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公开(公告)号：CN1405081A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：CN02137780.4
申请日：2002-11-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种静电驱动垂直方向大位移变形的微结构，属于光电子器件领域。它由A、B两个部分紧密结合而成。它由A、B两个部分紧密结合而成，A、B之间相互绝缘，A部上的组件有外框架、左右两个副悬臂梁、左右两个副质量块、主悬臂梁、主质量块；B部分上的组件有一个上层面、左右两个中层面、一个底层面、左右两个副电极、主电极以及左右两个阻挡块；通过不同高度的电极的共同作用，可以实现以较小的电压驱动质量块以较大的垂直方向上位移，并且只通过外围电极连线的改变，就可以实现质量块的多个位移的稳定状态。且可以按同样原理进行扩展，结构简单、制作工艺要求低，必将在光电子器件和微机械结构方法发挥重要的作用。
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公开(公告)号：CN1326214C
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200410016462.9
申请日：2004-02-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/308 , H01L21/467
Abstract: 本发明涉及一种基于半导体材料纳米线的制作方法。其特征在于利用半导体工艺中“鸟嘴”效应和半导体材料的湿法腐蚀或干法刻蚀技术在介质层上的半导体材料上加工制备出纳米尺度的线条，近似矩形或梯形截面，且可在顶层介质的表面形成保护膜之前，进行硼、磷等掺杂。方法包括(1)利用(100)或(110)晶面顶层硅的SOI硅片；(2)利用SOI硅片和硅的各向同性或干法刻蚀腐蚀技术；(3)先用硅的干法刻蚀技术再用硅的各向异性或各向同性腐蚀制作；(4)先用硅的各向同性腐蚀技术，再用硅的干法刻蚀技术制作等。具有工艺简单、加工成本低、适用于批量生产特点，制成的纳米线可做成传感器件、电子器件以及光波导器件，发光器件，有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1279386C
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN03128875.8
申请日：2003-05-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种法布里-珀罗(FP)腔可调光学滤波器件及制作方法。其特征在于将压电驱动方式的稳定性同MEMS批量加工的优势结合起来，并采用特殊的阻挡块结构设计保证腔体两平行镜面的平行度，隆低了装配难度，从而保证器件性能。所提供的FP腔体由分解的二块压电块，一上高反膜和一下高反膜构成。上高反膜或为平面型或为凹的球面、柱面或为凹的近似球面、柱面，分别形成平面型或“平凹型”FP谐振腔。本发明工艺，结构简单，成本低廉，没有细梁等易受外界影响的部件，体积小，易于大批量制作，器件稳定可靠，性能优异。
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公开(公告)号：CN1405592A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：CN02137791.X
申请日：2002-11-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种利用 硅片制作微机械光开关的设计，属于光电子器件领域。其特征在于它是由A、B两个部分紧密结合而成，且相互绝缘；A部分上的组件有外框架、左右两个副悬臂梁、左右两个副质量块、主悬臂梁、主质量块、微镜、微镜支撑体、两个进光光纤定位槽和两个出光光纤定位槽；B部分上的组件有一个上层面、左右两个中层面、一个底层面、左右两个副电极、主电极以及左右两个阻挡块。通过在 硅片上制作出垂直的 镜面，并设计结构使之可以在垂直方向上大位移移动从而完成光路切换功能。 镜面严格与 底面垂直以及微镜支撑体设计、大位移结构设计都极大地降低了光信号的损耗。
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公开(公告)号：CN1186246C
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN02137780.4
申请日：2002-11-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种静电驱动垂直方向大位移变形的微结构，属于光电子器件领域。它由A、B两个部分紧密结合而成。它由A、B两个部分紧密结合而成，A、B之间相互绝缘，A部上的组件有外框架、左右两个副悬臂梁、左右两个副质量块、主悬臂梁、主质量块；B部分上的组件有一个上层面、左右两个中层面、一个底层面、左右两个副电极、主电极以及左右两个阻挡块；通过不同高度的电极的共同作用，可以实现以较小的电压驱动质量块以较大的垂直方向上位移，并且只通过外围电极连线的改变，就可以实现质量块的多个位移的稳定状态。且可以按同样原理进行扩展，结构简单、制作工艺要求低，必将在光电子器件和微机械结构方法发挥重要的作用。
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公开(公告)号：CN1560906A
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN200410016462.9
申请日：2004-02-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/308 , H01L21/467
Abstract: 本发明涉及一种基于半导体材料纳米线的制作方法。其特征在于利用半导体工艺中“鸟嘴”效应和半导体材料的湿法腐蚀或干法刻蚀技术在介质层上的半导体材料上加工制备出纳米尺度的线条，近似矩形或梯形截面，且可在顶层介质的表面形成保护膜之前，进行硼、磷等掺杂。方法包括(1)利用(100)或(110)晶面顶层硅的SOI硅片；(2)利用SOI硅片和硅的各向同性或干法刻蚀腐蚀技术；(3)先用硅的干法刻蚀技术再用硅的各向异性或各向同性腐蚀制作；(4)先用硅的各向同性腐蚀技术，再用硅的干法刻蚀技术制作等。具有工艺简单、加工成本低、适用于批量生产特点，制成的纳米线可做成传感器件、电子器件以及光波导器件，发光器件，有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN1456923A
公开(公告)日：2003-11-19
申请号：CN03128875.8
申请日：2003-05-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种法布里－珀罗(FP)腔可调光学滤波器件及制作方法。其特征在于将压电驱动方式的稳定性同MEMS批量加工的优势结合起来，并采用特殊的阻挡块结构设计保证腔体两平行镜面的平行度，降低了装配难度，从而保证器件性能。所提供的FP腔体由分解的二块压电块，一上高反膜和一下高反膜构成。上高反膜或为平面型或为凹的球面、柱面或为凹的近似球面、柱面，分别形成平面型或“平凹型”FP谐振腔。本发明工艺，结构简单，成本低廉，没有细梁等易受外界影响的部件，体积小，易于大批量制作，器件稳定可靠，性能优异。
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