公开(公告)号：CN100443263C

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200310120349.0

申请日：2003-11-05

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 志保浩司 ,  青井裕美 ,  长谷川亨 ,  川桥信夫

IPC: B24B37/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/24 ,  B24D3/32 ,  B24D3/344 ,  C09K3/1436

Abstract: 本发明所涉及的抛光垫含有一种不溶于水的基质材料，该材料含有交联聚合物如交联的1，2-聚丁二烯，和分散在该不溶于水的基质材料中的水溶性粒子如糖类。水溶性粒子在水中的溶解度在25℃时为0.1-10重量%，当抛光垫浸入水中时水溶性粒子从该垫中洗脱出的量在25℃时为0.05-50重量%。另外，在本发明所涉及的抛光垫中，水溶性粒子在水中的溶解度在25℃、pH值为3到11时为0.1-10重量%，并且在25℃，pH值为3-11时的溶解度为在25℃、pH为7条件下该粒子在水中溶解度的±50%以内。另外，这些水溶性粒子含有氨基、环氧基、异氰脲酸酯基等基团。即使是使用pH不同的浆液，该抛光垫具有良好的浆液保留能力，同时也具有极好的抛光性能如抛光率和平整度。

公开(公告)号：CN100366694C

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200310104711.5

申请日：2003-10-31

Applicant: JSR株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 西元和男 ,  坂野达章 ,  竹村彰浩 ,  服部雅幸 ,  川桥信夫 ,  宫下直人 ,  重田厚 ,  松井嘉孝 ,  井田和彦

IPC: C09G1/04

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  H01L21/02024

Abstract: 本发明提供了一种使所要抛光的表面平面化和具有高储存稳定性的用于化学机械抛光的水分散体，一种在抛光不同材料的表面时具有优异的选择性的化学机械抛光工艺，和一种半导体设备生产工艺。第一水分散体包含水溶性季铵盐，无机酸盐，磨料颗粒和水介质。第二水分散体包含至少一种水溶性季铵盐，非水溶性季铵盐的另一碱性有机化合物，无机酸盐，水溶性聚合物，磨料颗粒和水介质。第二水分散体由通过将水溶性季铵盐和无机酸盐混入水介质而得到的第一水分散体材料(I)，和通过将水溶性聚合物和非水溶性季铵盐的另一碱性有机化合物混入水介质而得到的第二水分散体材料(II)组成。磨料颗粒包含在至少一种水分散体材料中。

公开(公告)号：CN1276051C

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200410055263.9

申请日：2004-07-01

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 服部雅幸 ,  川桥信夫

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/302

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02

Abstract: 公开了一种水分散体，其包含(A)磨料粒，(B)选自2-溴-2-硝基-1，3-丙二醇，2-溴-2-硝基-1，3-丁二醇，2，2二溴-2-硝基乙醇和2，2-二溴-3-次氮基丙酰胺中的至少一种化合物，和(C)一种不同于组分(B)中化合物的有机组分。该水分散体即使储存后或在中性pH范围内使用也没有腐败的问题，以及特别应用于半导体器件制造的STI方法中时生产出几乎没有凹痕或划痕的极好的抛光表面。

公开(公告)号：CN1699019A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510078823.7

申请日：2005-04-21

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 保坂幸生 ,  下山裕司 ,  志保浩司 ,  川桥信夫

IPC: B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/04 ,  B24B37/042

Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨垫及其制造方法和化学机械研磨方法，该化学机械研磨垫的研磨面由算术表面粗糙度(Ra)为0.1～15μm、10点平均高度(Rz)为40～150μm、核心粗糙深度(Rk)为12～50μm、且衰减峰高度(Rpk)为7～40μm的表面构成。利用该垫，即使在对大孔径晶片的被研磨体进行化学机械研磨的情况下，也能形成具有优良表面均匀性和平坦性的被研磨面。

公开(公告)号：CN1569398A

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN200410038714.8

申请日：2004-04-22

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 青井裕美 ,  志保浩司 ,  长谷川亨 ,  川桥信夫

IPC: B24B37/04 ,  B24B49/12 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/205

Abstract: 一种研磨垫，一种层合研磨垫以及半导体晶片抛光方法，它们都防止浆料从研磨基材和窗口元件之间的间隙中泄漏和因刮伤而造成的抛光效率降低，并能有效进行抛光终点光学检测。该研磨垫包含具有从前侧延伸向背侧的通孔的研磨基材以及安置于该通孔中的光透射元件，并且上述光透射元件的外壁和与该外壁相对的通孔的内壁用可光固化粘合剂(如聚氨酯(甲基)丙烯酸酯)粘合在一起，以在通孔中固定上述光透射元件。

公开(公告)号：CN1495244A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN03151489.8

申请日：2003-08-01

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 金野智久 ,  元成正之 ,  服部雅幸 ,  川桥信夫

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/302 ,  B24B1/00 ,  B24B37/00

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明提供了一种用于化学机械抛光的水分散体。通过它，即使对具有低机械强度绝缘体的待抛光器件也能减少划痕，铜膜和阻挡金属膜都能得到高效抛光，并在不过度抛光绝缘体的情况下，得到具有高精确度且足够平整的精加工表面，本发明还提供了半导体设备的生产方法。用于化学机械抛光的水分散体包括磨料颗粒，其中磨料颗粒包括(A)由选自于无机颗粒和有机颗粒中的至少一种组成的简单颗粒和(B)复合颗粒。简单颗粒(A)优选由无机颗粒组成，复合颗粒(B)优选由通过有机颗粒与无机颗粒整体结合而形成的无机有机复合颗粒组成。半导体设备的生产方法包括使用抛光用水分散体对半导体材料待抛光表面进行抛光的步骤。

公开(公告)号：CN1550288B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200410043098.5

申请日：2004-04-09

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 保坂幸生 ,  志保浩司 ,  长谷川亨 ,  川桥信夫

IPC: B24B37/04 ,  B24D3/00 ,  H01L21/304 ,  C08J5/14

CPC classification number: B24B37/205 ,  B24D18/0009

Abstract: 一种能透射用于终点探测的光而不减小使用光学终点探测装置的半导体晶片的抛光中的抛光效率的研磨垫，一种制造该研磨垫的方法，一种用于制造研磨垫的金属模以及一种抛光半导体晶片的方法。该研磨垫包括研磨基底和透光组件。透光组件包括交联聚合物如交联的1，2-聚丁二烯和分散在交联聚合物中的水溶性物质如β-环糊精。由于透光组件和研磨基底熔合在一起作为集成单元，研磨垫在使用期间，浆料不会渗漏到研磨垫的背面。该制造方法包括在用于夹物模压的金属模中设置透光组件以及在该模子中交联用于形成研磨基底的基质分散体。使用该研磨垫的抛光方法采用光学终点探测装置。

公开(公告)号：CN100516157C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN03122045.2

申请日：2003-04-22

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 服部雅幸 ,  安藤民智明 ,  西元和男 ,  川桥信夫

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/3105

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明提供了一种化学机械研磨用水分散体，它难以腐败、几乎不引起划伤、仅产生少量凹坑、而且适合于用在半导体设备生产过程中的层间电介质的微隔离步骤或平面化步骤中。该化学机械研磨用水分散体含有处在水性介质中的二氧化铈颗粒；由具备在环上带有氮原子和硫原子的杂环结构的化合物，如异噻唑酮化合物构成的防腐剂；以及有机成分如有机磨粒，它由树脂颗粒、由具有特定分子量的水溶性聚合物或类似物构成的分散剂、表面活性剂和/或有机酸或其盐组成。以水性介质、二氧化铈颗粒、防腐剂和有机成分的总比例为100%质量计，二氧化铈颗粒、防腐剂和有机成分的含量分别为0.1-20%质量、0.001-0.2%质量和0.1-30%质量。该水分散体的pH值可以保持在中性范围内。

公开(公告)号：CN100505171C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200410045708.5

申请日：2004-05-21

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 保坂幸生 ,  志保浩司 ,  长谷川亨 ,  川桥信夫

IPC: H01L21/304 ,  B24D3/00 ,  B24B37/04

CPC classification number: B24B37/26

Abstract: 在非-抛光表面上包括凹入部分的抛光垫。该抛光垫可以防止物体的被抛光表面被擦伤。

公开(公告)号：CN100424830C

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200480000983.3

申请日：2004-04-23

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 志保洁司 ,  保坂幸生 ,  长谷川亨 ,  川桥信夫

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B24B37/205

Abstract: 本发明的一个目的是提供用于半导体晶片的抛光垫和用于抛光半导体晶片的层叠体，以及利用所述抛光垫和层叠体对半导体晶片进行抛光的方法，装备所述抛光垫和层叠体可以在不降低抛光性能的情况下进行抛光。本发明的抛光垫包含用于抛光垫的提供有从表面穿透至背部的通孔的衬底(11)、和安装在所述通孔中的透光部件(12)其中所述透光部件包含一种非水溶性基体材料(1，2聚丁二烯)和分散在所述非水溶性基体材料中的一种水溶性颗粒(β-环糊精)，并且基于所述非水溶性基体材料和所述水溶性颗粒的总量体积100%，所述水溶性颗粒的体积百分含量小于5%。此外，本发明的用于抛光的层叠体包含所述抛光垫的背面上的支撑层。这些抛光垫和用于抛光的层叠体可包含背面上的固定层(13)。