利用具有绝缘层的薄膜谐振器探测物质的装置和方法

    公开(公告)号:CN104764802A

    公开(公告)日:2015-07-08

    申请号:CN201510137979.1

    申请日:2009-09-29

    申请人: 西门子公司

    IPC分类号: G01N29/02 G01N29/036

    摘要: 本发明涉及利用具有绝缘层的薄膜谐振器探测物质的装置和方法。用于探测流体的至少一种物质的装置包括具有至少一个压电层、设置在压电层处的电极层、至少一个设置在压电层处的其他电极层的压电声学薄膜谐振器和至少一个用于积聚流体的物质的积聚面,其中压电层、电极层和积聚面被设计和彼此设置,使得通过电极层的电触发可以将激励交变场耦合输入到压电层中,薄膜谐振器由于耦合输入到压电层中的激励交变场可以以谐振频率fR被激励成谐振振荡并且谐振频率fR取决于在积聚面处所积聚的物质的量。该装置的特征在于,直接在电极层的至少一个的背离压电层的侧上设置至少一个用于电绝缘电极层的电绝缘层。

    低漂移化学传感器阵列的方法和装置

    公开(公告)号:CN101710100B

    公开(公告)日:2014-02-05

    申请号:CN200910221480.3

    申请日:2009-09-08

    IPC分类号: G01N29/02

    摘要: 低漂移化学传感器阵列的方法和装置。一种片上的低基线漂移的SAW/LAW化学传感器阵列及其形成方法。双SAW延迟线包括用来产生声波的公共IDT,以及用来接收声波的一对IDT。一个感测层或者一个参考层可以沉积在公共IDT的每一侧上的位置中。一ASIC芯片包括片上的双操作放大器和混合器,以利用由感测层和参考层给出的差获得差别测量。可利用三维3D技术来将传感器阵列和ASIC连接在相同的封装中并由此形成3D堆栈。化学传感器阵列和ASIC可以配置在不同的封装中,并利用2D技术互连在相同的衬底上。多种气体可以被独立地探测,每种气体可关于与其相关联的感测层和特定参考层而被有差别地探测。

    低漂移化学传感器阵列的方法和装置

    公开(公告)号:CN101710100A

    公开(公告)日:2010-05-19

    申请号:CN200910221480.3

    申请日:2009-09-08

    IPC分类号: G01N29/02

    摘要: 低漂移化学传感器阵列的方法和装置。一种片上的低基线漂移的SAW/LAW化学传感器阵列及其形成方法。双SAW延迟线包括:用来产生声波的公共IDT,以及用来接收声波的一对IDT。一个感测层或者一个参考层可以沉积在公共IDT的每一侧上的位置中。一ASIC芯片包括片上的双操作放大器和混合器,以利用由感测层和参考层给出的差获得差别测量。可利用三维3D技术来将传感器阵列和ASIC连接在相同的封装中并由此形成3D堆栈。化学传感器阵列和ASIC可以配置在不同的封装中,并利用2D技术互连在相同的衬底上。多种气体可以被独立地探测,每种气体可关于与其相关联的感测层和特定参考层而被有差别地探测。