公开(公告)号：CN111630050A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201880086915.5

申请日：2018-12-18

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 ,  三星SDI株式会社

Inventor： 本杰明·舒尔策 ,  安斯加尔·维尔纳 ,  伊莱纳·加兰 ,  雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 ,  黄强 ,  张起砲 ,  金亨宣

IPC: C07D405/04 ,  C07D409/04

Abstract: 本发明涉及适合用作电子器件的层材料的式1的三嗪化合物，并且涉及包含至少一种式1的化合物的有机半导体层，以及涉及包含至少一个有机半导体层的有机电子器件，及其制造方法。

公开(公告)号：CN110869353A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201880033909.3

申请日：2018-05-18

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司

Inventor： 沃洛季米尔·森科维斯基 ,  雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 ,  本杰明·舒尔策 ,  卡斯滕·洛特

IPC: C07D239/26 ,  C07D239/74 ,  C07D251/14 ,  C07D403/10 ,  C07D405/10 ,  C07D409/14 ,  C07D417/14 ,  C07F9/53

Abstract: 本发明涉及一种式1化合物和包含有机半导体层的有机电子器件，其中至少一个有机半导体层包含式(1)化合物，其中L1具有式(2)且L2具有式(3)，其中L1和L2在“*”处通过单键独立地键合至Ar1的同一个或不同的芳亚基或杂芳亚基；且其中X1、X2独立地选自O、S和Se；Ar1选自取代或未取代的C20至C52芳亚基或C14至C64杂芳亚基，其中取代的C20至C52芳亚基或C14至C64杂芳亚基的取代基独立地选自C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、CN、卤素、OH、C6至C25芳基和C2至C21杂芳基；R1、R2独立地选自取代或未取代的C1至C16烷基，其中取代的C1至C16烷基的取代基选自C6至C18芳亚基或C2至C12杂芳亚基；R3、R4独立地选自取代或未取代的C1至C16烷基，取代或未取代的C6至C18芳亚基、C2至C20杂芳亚基，其中取代的C1至C16烷基的取代基，取代的C6至C18芳亚基、C2至C20杂芳亚基的取代基独立地选自C6至C18芳亚基或C2至C12杂芳亚基；n选自1至5，其中n是整数。

公开(公告)号：CN119896081A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202380066252.1

申请日：2023-09-18

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司

Inventor： 弗拉迪米尔·乌瓦罗夫 ,  皮尔马里亚·平特 ,  雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 ,  托马斯·罗泽诺 ,  斯特芬·维尔曼 ,  乌尔里希·赫格曼

IPC: H10K85/30 ,  H10K85/60 ,  H10K50/19

Abstract: 本发明涉及一种包含电荷产生层的有机电子器件。特别涉及一种有机电子器件，所述有机电子器件包含阳极层、阴极层、空穴注入层、第一发光层和电荷产生层，其中所述电荷产生层包含n型电荷产生层和p型电荷产生层。

公开(公告)号：CN119488002A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202380051225.7

申请日：2023-06-01

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司

Inventor： 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 ,  本杰明·舒尔策 ,  托马斯·罗泽诺 ,  马克斯·皮特·纽伦 ,  雅各布·亚切克·乌达尔奇克

IPC: H10K50/19 ,  H10K85/60 ,  H10K101/30

Abstract: 本发明涉及包含式(I)的化合物和式(II)的化合物的电致发光器件，以及包含有机电致发光器件的显示装置。#imgabs0#

公开(公告)号：CN118632831A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202380019605.2

申请日：2023-02-01

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司

Inventor： 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 ,  马克斯·皮特·纽伦 ,  皮尔马里亚·平特 ,  本杰明·舒尔策 ,  雅各布·亚切克·乌达尔奇克

IPC: C07C255/51 ,  C07D213/26 ,  C07D213/85 ,  C07D239/26 ,  H10K50/10

Abstract: 本发明涉及一种用于有机电子器件中的式(I)的化合物，包含该式(I)的化合物的有机半导体层，包含该有机半导体层的有机电子器件，以及包含该有机电子器件的显示装置。其中R1、R2、R3和R4独立地选自F、Cl、CN或CF3；R'选自式(II)；R”选自式(III)；R5选自取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基或CN；并且“*”表示结合位置。#imgabs0#

公开(公告)号：CN117460716A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202280039262.1

申请日：2022-06-15

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司

Inventor： 弗拉迪米尔·乌瓦罗夫 ,  乌尔里希·黑格曼 ,  斯特芬·维尔曼 ,  雷吉娜·卢舍蒂尼特兹

IPC: C07D213/61 ,  C09B57/10 ,  C09B57/00 ,  C09K11/06 ,  H10K85/30 ,  H10K50/15 ,  C07D209/86

Abstract: 本发明涉及一种有机电致发光器件，包含基底、阳极层和阴极层、至少一个发光层以及至少一个半导体层或更多个半导体层，其中所述至少一个半导体层包含至少一种金属有机化合物，所述金属有机化合物包含金属M和至少一个配体L，其中所述配体L优选为4‑(2,4‑二氧代戊‑3‑基)‑2,6‑双(三氟甲基)苯甲腈(I)，并且所述金属有机化合物优选为双(三氟甲基)苯基)‑4‑氧代戊‑2‑烯‑2‑基)氧基)铜(II)(G1)或相应的铝(III)和铁(III)络合物。包含所述金属有机化合物的有机电致发光器件的技术数据示于表3中。

公开(公告)号：CN110869353B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN201880033909.3

申请日：2018-05-18

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司

Inventor： 沃洛季米尔·森科维斯基 ,  雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 ,  本杰明·舒尔策 ,  卡斯滕·洛特

IPC: C07D239/26 ,  C07D239/74 ,  C07D251/14 ,  C07D403/10 ,  C07D405/10 ,  C07D409/14 ,  C07D417/14 ,  C07F9/53

Abstract: 本发明涉及一种式1化合物和包含有机半导体层的有机电子器件，其中至少一个有机半导体层包含式(1)化合物，其中L1具有式(2)且L2具有式(3)，其中L1和L2在“*”处通过单键独立地键合至Ar1的同一个或不同的芳亚基或杂芳亚基。

公开(公告)号：CN116076169A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202180044230.6

申请日：2021-06-18

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司

Inventor： 马克斯·皮特·纽伦 ,  本杰明·舒尔策 ,  雅各布·亚切克·乌达尔奇克 ,  雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 ,  托马斯·罗泽诺

IPC: H10K85/60 ,  H10K50/17 ,  H10K50/16 ,  H10K50/15

Abstract: 本发明涉及一种用于有机电子器件中的式(I)的化合物、一种包含式(IV)的化合物和至少一种式(IVa)至(IVd)的化合物的组合物、一种包含所述化合物或组合物的有机半导体层、一种包括所述有机半导体层的有机电子器件、以及一种包括所述有机电子器件的显示器件。

公开(公告)号：CN113646916A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202080019064.X

申请日：2020-02-05

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司

Inventor： 沃洛季米尔·森科维斯基 ,  皮埃尔·塞登格兰兹 ,  彼得·罗巴斯奇克 ,  乌尔里希·登克尔 ,  斯特凡·左特 ,  安妮·法德尔 ,  马丁·安曼 ,  雷吉娜·卢舍蒂尼特兹

IPC: H01L51/54

Abstract: 本发明涉及一种制备有机半导体层的方法，其包括以下步骤：a)在第一真空热蒸发源中提供第一组合物，所述第一组合物包含aa)第一有机化合物，所述第一有机化合物包含至少一个未取代或取代的C10‑C30稠合芳基基团和/或至少一个未取代或取代的C3‑C30杂芳基基团，其中所述一个或多个取代基，如果存在，则选自以下：(i)氘，(ii)卤素，(iii)C1至C22甲硅烷基基团，(iv)C1至C30烷基基团，(v)C1至C10烷基甲硅烷基基团，(vi)C6至C22芳基甲硅烷基基团，(vii)C3至C30环状烷基基团，(viii)C2至C30杂环状烷基基团，(ix)C6至C30芳基基团，(x)C2至C30杂芳基基团，(xi)C1至C30全氟烃基基团，或(xii)C1至C10三氟烷基基团，其中所述第一有机化合物具有i)在≥0德拜且≤2德拜范围内的偶极矩；ii)在≥400且≤1,800范围内的分子量；和bb)金属硼酸盐化合物；b)在真空室中使所述第一组合物从固相转变成气相；以及c)将所述第一组合物沉积在基底上以形成所述有机半导体层；还涉及其中使用的组合物和通过所述方式制备的有机电子器件。

公开(公告)号：CN109314191B

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201780029624.8

申请日：2017-04-07

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司

Inventor： 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 ,  弗朗索瓦·卡尔迪纳利 ,  朱莉恩·弗雷 ,  多玛果伊·帕维奇科

IPC: H01L51/54 ,  C07F9/53

Abstract: 本发明涉及一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包含阳极，阴极，至少一个发光层和有机半导体层，其中所述有机半导体层布置在所述阳极与所述阴极之间，并且所述有机半导体层包含碱金属有机络合物和式1化合物，其中X选自O、S或Se；并且R1和R2独立地选自C6至C18芳基基团和C5至C18杂芳基基团，其中R1和R2中的每一个可独立地是未被取代的或被至少一个C1至C12烷基基团或C1至C12烷氧基基团，优选C1至C4烷基基团或C1至C4烷氧基基团取代；并且各R3、R4、R5和R6独立地选自H、C1至C12烷基基团或C1至C12烷氧基基团，优选H、C1至C4烷基基团或C1至C4烷氧基基团；并涉及制备所述有机发光二极管的方法以及所述有机发光二极管中包含的式1化合物。