圆上的电路图形；步骤(3)：取所述第一光刻工艺窗口和第二光刻工艺窗口的重叠部分作为最终共同工艺窗口，并将所述最终共同工艺窗口的中心作为最佳曝光条件。本发明能够得到相变存储器的最优光刻工艺窗口。
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