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公开(公告)号：CN105980879B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201480069593.5
申请日：2014-11-20
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
Abstract: 一种用于阻抗匹配导波雷达(GWR)系统(100)的探针的耦合器件(3、5、6)。馈通(3)用于连接至包括连接至收发器(1)的输出的内导体和连接至外金属套管的外导体的同轴电缆或其它传输线连接器(2)。具有长度从λ/5至λ/2的亚波长同轴传输线(CTL)(5)耦合至馈通，其包括连接至馈通内导体的内导体和连接至外金属套管的外导体。具有长度为2λ±百分之二十的多个金属指(7)的模式转换器(MC)(6)被连接至亚波长CTL的外导体，其中MC包括连接至亚波长CTL的内导体的其内导体上的介电涂层(58)。
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公开(公告)号：CN102927936A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210334107.0
申请日：2012-08-01
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
IPC: G01B17/04
CPC classification number: G01L1/165 , G01K11/265
Abstract: 公开了无线表面声波差动应变仪。一种用于检测待监测的资产的应变的SAW传感器组件。两个芯片可具有一个或多个SAW传感器。该芯片可结合(bond)在一起作为一个封装。一个芯片可在其应变待监测的资产(asset)上。另一个芯片可通过采用弹性类型的结合材料(bonding material)结合到承受应变的芯片而保持不承受应力。该芯片可起源于晶片上。第一晶片可切割单独的芯片。芯片的第二晶片可具有施加到其芯片周边的结合材料。来自第一晶片的芯片可单独地放置在第二晶片的每个芯片上使得基于周边的材料结合每对芯片。每对芯片可从第二晶片切割。也可采用其他配置和封装方案。
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公开(公告)号：CN101395457A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200780007718.1
申请日：2007-01-12
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
Inventor： C·P·科比亚努 , V·V·阿夫拉梅斯库 , I·乔治斯库
IPC: G01L9/00
CPC classification number: G01L9/008 , G01L9/0025
Abstract: 本发明涉及基于直接石英键合的石英声表面波传感器。可以用附着到基片的真正全石英传感器封装(TAQSP)来生产声表面波传感器模块。所述的真正全石英传感器封装具有直接石英键合到在石英基片上的声表面波传感器的石英盖。通过直接石英键合具有许多盖的石英盖晶片到具有许多传感器的石英传感器晶片，可以大批量生产真正全石英传感器封装。晶片串联可以被进一步加工，因为键合保护了其中的传感器。通过将条带切除出盖晶片、暴露声表面波传感器焊盘、和随后对晶片串联进行切片，可以获得分立的传感器封装。当传感器封装附着到天线支承基片并随后密封时，声表面波传感器模块形成。
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公开(公告)号：CN101364729A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200810215425.9
申请日：2008-08-06
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
CPC classification number: H02J7/0031 , H02J2007/0037
Abstract: 本发明涉及基于MEMS的电池监控。电池保护和监控系统，包括多个MAFET(机械激励场效应晶体管)开关，其中MAFET开关中的每一个MAFET开关可以从打开开关状态切换到关闭开关状态或反之亦然，以使多个MAFET开关连接到电池。该系统进一步包括一个或多个与MAFET开关中的至少一个MAFET开关相关联并且电通信的晶体管。PPTC(聚合物正温度系数)装置也与晶体管和MAFET开关相关联，以使PPTC装置、MAFET开关和晶体管彼此互相以及与多个MAFET开关的打开开关状态或者闭合开关状态相关联地操作，以确定、监控和防止与电池相关的至少一个危险状况。
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公开(公告)号：CN106415216B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201580016971.8
申请日：2015-03-12
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
IPC: G01F23/284 , G01S13/88
Abstract: 一种联接装置，用于联接过程连接的螺纹馈入件(113)以提供用于非金属储藏罐(102)的发射器。该储藏罐在其顶表面(102a)包括罐孔口(103)。该联接装置包括箔喷嘴，该箔喷嘴包括内上金属箔表面(105)，该内上金属箔表面(105)包括螺纹孔口(106)用于将所述馈入件固定于其上，以及在该上金属箔表面的相应侧的第一和第二下金属箔表面(115，116)。该箔喷嘴还包括设置于内上金属箔表面的相应侧以及第一和第二下金属箔表面之间的第一和第二箔水平过渡区(111，112)。该箔喷嘴可以配置为圆柱形，喇叭形或波状喇叭形。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106415216A8
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201580016971.8
申请日：2015-03-12
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
IPC: G01F23/284 , G01S13/88
Abstract: 一种联接装置，用于联接过程连接的螺纹馈入件(113)以提供用于非金属储藏罐(102)的发射器。该储藏罐在其顶表面(102a)包括罐孔口(103)。该联接装置包括箔喷嘴，该箔喷嘴包括内上金属箔表面(105)，该内上金属箔表面(105)包括螺纹孔口(106)用于将所述馈入件固定于其上，以及在该上金属箔表面的相应侧的第一和第二下金属箔表面(115，116)。该箔喷嘴还包括设置于内上金属箔表面的相应侧以及第一和第二下金属箔表面之间的第一和第二箔水平过渡区(111，112)。该箔喷嘴可以配置为圆柱形，喇叭形或波状喇叭形。
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公开(公告)号：CN101784892B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200880017129.6
申请日：2008-03-20
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
Inventor： B·C·塞尔班 , V·V·阿夫拉梅斯库 , C·P·科比亚努 , I·乔治斯库 , N·瓦拉秋
CPC classification number: G01N29/022 , B81B2201/0214 , B81C1/00206 , G01N29/2462 , G01N2291/021 , G01N2291/0423
Abstract: 按超分子化学原理用大环化合物为室温SAW/BAW化学传感器设计和沉积传感层。待传感的气体粘附到所述有机传感膜上，因此改变其粘弹性并引起沉积在SAW/BAW设备表面上的所述膜的质量增加。直接印刷法可用作添加式无掩模程序来连同导向层和仅传感器的传感SAW/BAW原理所需的位置上的有机膜的沉积一道沉积SAW/BAW设备所需的金属叉指式换能器和电极。通过所述直接印刷法沉积的凝胶状有机膜可使用不同的热处理解决方案来固结。
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公开(公告)号：CN101784892A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200880017129.6
申请日：2008-03-20
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
Inventor： B·C·塞尔班 , V·V·阿夫拉梅斯库 , C·P·科比亚努 , I·乔治斯库 , N·瓦拉秋
CPC classification number: G01N29/022 , B81B2201/0214 , B81C1/00206 , G01N29/2462 , G01N2291/021 , G01N2291/0423
Abstract: 按超分子化学原理用大环化合物为室温SAW/BAW化学传感器设计和沉积传感层。待传感的气体粘附到所述有机传感膜上，因此改变其粘弹性并引起沉积在SAW/BAW设备表面上的所述膜的质量增加。直接印刷法可用作添加式无掩模程序来连同导向层和仅传感器的传感SAW/BAW原理所需的位置上的有机膜的沉积一道沉积SAW/BAW设备所需的金属叉指式换能器和电极。通过所述直接印刷法沉积的凝胶状有机膜可使用不同的热处理解决方案来固结。
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公开(公告)号：CN106415216A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201580016971.8
申请日：2015-03-12
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
IPC: G01F23/284 , G01S13/88
Abstract: 一种联接装置，用于联接过程连接的螺纹馈入件(113)以提供用于非金属储藏罐(102)的发射器。该储藏罐在其顶表面(102a)包括罐孔口上金属箔表面(105)，该内上金属箔表面(105)包括螺纹孔口(106)用于将所述馈入件固定于其上，以及在该上金属箔表面的相应侧的第一和第二下金属箔表面(115，116)。该箔喷嘴还包括设置于内上金属箔表面的相应侧以及第一和第二下金属箔表面之间的第一和第二箔水平过渡区(111，112)。该箔喷嘴可以配置为圆柱形，喇叭形或波状喇叭形。(103)。该联接装置包括箔喷嘴，该箔喷嘴包括内
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公开(公告)号：CN105980879A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201480069593.5
申请日：2014-11-20
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
Abstract: 一种用于阻抗匹配导波雷达(GWR)系统(100)的探针的耦合器件(3、5、6)。馈通(3)用于连接至包括连接至收发器(1)的输出的内导体和连接至外金属套管的外导体的同轴电缆或其它传输线连接器(2)。具有长度从λ/5至λ/2的亚波长同轴传输线(CTL)(5)耦合至馈通，其包括连接至馈通内导体的内导体和连接至外金属套管的外导体。具有长度为2λ±百分之二十的多个金属指(7)的模式转换器(MC)(6)被连接至亚波长CTL的外导体，其中MC包括连接至亚波长CTL的内导体的其内导体上的介电涂层(58)。
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