公开(公告)号：CN100397561C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200410053564.8

申请日：2004-08-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘波 ,  宋志棠 ,  封松林 ,  陈鲍明

IPC: H01L21/00 ,  H01L45/00 ,  G11C11/56 ,  G11C13/00 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明涉及一种简单易行的纳电子相变存储器器件单元制备方法。本发明通过采用薄膜制备工艺在衬底上制备出构成器件的各层薄膜，采用纳米加工技术制备出小孔，然后在孔内填充电极材料或相变材料，最后把两个电极引出后即可制备出相变存储器的器件单元，器件单元中发生相变区域的尺寸在2-1000nm范围。只制备一个孔时可得到一个器件单元；制备阵列孔时可得到阵列器件单元；阵列器件单元与CMOS管集成后可得到相变存储器器件。本发明的相变存储器器件单元的制备方法只涉及薄膜制备工艺和纳米加工技术，器件结构简单，器件制备方法容易实施，可以很容易制备出纳米尺寸的相变存储器器件或器件单元，实现存储器由微电子向纳电子器件的转变。

公开(公告)号：CN1588613A

公开(公告)日：2005-03-02

申请号：CN200410053564.8

申请日：2004-08-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘波 ,  宋志棠 ,  封松林 ,  陈鲍明

IPC: H01L21/00 ,  H01L45/00 ,  G11C11/56 ,  G11C13/00 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明涉及一种简单易行的纳电子相变存储器器件单元制备方法。本发明通过采用薄膜制备工艺在衬底上制备出构成器件的各层薄膜，采用纳米加工技术制备出小孔，然后在孔内填充电极材料或相变材料，最后把两个电极引出后即可制备出相变存储器的器件单元，器件单元中发生相变区域的尺寸在2－1000nm范围。只制备一个孔时可得到一个器件单元；制备阵列孔时可得到阵列器件单元；阵列器件单元与CMOS管集成后可得到相变存储器器件。本发明的相变存储器器件单元的制备方法只涉及薄膜制备工艺和纳米加工技术，器件结构简单，器件制备方法容易实施，可以很容易制备出纳米尺寸的相变存储器器件或器件单元，实现存储器由微电子向纳电子器件的转变。