-
公开(公告)号：CN101504969B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200910045441.2
申请日：2009-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明揭示了一种相变存储器的制备方法，包括如下步骤：在硅片上面应用化学气相沉积的方法制备一层SixN介质层；依次沉积Al层、Ti层、TiN层，使其作为底层电极；在上述底层电极上使用超高真空电子束蒸发法制备SixO作为绝缘层；旋涂负性抗蚀剂；利用电子束曝光制备设定长度直径圆的阵列以及后续光刻的对准标记；刻蚀所述氧化硅，形成氧化硅柱的阵列；使用化学气相沉积法沉积金属材料钨，使其均匀包裹氧化硅柱；沉积相变材料；沉积氧化硅作为介质保护层；氧化硅开孔；顶层电极制备。本发明可以有效地降低热传导速率，降低热量在该部分体积中的损失；同时可以将高温点向相变材料层转移，更有利于器件性能的提升。
-
公开(公告)号：CN101299453B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200810038906.7
申请日：2008-06-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及纳米复合相变材料以及其制备方法。其特征在于：(1)纳米复合相变材料中具有相变能力的区域被不具备相变能力的稳定功能材料分散成尺寸为纳米量级的微小区域。(2)纳米复合相变材料中功能材料和相变材料层交替生长，功能材料层将各层相变材料层分隔开，形成多层结构。本发明还包含了纳米复合材料的制备方法与纳米加工的方法。功能材料的分散作用有效地限制了相变存储器件中相变材料的可逆相变区域，有效降低了晶粒尺寸；功能材料的存在又降低了复合材料的电导率和热导率，从而提高了器件的加热效率，降低了器件的功耗，并提升了数据保持能力和疲劳特性等。
-
公开(公告)号：CN101882617A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010199669.X
申请日：2010-06-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/08 , H01L27/24 , H01L21/82 , H01L21/762
Abstract: 本发明揭示了一种肖特基二极管、半导体存储器及其制造工艺，所述存储器包含字/位线、半导体层、第一金属层、第二金属层、绝缘材料、电阻转换存储单元；字/位线之间的隔离依靠第一浅沟槽实现，而同一字/位线上方的肖特基二极管单元的隔离依靠第二浅沟槽实现；所述第一浅沟槽深于第二浅沟槽。本发明采用新型结构的肖特基二极管，可通过简单的工艺制造出存储器装置，实现存储器器件成本的大幅降低。
-
公开(公告)号：CN101833992A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010170493.5
申请日：2010-05-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明的具有冗余存储单元的相变随机存储器系统至少包括：主相变存储阵列、副相变存储阵列、替换信息存储单元、主副存储阵列切换单元、主译码器、副译码器、及读写单元，当主相变存储阵列中的部分存储单元失效时，副相变存储阵列以可选择的方式替换主相变存储阵列中失效的存储单元，而由主副存储阵列切换单元依据替换信息存储单元所存储的信息决定替换的策略，并通过控制主译码器及副译码器实行替换。替换信息存储单元所存储的信息可以由外部输入，由于其采用了相变材料或者金属丝，如此可使写入替换信息极为方便，无需如现有技术要采用大电流或紫外线方式，因此可有效降低成本。
-
公开(公告)号：CN1731567B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200510026996.4
申请日：2005-06-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/321 , B24B57/02
Abstract: 本发明涉及一种用于集成电路多层互连结构铜/钽化学机械抛光(CMP)的一步抛光工艺技术及相应纳米抛光液。对于互连结构的铜/钽多层膜体系的化学机械抛光，通过本发明的“一步抛光工艺”，单头抛光机能够代替昂贵的多头抛光机，实现多层膜的分步抛光。通过化学机械抛光过程中多层膜体系界面间在线检测信号(声学、力学、电学或光学信号)差异的反馈，对抛光液实施分段应用，有效改善了原有的单一抛光液或分步抛光中存在的低速率及选择性问题。该抛光工艺及相应纳米抛光液有效改善了单一抛光液的速率问题；以单头抛光机代替多头抛光机，降低了设备成本；同时抛光后表面损伤少、易清洗，抛光液不腐蚀设备、不污染环境。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101789491A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010106878.5
申请日：2010-02-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00 , H01L21/822
Abstract: 本发明涉及相变存储单元结构，该结构包括一对共面的、分开的电极；以及所述共面的电极之间的相变材料层，该相变材料层两端分别与电极接触，形成接触部，所述相变材料层的中间部分的厚度大于接触部的厚度。采用本发明的相变存储器采用三维结构，外围电路全部埋置于相变存储阵列下面，使得外围电路面积不会影响整个芯片的面积，相变存储器阵列位于外围电路的上方，布满整个芯片，最大程度利用了芯片的面积，提高器件密度。器件结构采用横向结构，比起纵向结构，在实现同样的结构图形的情况下，简化工艺。器件中相变材料在电极处分布薄，在中心区域分布厚，可以保证电极和相变材料接触面积小的同时，进一步提高电流密度，降低功耗。
-
公开(公告)号：CN101770165A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910044950.3
申请日：2009-01-06
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明提供一种廉价的压印模板，属于微纳制造领域。其特征在于：在硬质基底表面覆盖图形化材料层，先将图形化材料层图形化，然后对图形化表面修饰处理，之后直接用作压印模板。这种压印硬模板制作方法与目前常用的电子束直写等技术方法相比，具有成本低、周期短、工艺简单的显著特点。可以广泛应用于纳米级、高密度表面纳米结构加工与研究中，在半导体照明、高密度存储等领域前景广阔。
-
公开(公告)号：CN101752312A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810203942.4
申请日：2008-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/822 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种具有双浅沟道隔离槽的高密度二极管阵列的制造方法，其首先在具有第一导电类型的衬底上采用侧墙技术等工艺手段制作出相互独立的字线阵列，并使各字线由较深的浅沟道隔离槽(STI)隔离，再通过沉积及光刻等工艺，在每一STI的底部及部分侧壁，沉积含有易扩散第二导电类型原子的材料层，接着采用高温退火等处理方法使上述材料层中的第二导电类型原子扩散至相应各字线中，然后再采用离子注入及光刻等工艺在各字线上形成两层不同导电类型的薄层，并再次采用侧墙技术等工艺手段分离处于同一字线上的各二极管，且使各二极管之间被较浅的STI所分离，最后进行介质材料填充及平坦化形成二极管阵列，此方法制作的二极管阵列密度高，成本具有一定优势。
-
公开(公告)号：CN101741242A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN201010023096.5
申请日：2010-01-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明揭示了一种电荷泵及其工作方法，所述电荷泵包括参考电压发生电路、电压比较器、时钟发生器、电荷转移电容、稳压电容、开关单元；通过对电荷转移电容充电，并将充电完毕的电荷转移电容上的电荷转移到电荷泵输出端上，输出高于输入电压的电平，每次对电荷转移电容充电时，并未将电荷转移电容充满，只是将电荷转移电容充到设定的电压后停止充电。本发明可增加电荷泵电路的转换效率。
-
公开(公告)号：CN101734706A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910200963.5
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明属于无机纳米材料制备技术领域，具体涉及一种菱形片状氧化铈的制备方法。本发明的制备方法包括如下步骤：将硝酸铈铵，沉淀剂和硅烷偶联剂溶于水中，搅拌均匀至完全溶解后，进行加热回流反应，反应温度为70～100℃，时间为1～20小时；然后将所得产物离心分离，水洗；然后在30～40℃下低温烘干；最后进行煅烧，煅烧温度为300～1200℃，即可制得菱形片状氧化铈。本发明的制备方法制得的片状菱形氧化铈在化学机械抛光、汽车尾气催化净化、燃料电池、紫外光吸收等诸多高新技术领域有着广泛的应用前景。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
956
records
(took 0.071 seconds)
