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公开(公告)号：CN100482572C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200510025831.5
申请日：2005-05-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在(111)晶面的硅片上纳米梁的结构及制作方法。其特征在于所述纳米梁由金属线条提供力学支撑，金属线条与衬底间电学绝缘；纳米梁的周围与下方为各向异性湿法腐蚀形成的腐蚀区；同时纳米梁为浅槽区包围，纳米梁下表面与浅槽区的上表面均为(111)晶面；且纳米梁为可动结构，上下自由振动。纳米梁的厚度等于浅槽区底部硅的表面与纳米梁区顶部硅表面的高度差；纳米梁、浅槽区和腐蚀区处于整平区内。本发明是基于分步氧化法(或干法刻蚀)和湿法腐蚀方法制作的，包括区域整平、梁区台阶制作、电学连接与力学支撑结构制作和纳米梁释放四个步骤，纳米梁厚度由分步氧化法或干法刻蚀法决定，具有加工精度高、一致性高、重复性好的特点。
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公开(公告)号：CN101357757A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810032805.9
申请日：2008-01-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种同时制备多方向水平定向单壁碳纳米管阵列的方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明采用含钠离子的溶液处理表面为Si或SiO2的衬底，使用铁蛋白作为催化剂源，用于催化制备以含碳原料气和氢气为碳纳米管生长气源，用化学气相沉积法在卧式电阻炉中实现多方向水平定向单壁碳纳米管阵列的生长。本发明提供的方法可以在衬底上同时获得多个方向水平定向生长的单壁碳纳米管阵列，且操作简单。
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公开(公告)号：CN100423311C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200510112299.0
申请日：2005-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种新的基于双材料效应的微机械红外探测器阵列的制作方法，其特征在于采用硅作为牺牲层，采用SiO2、SiNx、SiC、Au、Al及Cr等XeF2气体几乎不腐蚀的材料来制作像素的双材料支撑梁和红外敏感部分，采用SiO2、SiNx、SiC、Au、Al及Cr等XeF2气体几乎不腐蚀的材料制作锚或对锚进行保护，最后采用XeF2气体腐蚀硅牺牲层释放像素。本发明具有以下积极效果和优点：一方面采用干法释放，避免湿法释放过程对像素结构的破坏；另一方面，降低了制作成本且与IC工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN100423310C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200610026291.7
申请日：2006-04-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种与互补金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)兼容的微机械热电堆红外探测器结构及其制作方法，其特征为利用(100)单晶硅各向异性腐蚀特性采用正面特定的开口通过正面腐蚀实现大吸收面积微机械热电堆结构，所制作的红外探测器特征在于框架与中间悬浮的红外吸收区构成热电堆的冷结区和热结区；支撑臂连接框架和红外吸收区以及承载热电堆；长条形开口覆盖整个红外吸收区。本发明提供的结构和工艺具有腐蚀时间短、器件占空比大，器件成品率高等特点，特别适合大阵列红外探测器的制作。
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公开(公告)号：CN101066749A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200710041875.6
申请日：2007-06-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种以硅各向异性腐蚀为关键技术制造的悬臂梁结构和制作方法，属于微电子机械系统领域。其特征在于，悬臂梁的断面为五边形，悬臂梁上表面为单晶硅(100)晶面，悬臂梁下表面由两个(111)晶面组成。悬臂梁结构是由各向异性腐蚀出来的，由(111)面作为腐蚀终止面，自动终止硅悬臂梁的腐蚀，悬臂梁结构可精确控制，使得悬臂梁的制造成品率大大提高。本发明可应用于多种MEMS器件的结构中，如电容式加速度传感器、电阻式加速度传感器、微机械陀螺、谐振器等，可以大大提高器件制作工艺的控制水平，提高器件制作的成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101038298A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710038123.4
申请日：2007-03-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明涉及一种对称直梁结构电容式微加速度传感器及其制作方法。其特在于所述的加速度传感器由一个中心对称的质量块、外部支撑框架、质量块与外部支撑框架相连接的八根上下对称直弹性梁结构以及上、下盖板组成。每根直弹性梁的一端连接在与弹性梁平行的质量块顶端或底端侧面，另一端连接到与弹性梁垂直的外部支撑框架内侧面。本发明提供的对称直梁结构电容式加速度传感器可以在显著减小横向效应的同时提高灵敏度，采用微电子机械系统工艺制作，是一种高性能的微机械加速度传感器。
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公开(公告)号：CN1326214C
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200410016462.9
申请日：2004-02-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/308 , H01L21/467
Abstract: 本发明涉及一种基于半导体材料纳米线的制作方法。其特征在于利用半导体工艺中“鸟嘴”效应和半导体材料的湿法腐蚀或干法刻蚀技术在介质层上的半导体材料上加工制备出纳米尺度的线条，近似矩形或梯形截面，且可在顶层介质的表面形成保护膜之前，进行硼、磷等掺杂。方法包括(1)利用(100)或(110)晶面顶层硅的SOI硅片；(2)利用SOI硅片和硅的各向同性或干法刻蚀腐蚀技术；(3)先用硅的干法刻蚀技术再用硅的各向异性或各向同性腐蚀制作；(4)先用硅的各向同性腐蚀技术，再用硅的干法刻蚀技术制作等。具有工艺简单、加工成本低、适用于批量生产特点，制成的纳米线可做成传感器件、电子器件以及光波导器件，发光器件，有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN1960017A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610118474.1
申请日：2006-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微机械红外热电堆探测器结构及其制作方法，其特征在于作为红外吸收层的悬浮膜结构具有多种形状的腐蚀开口，使用各向同性的干法刻蚀从正面腐蚀衬底形成悬浮膜结构释放器件。探测器的衬底和悬浮于框架中间的红外吸收层分别构成热电堆的冷结区和热结区，支撑臂连接框架和红外吸收区并承载热电堆；中间悬浮的红外吸收层带有不同形状的腐蚀开口，作为干法刻蚀工作气体进入衬底进行反应的通道。采用了标准CMOS工艺中最常见的材料，便于实现和信号处理电路的集成。使用了选择性很好的干法刻蚀形成红外吸收层，相比传统的湿法腐蚀不仅简化了工艺流程，降低了对光刻机的要求；同时不需考虑对其它材料的破坏，拓宽了探测器可用材料的范围。
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公开(公告)号：CN1866002A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610026520.5
申请日：2006-05-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于爆炸物检测的自组装单分子层敏感膜及制备方法，特征在于所述的敏感膜的组成材料为6－巯基尼古丁酸(6－MNA)。它是以自组装的方法在贵金属基底上形成的单分子层。本发明制备的自组装单分子层能够对二硝基甲苯(DNT)、梯恩梯(TNT)、黑索金(RDX)和太安(PETN)等含硝基(－NO2)或硝酸酯基(－ONO2)的爆炸物敏感，可以在各类力和质量敏感元件上进行自组装修饰，形成灵敏检测器件。具有灵敏度高、响应时间快、特异性和重现性好等优点，在敏感性能方面明显优于国外使用的4－巯基苯甲酸(4－MBA)单分子层敏感膜，能够分辨几十ppt量级的TNT蒸气，可用于多种场合的安全检查和反恐的需求。
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公开(公告)号：CN1279386C
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN03128875.8
申请日：2003-05-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种法布里-珀罗(FP)腔可调光学滤波器件及制作方法。其特征在于将压电驱动方式的稳定性同MEMS批量加工的优势结合起来，并采用特殊的阻挡块结构设计保证腔体两平行镜面的平行度，隆低了装配难度，从而保证器件性能。所提供的FP腔体由分解的二块压电块，一上高反膜和一下高反膜构成。上高反膜或为平面型或为凹的球面、柱面或为凹的近似球面、柱面，分别形成平面型或“平凹型”FP谐振腔。本发明工艺，结构简单，成本低廉，没有细梁等易受外界影响的部件，体积小，易于大批量制作，器件稳定可靠，性能优异。
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