公开(公告)号：CN101789491B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201010106878.5

申请日：2010-02-08

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 龚岳峰 ,  宋志棠 ,  凌云 ,  吕世龙 ,  刘燕 ,  李宜瑾

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/822

Abstract: 本发明涉及相变存储单元结构，该结构包括一对共面的、分开的电极；以及所述共面的电极之间的相变材料层，该相变材料层两端分别与电极接触，形成接触部，所述相变材料层的中间部分的厚度大于接触部的厚度。采用本发明的相变存储器采用三维结构，外围电路全部埋置于相变存储阵列下面，使得外围电路面积不会影响整个芯片的面积，相变存储器阵列位于外围电路的上方，布满整个芯片，最大程度利用了芯片的面积，提高器件密度。器件结构采用横向结构，比起纵向结构，在实现同样的结构图形的情况下，简化工艺。器件中相变材料在电极处分布薄，在中心区域分布厚，可以保证电极和相变材料接触面积小的同时，进一步提高电流密度，降低功耗。

公开(公告)号：CN101789491A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN201010106878.5

申请日：2010-02-08

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 龚岳峰 ,  宋志棠 ,  凌云 ,  吕世龙 ,  刘燕 ,  李宜瑾

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/822

Abstract: 本发明涉及相变存储单元结构，该结构包括一对共面的、分开的电极；以及所述共面的电极之间的相变材料层，该相变材料层两端分别与电极接触，形成接触部，所述相变材料层的中间部分的厚度大于接触部的厚度。采用本发明的相变存储器采用三维结构，外围电路全部埋置于相变存储阵列下面，使得外围电路面积不会影响整个芯片的面积，相变存储器阵列位于外围电路的上方，布满整个芯片，最大程度利用了芯片的面积，提高器件密度。器件结构采用横向结构，比起纵向结构，在实现同样的结构图形的情况下，简化工艺。器件中相变材料在电极处分布薄，在中心区域分布厚，可以保证电极和相变材料接触面积小的同时，进一步提高电流密度，降低功耗。