星载对地和星间传输频率可控的Ka频段微波直接调制装置

    公开(公告)号:CN116961722A

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN202310640252.X

    申请日:2023-05-31

    Abstract: 本发明公开了一种星载对地和星间传输频率可控的Ka频段微波直接调制装置:供电遥控遥测单元用于控制开关机、提供二次电及产生遥测信号;晶振参考单元用于产生晶振参考信号;载波产生单元用于产生可控频率的Ka频段载波信号;功分匹配单元用于将载波信号功分两路送入两个射频通道单元;基带处理单元用于输出模拟基带信号给第一射频通道单元和第二射频通道单元;射频通道单元和第二射频通道单元用于实现宽温度范围内功率的稳定输出。本发明实现了多种调制速率及载波频率可设置,多种载波直调方式灵活配置,降低了低轨卫星多个通道独立实现对地和星间传输时带来的多设备布局、安装及布线连接等方面负担,以及重量和功耗方面的消耗。

    一种微波低气压放电的分析方法

    公开(公告)号:CN113919191A

    公开(公告)日:2022-01-11

    申请号:CN202110988305.8

    申请日:2021-08-26

    Abstract: 一种微波低气压放电的分析方法,针对微波低气压放电对场敏感且电子雪崩效应明显的特点,采用时域有限差分法精确计算微波场分布,再联合粒子连续性方程流体模拟微波场环境下低气压放电的过程,能够通过控制电磁场计算的精确度保证了放电分析的精度,通过流体算法,解决了带电粒子数目繁多时微波低气压放电计算效率较低的难题。

    一种基于FPGA的多片高速DAC同步系统

    公开(公告)号:CN113708764A

    公开(公告)日:2021-11-26

    申请号:CN202110871509.3

    申请日:2021-07-30

    Abstract: 本发明公开了一种基于FPGA的多片高速DAC同步系统,包括:同步检测模块,用于对若干片高速DAC器件进行同步性检测,根据同步性检测结果,生成并输出复位使能信号;以及,生成并输出相位调整信号;DAC复位模块,用于复位信号RST的产生与相位调整;数据相位调整模块,用于根据相位调整信号对各高速DAC器件的输入数据进行相位调整;采样时钟产生模块,用于产生各高速DAC器件的采样时钟和FPGA的数据时钟;高速DAC器件,用于在相位调整后的复位信号的驱动下进行复位;以及,在采样时钟控制下,对相位调整后的输入数据进行数模转换后输出。本发明实现了多片高速DAC器件的快速同步,实时保证高速DAC器件对输入数据的正确采样。

    一种无源互调抑制同轴连接器

    公开(公告)号:CN107104332B

    公开(公告)日:2019-07-12

    申请号:CN201710179476.X

    申请日:2017-03-23

    Abstract: 本发明公开了一种无源互调抑制同轴连接器,该电连接器阴头内导体的内侧或者阳头内导体外侧上均匀平整镀覆内导体介质层,使得阳头内导体与阴头内导体之间不存在金属接触;阴头外导体和/或阳头外导体端部从内至外镀覆有外导体介质层,使阴头外导体与阳头外导体之间不存在金属接触。所述内导体介质层和外导体介质层材料为硅、硅类化合物、聚碳酸酯类材料或者聚合物材料。该连接器可以实现无源互调抑制,具有稳定性高、无源互调抑制效果显著等特点,满足航天器及地面通信系统的低无源互调要求,具有广泛的工程应用前景。

    一种低无源互调波导法兰及设计方法

    公开(公告)号:CN108649306A

    公开(公告)日:2018-10-12

    申请号:CN201810267061.2

    申请日:2018-03-28

    Abstract: 本发明公开一种低无源互调波导法兰及设计方法,通过在常规法兰面上设计周期性金属凸体,与另一法兰面以一定间距排列构成非接触结构,通过对金属凸体尺寸及法兰间距等参数进行设计计算,获得合适的电磁禁带特性,实现对法兰间隙中电磁波泄露的抑制,结合机械连接结构形成内部非接触的波导法兰。本发明所提低无源互调波导法兰,通过构造非接触电磁带隙结构,在不影响波导间电磁波传输的前提下实现了法兰内部非接触,消除了接触非线性,有效抑制了无源互调效应,且降低了对材料、电镀、加工及装配工艺的要求。同时本发明所提低无源互调波导法兰具有很宽的工作带宽,可完全覆盖相应的波导工作带宽,可应用于各种大功率低互调微波部件及测试系统中。

    一种基于时域有限差分的微波部件无源互调数值分析方法

    公开(公告)号:CN105069247B

    公开(公告)日:2018-05-01

    申请号:CN201510519174.3

    申请日:2015-08-21

    Abstract: 一种基于时域有限差分的微波部件无源互调数值分析方法,提出引入微波部件金属接触处的微观形貌和接触状态的金属接触非线性模型的方法,实现了考虑金属接触非线性的微波部件的电磁场分析,再采用时域有限差分法计算了不考虑金属接触非线性的微波部件输出端口的电磁场,将两个信号进行时域对消,降低了数值计算误差的干扰,突出了无源互调小信号,使得微波部件的无源互调产物的计算结果更加精确,解决了微波部件无源互调缺乏数值分析手段的难题。

    一种确定不同压强下接触界面收缩电阻的方法

    公开(公告)号:CN106501606A

    公开(公告)日:2017-03-15

    申请号:CN201610841946.X

    申请日:2016-09-22

    CPC classification number: G01R27/02

    Abstract: 一种确定不同压强下接触界面收缩电阻的方法,它包括通过测量仪器对接触界面进行局部统计观察,获得表征实际表面形貌的微凸体的信息,包括微凸体高度数量分布形式、微凸体高度标准差、微凸体面密度、微凸体曲率半径,使用这些信息最终得到接触界面在不通过压强下的收缩电阻。本发明能够跟踪获得表面的每一个微凸体的在不同压强下的状态及变化信息,可适用于任何形式的微凸体高度分布,不仅能计算的直流情况的收缩电阻,也能计算交流情况的接触界面的收缩电阻。本发明的结果可用于微波部件接触界面的等效电路模型的研究,为研究微波部件无源互调的非线性机理提供支撑。

    一种确定微波部件金属表面二次电子发射系数的方法

    公开(公告)号:CN103196932B

    公开(公告)日:2014-11-19

    申请号:CN201310060163.4

    申请日:2013-02-26

    Abstract: 一种确定微波部件金属表面二次电子发射系数的方法,步骤为:(1)设定入射电子的初始状态;(2)改变入射电子的初始能量,统计不同入射能量下的出射电子数目,获得金属表面的二次电子发射系数;(3)由金属表面微观形貌得到金属表面陷阱结构的分布密度和深宽比;(4)由深宽比和绝对深度建立边界条件,对每次碰撞后的出射电子进行轨迹追踪,判断发生了再次碰撞、被金属壁吸收或者逃逸出陷阱口成为陷阱结构出射的二次电子,最后统计得到陷阱结构口面的二次电子发射系数;(5)结合陷阱结构分布密度和平滑金属表面的二次电子发射系数确定任意的实际金属表面的二次电子发射系数。

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