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公开(公告)号:CN102060981B
公开(公告)日:2012-11-21
申请号:CN201010566229.3
申请日:2007-12-20
Applicant: 第一毛织株式会社
Abstract: 本发明提供了说明书中描述的式3的含芳环的聚合物。本发明还提供了一种具有增透特性的硬掩膜组合物,该组合物含有所述含芳环的聚合物。该硬掩膜组合物适用于平版印刷工艺并且具有优异的光学特性和机械特性。另外,该组合物易于通过旋转涂布技术施用。特别地,该组合物对干蚀刻有很高的抗蚀性。因此,该组合物可用于提供形成高纵横比图案的多层薄膜。
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公开(公告)号:CN102533146A
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201110303308.X
申请日:2011-10-09
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/00 , C09J163/02 , C09J163/04 , C09J163/00 , H01L21/60
CPC classification number: C09J7/0217 , B32B7/06 , B32B27/08 , B32B2255/10 , B32B2255/26 , B32B2255/28 , B32B2307/30 , B32B2405/00 , C08G18/6254 , C08G59/08 , C08G2170/40 , C08L2312/08 , C09J7/22 , C09J7/385 , C09J163/00 , C09J175/04 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , H01L21/6836 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2224/29084 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29388 , H01L2224/32145 , H01L2224/83191 , H01L2224/94 , H01L2924/00013 , H01L2924/061 , H01L2924/0615 , H01L2924/0635 , H01L2924/0665 , H01L2924/0675 , H01L2924/068 , H01L2924/07025 , H01L2924/0705 , Y10T428/28 , Y10T428/31515 , H01L2224/27 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种用于半导体装置的粘合剂膜,所述粘合剂膜包括在0℃至5℃下具有50μm/m·℃至150μm/m·℃的线性膨胀系数的基膜。所述粘合剂膜在低温储存较长时间后具有优异的卷绕形状稳定性,从而在以后的半导体封装工艺中不会导致倾斜现象并降低缺陷。
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公开(公告)号:CN101490621A
公开(公告)日:2009-07-22
申请号:CN200780025924.5
申请日:2007-11-21
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/004
CPC classification number: C08G77/50 , C08L83/14 , G03F7/11 , G03F7/2022 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/0271 , H01L21/31144 , H01L21/3122
Abstract: 本发明提供了一种用于加工抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物。该硬掩模组合物包含有机硅聚合物和溶剂或溶剂混合物,其中有机硅聚合物是在酸催化剂存在下,通过缩聚由以下式1、2和3表示的化合物的水解产物而制备的:[R1O]3S-X (1),其中X是含有至少一个取代或未取代芳环的C6-C30官能团,而R1是C1-C6烷基;[R2O]3S-R3(2),其中R2是C1-C6烷基,而R3是C1-C12烷基;以及[R4O]3S-Y-S [OR5]3(3),其中R4和R5每一个独立地是C1-C6烷基,而Y是选自由取代或未取代的芳环、直链或支链C1-C20亚烷基、含有芳环的C1-C20亚烷基、杂环、主链中的脲基或异氰尿酸酯基和含有至少一个多重键的C2-C20烃基组成的组中的连接基团。该硬掩模组合物表现出优异的膜特性和良好的储存稳定性,并且由于其令人满意的硬掩模特性而可以将良好图案转移到材料层。另外,该硬掩模组合物具有对O2等离子体气体在用于图案化的后续蚀刻的改善的蚀刻抗性。该硬掩模组合物可用来形成高度亲水性薄膜,因而可以有效改善薄膜与覆盖抗反射涂层的界面相容性。本发明还提供了一种使用该硬掩模组合物来生产半导体集成电路器件的方法。
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公开(公告)号:CN101452154A
公开(公告)日:2009-06-10
申请号:CN200810185747.3
申请日:2008-12-08
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G02F1/1337
CPC classification number: G02F1/133723 , C09K19/56 , G02F1/133788 , Y10T428/1005 , Y10T428/1018 , Y10T428/1023
Abstract: 本发明提供一种液晶光取向剂和液晶光取向膜以及包括该膜的液晶显示器,所述液晶光取向剂包括共聚物,所述共聚物选自由包括具有以下通式1的重复单元和以下通式2的重复单元的聚酰胺酸共聚物、包括具有以下通式3的重复单元和具有以下通式4的重复单元的聚酰亚胺共聚物、以及它们的组合构成的组中,其中R1~R8的定义与说明书中相同。所述液晶光取向剂可提高液晶阵列性能、诸如电压保持率、预倾角、残留DC等电学特性、适印性、清洗稳定性和斑点稳定性,且通过紫外光(UV)照射能够使液晶单向取向。
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公开(公告)号:CN101198907A
公开(公告)日:2008-06-11
申请号:CN200580050080.0
申请日:2005-11-22
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11
CPC classification number: G03F7/091 , G03F7/0387 , Y10S430/115
Abstract: 提供了一种用于平版印刷工艺的具有增透特性的硬掩膜组合物及其使用方法和用该方法制成的半导体装置。本发明提供的增透硬掩膜组合物含有:(a)含有第一聚合物和第二聚合物的聚合物混合物,该第一聚合物含有一种或多种如说明书中所述的单体单元,该第二聚合物含有芳基;(b)交联组分:和(c)酸催化剂。
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公开(公告)号:CN1991581A
公开(公告)日:2007-07-04
申请号:CN200610150443.4
申请日:2006-10-27
Applicant: 第一毛织株式会社
Abstract: 本发明提供了一种抗蚀底膜硬掩模层组合物,其中在某些实施方式中,硬掩模层组合物含有(a)由式1的化合物与式2的化合物反应制得的第一聚合物,其中n为3-20的数,R为一价有机基团,m为0、1或2;(b)包括式3-6所示结构中的至少一种结构的第二聚合物;(c)酸性或碱性催化剂;以及(d)有机溶剂。本发明还提供了利用本发明实施方式的硬掩模层组合物制造半导体集成电路装置的方法。另外,本发明还提供了按照本发明方法实施方式制造的半导体集成电路装置。
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公开(公告)号:CN102568656B
公开(公告)日:2016-01-20
申请号:CN201110371020.6
申请日:2011-11-21
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: H05K3/323 , B32B7/02 , B32B27/08 , B32B27/18 , B32B27/26 , B32B27/38 , B32B2250/02 , B32B2250/24 , B32B2264/102 , B32B2264/12 , B32B2307/202 , B32B2307/706 , B32B2457/202 , C08J5/18 , C08J2363/00 , C09J163/00 , G02F1/13452 , H01R4/04 , Y10T428/1055
Abstract: 本发明公开了一种双层各向异性导电膜和包括所述各向异性导电膜的装置,所述双层各向异性导电膜包括含多环芳环的环氧树脂,并在30℃至200℃下具有3000Pa·s至10000Pa·s的最小熔融粘度。
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公开(公告)号:CN102533166B
公开(公告)日:2015-04-15
申请号:CN201110193664.0
申请日:2011-07-05
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J133/00 , C09J163/00 , C09J11/06 , C09J7/00 , H01L21/68 , H01L21/56
Abstract: 本发明在此公开了一种用于半导体组装的包括丙烯酸类树脂、环氧树脂、芳族胺固化剂、填料和硅烷偶联剂的粘结膜组合物。所述粘结膜组合物通过降低固化反应速率来保持固化循环后的低熔融粘度和高残留固化比,使得在用环氧模制化合物(EMC)的模制工艺中去除空隙而保证高可靠性。本发明还公开了一种由所述粘结膜组合物形成的用于半导体组装的粘结膜。
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