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公开(公告)号：CN101218503B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200680024868.9
申请日：2006-07-04
Applicant: 芬兰国立技术研究中心
CPC classification number: G01N29/022 , B81B2201/0292 , G01N29/036 , G01N29/2462 , G01N29/30 , G01N2291/0255 , G01N2291/0256 , G01N2291/106
Abstract: 本发明涉及适用于分析液态样品的微机械传感器以及这类传感器的阵列。本发明也关注适用于检测液态样品的方法以及适用于微机械分析液相样品的纵向体声波的使用。这种传感器包括主体以及与主体分开的平面波导部分。至少一个电-机械换能器元件用于响应于电激励而将纵向体声波激励到波导部分，并还用于将声波转换成电信号。波导部分具有样品接受区域，可以将样品引入到它上面。藉助于本发明，能够提高微机械液态传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN101920995A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010201121.4
申请日：2010-06-09
Applicant: 索尼公司
Inventor： 伊藤大辅
CPC classification number: B81C1/00111 , B81B2201/0214 , B81B2201/0235 , B81B2201/0285 , B81B2201/0292 , B81B2203/0361 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C30B25/00 , C30B29/16 , C30B29/60 , H01G9/058 , H01G9/155 , H01G11/46 , H01L29/0665 , H01L29/0676 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/66439 , H01L29/66462 , H01L29/775 , Y02E60/13
Abstract: 本文公开了沿着[110]方向细长生长的二氧化钒纳米线。
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公开(公告)号：CN101218503A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200680024868.9
申请日：2006-07-04
Applicant: 芬兰国立技术研究中心
CPC classification number: G01N29/022 , B81B2201/0292 , G01N29/036 , G01N29/2462 , G01N29/30 , G01N2291/0255 , G01N2291/0256 , G01N2291/106
Abstract: 本发明涉及适用于分析液态样品的微机械传感器以及这类传感器的阵列。本发明也关注适用于检测液态样品的方法以及适用于微机械分析液相样品的纵向体声波的使用。这种传感器包括主体以及与主体分开的平面波导部分。至少一个电－机械换能器元件用于响应于电激励而将纵向体声波激励到波导部分，并还用于将声波转换成电信号。波导部分具有样品接受区域，可以将样品引入到它上面。借助于本发明，能够提高微机械液态传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN106458575B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201580024337.9
申请日：2015-05-08
Applicant: 因文森斯公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0214 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2201/0278 , B81B2201/0292 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C1/0023 , B81C2203/0792 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/16152 , H04R1/04 , H04R19/04 , H04R29/004 , H04R2201/003 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本文披露一种包括至少一环境感测器以及至少一MEMS声敏感测器的集成封装件。该封装件包含一分享端口，用于将该两个感测器暴露于该环境中，其中，该环境感测器测量该环境的特性，该声敏感测器测量声波。该端口将该环境感测器暴露于气流以及将该声敏感测器暴露于声波。该声敏感测器的一个实施例为一麦克风，该环境感测器的一个实施例为湿度感测器。
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公开(公告)号：CN104326435B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201410351867.1
申请日：2014-07-22
Applicant: 原子能和替代能源委员会
CPC classification number: B81B7/0061 , B81B7/007 , B81B2201/0214 , B81B2201/0292 , B81B2201/058 , B81B2207/07 , B81B2207/096 , B81C1/00269 , B81C1/00309 , B81C2203/0118 , G01N30/6095
Abstract: 本发明涉及具有流体通道的装置以及用于制造该装置的方法，所述装置包括基底，基底包括至少一个微电子和/或纳米电子结构和一个流体通道(2)，微电子和/或纳米电子结构包括至少一个敏感部分，流体通道(2)被限定在基底与帽盖(6)之间，其中，流体通道(2)包括至少两个开口以便实现所述通道中的流动，其中，微电子和/或纳米电子结构位于流体通道内部，其中，帽盖与基底在装配界面处装配，其中，所述装置包括所述微电子和/或纳米电子结构与所述流体通道(2)外部之间的至少一个电连接，其中，所述电连接(8)由穿过基底(4)并且位于所述微电子和/或纳米电子结构正下方而且与所述微电子和/或纳米电子结构接触的通孔形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107055456A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710241902.8
申请日：2017-04-14
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Inventor： 刘玮荪
CPC classification number: B81B7/0035 , B81B7/0067 , B81B7/007 , B81B2201/0292 , B81C1/00134 , B81C1/00317 , B81C2203/0118 , H01L31/0203 , B81B2201/0207 , B81C1/00277 , B81C2203/019
Abstract: 本发明公开了一种微机电系统器件的封装结构及方法，微机电系统器件的封装结构包括第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆具有第一中央区域和围绕在第一中央区域周围的第一边缘区域，第二晶圆具有第二中央区域和围绕在第二中央区域周围的第二边缘区域，通过将第一边缘区域的第一键合结构和第二边缘区域的第二键合结构相对应键合在一起，在第一中央区域和第二中央区域间形成一密闭空间，即第一晶圆中的微机电系统器件处于密闭空间中。这样，形成的微机电系统器件的封装结构密封性非常好，而且，第二晶圆的制程简易，不需要通过额外加工，因此，本发明的微机电系统器件的封装结构的气密性好、封装方法简易、生产成本低。
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公开(公告)号：CN106477514A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201510540807.9
申请日：2015-08-28
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 郑超
CPC classification number: B01L3/5027 , B81B3/0083 , B81B2201/0292 , B81B2201/047 , H01L31/0203 , H01L31/0352 , H01L31/08
Abstract: 一种MEMS器件及其形成方法，其中MEMS器件的形成方法包括：提供第一基底；沿第一基底正面向背面刻蚀开口区的第一基底，在外围区第一基底中形成第一开口，在中心区第一基底中形成第三开口，且第一开口位于第一基底内的深度大于第三开口位于第一基底内的深度；在第一开口底部和侧壁表面、第三开口底部和侧壁表面形成感光层；将第一基底正面与第二基底进行键合；在第一基底背面形成暴露出开口区第一基底背面的图形化的掩膜层；以图形化的掩膜层为掩膜，采用干法刻蚀工艺刻蚀第一基底，形成底部向第一基底正面方向下凹的沟槽，且所述沟槽暴露出第一开口底部表面以及第三开口底部表面的感光层。本发明提高了形成的MEMS器件的性能。
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公开(公告)号：CN102735298B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201210209399.5
申请日：2009-12-08
Applicant: 日立汽车系统株式会社
Inventor： 佐久间宪之
IPC: G01F1/692
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B2201/0292 , B81B2203/0127 , G01F1/6845 , G01F1/692 , G01F1/699 , G01F5/00 , Y10T29/49083
Abstract: 本发明提供一种热式流体流量传感器及其制造方法。在具有由绝缘膜构成的薄膜结构部的热式流体流量传感器中，上述绝缘膜在精细加工的测温电阻体和发热电阻体的上下层叠有具有压缩应力的膜和具有拉伸应力的膜而成。对于发热电阻体(3)、发热电阻体用测温电阻体(4)、上游侧测温电阻体(5A、5B)和下游侧测温电阻体(5C、5D)的下层的绝缘膜，交替层叠了具有压缩应力的膜(第一绝缘膜(14)、第三绝缘膜(16)和第五绝缘膜(18))和具有拉伸应力的膜(第二绝缘膜(15)和第四绝缘膜(17))，且配置了2层以上的具有拉伸应力的膜。利用本发明的热式流体流量传感器，能够消除应力不均衡，提高检测灵敏度且提高可靠性。
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公开(公告)号：CN104326435A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410351867.1
申请日：2014-07-22
Applicant: 原子能和替代能源委员会
CPC classification number: B81B7/0061 , B81B7/007 , B81B2201/0214 , B81B2201/0292 , B81B2201/058 , B81B2207/07 , B81B2207/096 , B81C1/00269 , B81C1/00309 , B81C2203/0118 , G01N30/6095
Abstract: 本发明涉及具有流体通道的装置以及用于制造该装置的方法，所述装置包括基底，基底包括至少一个微电子和/或纳米电子结构和一个流体通道(2)，微电子和/或纳米电子结构包括至少一个敏感部分，流体通道(2)被限定在基底与帽盖(6)之间，其中，流体通道(2)包括至少两个开口以便实现所述通道中的流动，其中，微电子和/或纳米电子结构位于流体通道内部，其中，帽盖与基底在装配界面处装配，其中，所述装置包括所述微电子和/或纳米电子结构与所述流体通道(2)外部之间的至少一个电连接，其中，所述电连接(8)由穿过基底(4)并且位于所述微电子和/或纳米电子结构正下方而且与所述微电子和/或纳米电子结构接触的通孔形成。
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公开(公告)号：CN103717526A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201280034778.3
申请日：2012-07-12
Inventor： 罗曼·维亚德 , 阿波德尔克里姆·泰勒比 , 菲利浦·雅克·潘诺德 , 阿兰·默伦 , 弗拉基米尔·普雷奥布拉日恩斯基
CPC classification number: G01F1/688 , B81B3/0081 , B81B2201/0264 , B81B2201/0292 , B81B2203/0109 , G01F1/6845 , G01F1/6882 , G01L21/12 , H01L41/316 , H01L41/332
Abstract: 本发明涉及一种包括加热元件的微型传感器（1），并且涉及一种与该微型传感器相关联的制造方法。所述传感器（1）包括基板（2）、腔（20）以及热绝缘结构（4），所述热绝缘结构（4）通过连接至该基板（2）的区域（31、32）悬置在腔（20）的上方。本发明的特征在于，热绝缘结构（4）包括延伸越过腔（20）的至少两个桥部（33、34），加热元件通过相对于所述桥部（33、34）横向地延伸而由所述桥部（33、34）支撑。
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