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公开(公告)号：CN115015249A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210599197.X
申请日：2022-05-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于纳米光学领域，具体涉及一种基于非手性纳米结构的手性分子传感器。本发明通过将纳米结构周期性地排列在透明衬底上。通过改变入射线偏振光的偏振方向与纳米结构长轴方向的夹角θ来实现对近场超手性场的调控，进而传感手性分子，工作在近红外波段。本发明采用非手性结构，可有效避免结构手性对手性分子信号的影响，在生物制药和生物医学等领域具备潜在的应用前景。并且本发明结构简单，制备方便；为亚波长结构，利于器件的小型化与集成化；采用线偏振光，光路简单，设备成本低。
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公开(公告)号：CN112921273B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202110079670.7
申请日：2021-01-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于热辐射技术领域，具体为一种基于相变材料二氧化钒的动态热辐射制冷器件。本发明基于经典的金属‑介质‑金属超表面结构设计，引入过渡介质层有效提高了相变材料二氧化钒薄膜的附着力，并通过介质层材料的选择调控整个器件与室温下黑体辐射率的峰值相对应，有效解决了当前热辐射制冷器件存在的制冷效果相对较差的技术问题。本发明在温度较高时通过中红外8‑14μm大气窗口对外辐射能量，并且反射太阳光，而在温度较低时几乎不对外辐射能量，达到智能控温、动态制冷的功能；具有智能动态控温，结构简单，便于大面积制备，零能耗，极化不敏感等特点；对解决过度制冷问题、缓解城市热岛效应有重要意义，且在红外伪装等领域也具有应用潜力。
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公开(公告)号：CN109001918B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201810770901.7
申请日：2018-07-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种基于高迁移率TCO薄膜的低损耗光波导移相器。该器件基于光波导平台制备，从下至上依次为基底、脊型硅波导、二氧化铪层、电光功能材料层和二氧化铪包层以及设置于电光功能材料层表面和硅表面的电极。电光功能材料层为迁移率大于200cm2V‑1s‑1的TCO薄膜。本发明的器件基于光波导平台，将用于光开关调制器迁移率大于200cm2V‑1s‑1的TCO薄膜作为电光功能材料层，实现了电光移相的硅波导移相器与硅制备工艺兼容，调制速率可达100GHz以上，插入损耗3dB以下。
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公开(公告)号：CN111198414A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN202010031484.1
申请日：2020-01-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及非互易超构表面，具体涉及一种自偏置的磁光非互易超构表面器件。本发明通过将亚波长尺寸的硬磁材料结构层按矩阵周期排列在微波频段折射率为1～5的材料层上，通过改变结构层的结构单元的长宽高实现对电磁波的相位和振幅的调控，只需一次磁化，无需持续外加磁场。最终本发明基于磁光效应通过高矫顽力的硬磁材料实现了自偏置的磁光效应非互易器件；且采用亚波长尺寸的结构，利于器件的小型化和集成化。在雷达屏蔽(单向透射)、自由空间隔离器、非互易透镜、非互易全息成像等领域有着重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN109001918A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810770901.7
申请日：2018-07-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种基于高迁移率TCO薄膜的低损耗光波导移相器。该器件基于光波导平台制备，从下至上依次为基底、脊型硅波导、二氧化铪层、电光功能材料层和二氧化铪包层以及设置于电光功能材料层表面和硅表面的电极。电光功能材料层为迁移率大于200cm2V-1s-1的TCO薄膜。本发明的器件基于光波导平台，将用于光开关调制器迁移率大于200cm2V-1s-1的TCO薄膜作为电光功能材料层，实现了电光移相的硅波导移相器与硅制备工艺兼容，调制速率可达100GHz以上，插入损耗3dB以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107678190A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710933019.5
申请日：2017-10-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/09
Abstract: 本发明属于磁光器件技术领域，具体为一种全固态的电场可重构磁光器件。本发明采用全固态的结构，使其更易与半导体工艺兼容；利用电场非易失地操控了磁性薄膜的磁光效应，降低了器件的静态功耗；利用可调材料层离子迁移的均匀性，实现了数百微米级范围内的磁光效应的一致操控，解决了基于离子导电细丝机制器件难以等比例缩小的问题；采用分离开来的可调材料层与磁性介质层，实现了电场操控一大类磁性绝缘体或半导体的磁光效应。最终本发明在一种器件中同时实现了：全固态的结构；电场非易失地操控磁光效应；大面积操控磁性薄膜的磁光效应；普适化操控多种磁性绝缘体或半导体的磁光效应。
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公开(公告)号：CN111272666B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202010122467.9
申请日：2020-02-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及光学传感领域，具体涉及一种基于磁光表面等离激元共振的生物蛋白传感器，具有周期性孔洞结构。本发明器件实现对P偏振光响应工作，当电磁波斜入射到器件表面激发六方周期孔洞结构SPP模式，由于表面等离激元对介质环境具有较高的敏感性，在滴加不同浓度BSA生物蛋白条件下器件SPP模式发生移动。同时利用Ce:YIG材料的磁光性能，外加横向磁场(外磁场方向垂直于入射面)，通过器件表面SPP模式的激发增强TMOKE，根据TMOKE峰位的移动探测BSA的浓度关系。主要应用于生物蛋白质检测、折射率传感器。
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公开(公告)号：CN113671630A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110794542.0
申请日：2021-07-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种基于硅基集成的平面超透镜结构非互易光路由器。本发明通过对每一路输入波导进行相位设计，使其形成特定的相位差，在平面超透镜中所需方向上进行相长干涉并输出；同时磁光波导带来的非互易移相效应能够使得反向传输信号在不同于输入端口的其他端口进行传输，从而实现了在多端口间同时进行正反向非互易光传输的功能。并且通过透镜聚焦进行端口选择的方法使得端口拓展不再需要器件的级联。最终本发明大大拓展了传输状态，有效避免了因多端口器件级联导致的器件尺寸大等问题。
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公开(公告)号：CN109979811B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201910211530.3
申请日：2019-03-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于材料领域，具体涉及一种钽掺杂二氧化铪新型铁电材料的制备方法。本发明首次提出了施主掺杂，为制备HfO2铁电薄膜材料提供了一种新的路径；采用Pt电极避免了Ta掺杂HfO2材料与电极材料的反应，利用脉冲激光沉积、快速退火等方式获得了施主Ta掺杂的HfO2铁电薄膜，证明了施主元素也可用于通过掺杂促使HfO2薄膜产生铁电性。施主掺杂HfO2铁电薄膜的实现，可以帮助我们了解掺杂元素化合价对HfO2薄膜铁电性的影响，对更好地应用HfO2铁电薄膜产生积极的推动作用。
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公开(公告)号：CN111505766B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202010380891.3
申请日：2020-05-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02B6/12 , G02B6/122 , G02F1/095 , G01S17/02 , G01S7/4913 , G01S7/4861 , G01S7/481 , G01S7/48
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种基于硅基集成磁光环行器的光学全双工收发组件。本发明中的硅基集成磁光环行器件结构采用硅基集成的马赫‑曾德尔干涉结构或硅基集成的微环结构，结合互易与非互易移相对收发信号的相位进行调控，达到分离收发信号的目的。最终本发明大大降低了整体组件的尺寸及制备成本，改善了整体组件对回波信号的耦合性能；有效规避了在分立光学探测组件中存在的装调误差和低信噪比等问题，并提供了硅基集成磁光环行器、激光器、光探测器和激光天线一起集成的更优的技术方案，可以显著提高激光雷达等激光主动探测系统的性能，对降低系统的体积、重量、成本，具有重要意义。
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