公开(公告)号：CN105308751A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201480033124.8

申请日：2014-05-15

Applicant: 美光科技公司

Inventor： D·V·尼尔摩·拉玛斯瓦米 ,  亚当·D·约翰逊

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L27/11597 ,  G11C11/22 ,  G11C11/221 ,  G11C11/223 ,  G11C11/2255 ,  G11C11/2257 ,  H01L29/78391

Abstract: 一种设备包括：场效应晶体管FET结构，其水平地及垂直地堆叠成三维存储器阵列架构；栅极，其在所述多个FET结构之间垂直地延伸且水平地隔开；及铁电材料，其分离所述FET结构与所述栅极。个别铁电FET FeFET形成于所述FET结构、所述栅极及所述铁电材料的相交点处。另一设备包括多个位线及字线。每一位线具有与铁电材料耦合的至少两个侧，使得每一位线由相邻栅极共享以形成多个FeFET。一种操作存储器阵列的方法包括：将电压的组合施加到多个字线及数字线以用于多个FeFET存储器单元的所要操作，至少一个数字线使多个FeFET存储器单元可由相邻栅极存取。

公开(公告)号：CN1845251B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200610077864.9

申请日：1998-11-12

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中村孝

IPC: G11C11/22 ,  G11C5/00 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C11/22 ,  G11C11/223

Abstract: 一种使用了铁电体层的半导体存储器，包括：存储单元，由在栅极和半导体层之间具有铁电体层的铁电体存储FET组成；缓冲单元，可复制该存储单元的数据；和缓冲电路，把上述存储单元的数据复制到上述缓冲单元并把该被复制的数据再次写入到上述存储单元。这样，可以利用缓冲单元定期刷新存储单元的数据，因此，不会使数据消失并可以长时间保持数据。

公开(公告)号：CN100423272C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200410044576.4

申请日：2004-05-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 岩田浩 ,  足立浩一郎 ,  柴田晃秀

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/112

CPC classification number: G11C11/22 ,  G11C11/223 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/28291 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/7923

Abstract: 半导体存储装置具有：半导体基片，其在表面部分形成了元件分离区及未形成该元件分离区的有源区；在有源区形成的作为源极或漏极来动作的2个源极/漏极扩散区；在这2个源极/漏极扩散区之间确定的沟道区；在第1方向延伸的多个第1位线；在第1方向延伸的多个第2位线；在第2方向延伸并排列在该第2方向的有源区的沟道区上隔着绝缘体来设置，在沟道区上作为栅电极来起作用的多个字线；对该栅电极，在源极/漏极扩散区的一方侧与另一方侧的侧壁形成，具有保持电荷或极化的功能的存储功能体。根据选择规定的字线及第1位线及第2位线而被特定的存储功能体中所保持的电荷或极化的多寡，流经沟道区的电荷量发生变化。

公开(公告)号：CN101124638A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200580046292.1

申请日：2005-12-06

Applicant: 哈佛大学

Inventor： 查尔斯·M·利伯 ,  吴越 ,  闫昊

IPC: G11C11/22 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  G11C11/22 ,  G11C11/223 ,  G11C11/54 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5657 ,  G11C13/003 ,  G11C13/025 ,  G11C2213/16 ,  G11C2213/17 ,  G11C2213/18 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/77 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068 ,  H01L29/78391

Abstract: 本发明一般性涉及纳米技术和可以用于电路的亚微米电子器件，并且在某些情况下，涉及能够编码数据的纳米尺度线和其它纳米结构。本发明的一个方面提供一种具有电可极化的区域的纳米尺度线或其它纳米结构，例如，纳米尺度线可以包括核和电可极化壳。在某些情况下，电可极化区域在没有外电场情况下能够保持其极化状态。电可极化区域的全部或仅一部分可以被极化，以例如编码一个或多个数据位。在一组实施方案中，电可极化区域包括功能氧化物或铁电氧化物材料，例如，BaTiO3、钛锆酸铅等。在某些实施方案中，纳米尺度线(或其它纳米结构)还可以包括其它材料，例如，使纳米尺度线的电可极化区域与其它区域隔离的隔离区域。例如，在纳米尺度线内，一个或多个中间壳可以使所述核与电可极化壳隔离。

公开(公告)号：CN1189942C

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN01103798.9

申请日：2001-02-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 嶋田恭博 ,  有田浩二 ,  内山洁

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L29/516 ,  G11C11/22 ,  G11C11/223 ,  H01L29/78391

Abstract: 一种半导体存储器件，当从能产生向上的极化或向下的残留极化的强电介质薄膜中读出对应极化状态的数据时，要在控制栅极上施加偏压，同时把有向下的残留极化的状态设为数据“1”，把从有向上的残留极化的状态到残留极化几乎不存在的状态设为数据“0”。通过把残留极化几乎不存在的状态设为数据“0”，使数据为“0”时的读出电流值近似为一固定值，所以能提高读出精度。并通过预先让一侧数据感应出轨迹来进一步提高读出精度。

公开(公告)号：CN109148454A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810649700.1

申请日：2018-06-22

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 刘香根

IPC: H01L27/11502 ,  H01L27/11507

CPC classification number: H01L29/516 ,  G11C11/223 ,  G11C11/2275 ,  H01L29/40111 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507

Abstract: 一种铁电存储器件包括：衬底，其中具有源电极和漏电极；第一界面电介质层，其包括设置在源电极与漏电极之间的衬底上的反铁电材料；铁电栅电介质层，其包括设置在第一界面电介质层上的铁电材料；以及栅电极，其设置在铁电栅电介质层上。

公开(公告)号：CN108630250A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810223875.6

申请日：2018-03-19

Applicant: 格芯公司

Inventor： G·博苏

IPC: G11C5/14 ,  G11C7/22 ,  H01L27/11

CPC classification number: G11C11/2275 ,  G11C5/063 ,  G11C5/148 ,  G11C7/20 ,  G11C11/221 ,  G11C11/223 ,  G11C11/2273 ,  G11C11/2293 ,  G11C11/2297 ,  G11C11/412 ,  G11C14/0072 ,  G11C7/22 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1159

Abstract: 本发明涉及具有非易失性存储能力的存储结构及其操作方法。本公开提供了具有类似静态RAM的操作特性的存储单元或存储结构，但是其仍然在单个位的基础上提供非易失性存储能力。为此，诸如铁电晶体管元件的非易失性存储元件可以设置在反相器结构内，以便允许通过增加用于操作该反相器的电压差而在任何期望的操作阶段存储逻辑状态。在示例性实施例中，存储的逻辑状态可以在上电事件期间重新建立。

公开(公告)号：CN108447909A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201810147222.4

申请日：2014-05-15

Applicant: 美光科技公司

Inventor： D·V·尼尔摩·拉玛斯瓦米 ,  亚当·D·约翰逊

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L27/11597 ,  G11C11/22 ,  G11C11/221 ,  G11C11/223 ,  G11C11/2255 ,  G11C11/2257 ,  H01L29/78391

Abstract: 本发明涉及具有铁电场效应晶体管存储器阵列的设备及相关方法。一种设备包括：场效应晶体管FET结构，其水平地及垂直地堆叠成三维存储器阵列架构；栅极，其在所述多个FET结构之间垂直地延伸且水平地隔开；及铁电材料，其分离所述FET结构与所述栅极。个别铁电FET FeFET形成于所述FET结构、所述栅极及所述铁电材料的相交点处。另一设备包括多个位线及字线。每一位线具有与铁电材料耦合的至少两个侧，使得每一位线由相邻栅极共享以形成多个FeFET。

公开(公告)号：CN107452742A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710265559.0

申请日：2017-04-21

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  株式会社华哥姆研究所

Inventor： 酒井滋树 ,  高桥光惠 ,  楠原昌树 ,  都田昌之 ,  梅田优 ,  佐佐木善和

IPC: H01L27/11502 ,  H01L27/11507

CPC classification number: H01L29/40111 ,  G11C11/223 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02356 ,  H01L27/1159 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/516 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507

Abstract: 本发明提供FeFET及其制造方法，该FeFET在不损害以往开发的FeFET具有的105秒以上的数据保持特性和108次以上的耐数据改写性特性的情况下，将强电介质的膜厚(df)减小至59nm

公开(公告)号：CN101853696B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201010155006.8

申请日：2010-03-30

Applicant: 瑞创国际公司

Inventor： C·泰勒 ,  储钒 ,  孙山

IPC: G11C11/22

CPC classification number: G11C11/22 ,  G11C7/1006 ,  G11C7/12 ,  G11C11/223 ,  G11C2207/002 ,  G11C2207/005

Abstract: 一种允许压印减轻的铁电存储器单元阵列包括：铁电存储器单元，其分别耦合到字线、板线和位线；字线驱动器，用于驱动所述字线；板线驱动器，用于驱动所述板线；位线驱动器，用于驱动所述位线；以及隔离设备驱动器，用于驱动耦合在所述位线和多个位线之间的隔离设备。用于减轻压印的方法包括：将位线耦合到各自的多个检测放大器；导通字线并且脉冲化与一行铁电存储器单元相关联的板线；将所述位线与所述各自的检测放大器断开；驱动所述板线为低电平并且驱动所述位线为高电平；驱动所述板线为高电平并且驱动所述位线为低电平；驱动所述板线为低电平并且悬空所述位线；用所述检测放大器来驱动所述位线；以及关断所述字线并且对所述位线预充电。所述方法可以在每次存储器存取之后被执行，或者可以在任何方便的时候用计数器和复原命令来执行。