-
公开(公告)号：CN101958148B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201010289950.2
申请日：2010-09-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/56
Abstract: 本发明提供一种能消除干扰的相变存储器单元，其包括：相变材料形成的相变电阻；并联在所述相变电阻两端的受控开关管；与所述相变电阻一端连接的选通管，其中，所述选通管和所述受控开关管在任意时刻工作在相反的状态，即一者处于导通状态时，另一者就处于截止状态，通过受控开关管的导通，可强制相变电阻两端的电压相等，从而有效避免干扰。此外，本发明还提供一种由能消除干扰的相变存储器单元所构成的相变存储器，该相变存储器在位线信号升高时，通过使受控开关管导通，可使相变电阻两端的电压相等，从而达到消除干扰的目的。
-
公开(公告)号：CN101699562B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200910199256.9
申请日：2009-11-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种相变存储器的擦写方法，进行擦操作时，首先对器件中的相变材料施加一个脉高较低的脉冲，所述脉冲使相变材料恰好达到熔融温度，并在相变材料局部形成非晶区域；然后继续施加多个脉高较低的脉冲，在相变材料中累积非晶区域，直至器件从低阻态转到高阻态。本发明通过累积作用实现存储器的擦写操作，一方面低脉高产生的低热量有利于材料稳定性，另一方面低脉高能够保证相变存储器在要求低编程电流(电压)环境下的应用，在不改变相变存储器器件结构的情况下，降低了器件功耗，大大节省了优化器件结构的成本。
-
公开(公告)号：CN102637823A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210152787.4
申请日：2012-05-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种低功耗相变存储器用限制型电极结构及制备方法，所述限制型电极结构包括：基底，具有金属层及覆盖于金属层上的绝缘层，绝缘层中具有一深度直达金属层的凹槽；钨材料，填充于凹槽内，其厚度小于凹槽的深度至一预设范围值，以使凹槽形成一底部为钨材料、侧壁为绝缘层的浅槽结构；c-WOx材料，沉积于浅槽结构中并与钨材料上表面相结合，形成底部为c-WOx材料、侧壁为绝缘层的电极槽结构；相变材料，填充于电极槽结构中并与绝缘层的上表面共平面。本发明低功耗相变存储器用限制型电极结构解决了现有技术中相变存储器的相变材料中能量利用率低以及现有提高器件热效率的手段与传统的CMOS工艺不兼容等问题。
-
公开(公告)号：CN101430930B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200810200269.9
申请日：2008-09-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种电阻转换存储单元及其方法，其结构包括：阈值电压可调的场效应晶体管及其阈值电压调节电路；以及至少一个与上述每个场效应晶体管对应连接的电阻转换存储单元。在存储器写、擦编程需要大电流时，通过晶体管体端电压的调整将晶体管的阈值电压调低，从而获得较大的输出电流；而在读操作或者存储器待机时，则不调整阈值电压或将晶体管的阈值电压调高，此外待机时还可获得较低的漏电流，提升存储器在待机时的稳定性，避免串扰。通过阈值电压的降低，在RESET和SET编程时调低阈值电压；采用该发明选通相变存储器，可以减小场效应晶体管的长度，即提升了场效应晶体管选通相变存储器芯片的密度。
-
公开(公告)号：CN102497181A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110436258.2
申请日：2011-12-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K17/22
Abstract: 本发明提供一种超低功耗上电复位电路。该电路至少包括：基于阈值对电源电压进行采样以输出采样信号的电源采样电路；用于将所述采样信号整形为阶跃信号且与所述电源采样电路构成正反馈连接的整形电路；用于将所述阶跃信号予以延迟的延迟电路；用于基于所述阶跃信号及延迟后的阶跃信号来输出上电复位信号的异或电路。本电路结构简单，其通过正反馈能使电路快速进入稳定状态，有效提高抗噪性能，且电路功耗极低。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102487119A
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201010569991.7
申请日：2010-12-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种用于相变存储器的-纳米复合相变材料，该材料由相变材料与复合而成，其化学式为，其中,。本发明通过在相变材料中掺入，使得具有可逆相变能力的相变材料被非晶态隔离成纳米尺度的区域，形成复合结构；提升了相变材料的电阻率和结晶温度，降低了相变材料热导率。相变材料的晶态电阻的增加，可以降低相变存储器件的Reset电流，从而克服了相变材料Reset电流过大的障碍；结晶温度的升高可以提升-相变材料器件的稳定性，熔化温度的下降则有效降低了其功耗；而热导率的降低，则可以提高能量的利用率。
-
公开(公告)号：CN101734706B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910200963.5
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明属于无机纳米材料制备技术领域，具体涉及一种菱形片状氧化铈的制备方法。本发明的制备方法包括如下步骤：将硝酸铈铵，沉淀剂和硅烷偶联剂溶于水中，搅拌均匀至完全溶解后，进行加热回流反应，反应温度为70～100℃，时间为1～20小时；然后将所得产物离心分离，水洗；然后在30～40℃下低温烘干；最后进行煅烧，煅烧温度为300～1200℃，即可制得菱形片状氧化铈。本发明的制备方法制得的片状菱形氧化铈在化学机械抛光、汽车尾气催化净化、燃料电池、紫外光吸收等诸多高新技术领域有着广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN101789491B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010106878.5
申请日：2010-02-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00 , H01L21/822
Abstract: 本发明涉及相变存储单元结构，该结构包括一对共面的、分开的电极；以及所述共面的电极之间的相变材料层，该相变材料层两端分别与电极接触，形成接触部，所述相变材料层的中间部分的厚度大于接触部的厚度。采用本发明的相变存储器采用三维结构，外围电路全部埋置于相变存储阵列下面，使得外围电路面积不会影响整个芯片的面积，相变存储器阵列位于外围电路的上方，布满整个芯片，最大程度利用了芯片的面积，提高器件密度。器件结构采用横向结构，比起纵向结构，在实现同样的结构图形的情况下，简化工艺。器件中相变材料在电极处分布薄，在中心区域分布厚，可以保证电极和相变材料接触面积小的同时，进一步提高电流密度，降低功耗。
-
公开(公告)号：CN102386327A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110376922.9
申请日：2011-11-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种相变材料的制备方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成非晶Si-SbxTe1-x材料层，其中0.1≤x≤0.9；在所述Si-SbxTe1-x复合材料的结晶温度之上，对所述Si-SbxTe1-x执行第一次退火工艺，使得其中的非晶Si和SbxTe1-x晶体形成分相；将退火后分相的非晶Si与SbxTe1-x的复合材料置于氢气氛中执行第二次退火工艺，使其中的非晶Si转变为微晶Si以形成微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料；对所述微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料执行加热退火脱氢工艺。相较于现有技术，本发明制备的是微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料，微晶态的Si晶粒尺寸在3纳米至20纳米左右，缺陷比非晶态Si少，能有效抑制氧化，阻碍Si与SbxTe1-x的相互扩散，具有更稳定的特性。
-
公开(公告)号：CN102386067A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201010271287.3
申请日：2010-08-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/205
CPC classification number: C30B25/186 , C30B23/025 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/02661
Abstract: 本发明涉及了一种有效抑制自掺杂效应的外延生长方法，其首先清除含有重掺杂埋层区域的半导体衬底和待使用的反应腔室内壁的杂质，然后将半导体衬底载入被清洗过的反应腔室，在真空条件下对其进行预烘烤，以去除所述半导体衬底表面的湿气及氧化物，随后抽出半导体衬底表面被解吸附的掺杂原子，接着在高温和低气体流量条件下，在已抽出掺杂原子的所述半导体衬底表面生长第一本征外延层；然后在低温和高气体流量条件下，在已生长有本征外延层的结构表面继续生长所需厚度的第二外延层，最后冷却载出硅片。该方法能够抑制半导体衬底外延生长过程中的自掺杂效应，从而确保周边电路区器件的性能，以增加器件的可靠性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
956
records
(took 0.075 seconds)
