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公开(公告)号:CN104966673A
公开(公告)日:2015-10-07
申请号:CN201510393302.4
申请日:2015-07-07
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/321 , H01L21/314
CPC classification number: H01L29/66477 , H01L21/321
Abstract: 本发明公开了一种改善Al2O3/InP MOS电容界面特性及漏电特性的界面钝化方法。该方法包括对衬底表面进行N2等离子体处理步骤和栅介质沉积步骤,所述对衬底进行N2等离子体处理步骤和栅介质沉积步骤均在TFS 200原子层沉积系统中进行,其中:对衬底表面进行N2等离子体处理步骤是将衬底置于TFS 200原子层沉积系统的腔体中,利用TFS 200原子层沉积系统自带的等离子体发生器产生N2等离子体对衬底表面进行N2等离子体处理;栅介质沉积步骤是将N2等离子体处理后的衬底在原位沉积栅介质。采用该方法可以有效钝化边界缺陷及Al2O3/InP界面的界面缺陷,还可以降低栅漏电流。
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公开(公告)号:CN104617019A
公开(公告)日:2015-05-13
申请号:CN201510058652.5
申请日:2015-02-04
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: H01L22/12 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开一种GaAs衬底MHEMT栅凹槽腐蚀监控方法,其采用电子束光刻胶做掩膜,对样品进行不同栅长阵列曝光,显影出需要腐蚀的栅凹槽条,将样品分裂成6个小样品分别对其不同时间的栅凹槽腐蚀实验,利用原子力显微镜测试腐蚀栅凹槽的深度,利用扫描电子显微镜观察栅凹槽表面腐蚀形貌的平整度,达到快速找出对应不同栅长下的最佳腐蚀时间,实现简单的栅凹槽腐蚀监控。本发明具监控精确、直观形象、对器件影响小和适用范围广的特点,改善了以往一直以来利用电流曲线监控栅凹槽腐蚀的不足。
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公开(公告)号:CN119644616A
公开(公告)日:2025-03-18
申请号:CN202411886792.7
申请日:2024-12-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及电光调制器技术领域,具体涉及一种下沉式双层电极铌酸锂电光调制器,包括衬底、氧化层、光波导、过渡层和金属电极;所述衬底位于最下方,所述氧化层位于所述衬底的顶部,所述光波导、过渡层和金属电极均设置在所述氧化层的上方,光波导为X型切割LN薄膜,采用传统的脊状结构,金属电极为双层电极结构,包括一层的行波电极与二层的T型结构电极,可有效降低损耗,提高调制效率。为了减少光吸收损耗,使用0.2um的二氧化硅过渡层分隔金属电极和光波导,金属电极沿光波导的Z轴排列,下沉式双层电极铌酸锂电光调制器在0.14dB/cm的光吸收损耗下实现了1.52V·cm的半波电压长度积,对电光调制器的设计具有重要的指导意义。
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公开(公告)号:CN117497593A
公开(公告)日:2024-02-02
申请号:CN202311460353.5
申请日:2023-11-06
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开一种高密度倾斜沟道功率半导体器件,在现有功率半导体器件的沟道区内开设有至少一个倒V形的嵌入槽;嵌入槽纵向贯通沟道区,即嵌入槽的上表面与沟道区的上表面相平,嵌入槽的下表面与沟道区的下表面相平;嵌入槽的整个内侧表面覆有绝缘介质,嵌入槽内填充有栅极介质;填充在嵌入槽内的栅极介质形成嵌入栅,嵌入栅的上表面直接与环表面栅连接,嵌入栅的下表面通过绝缘介质与埋氧层连接。本发明利用倒V形的嵌入栅的倾斜交叉结构提高有效沟道长度以及宽度,降低器件的导通电阻,提高整体导通性能,实现沟道区的三维完全包裹。
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公开(公告)号:CN117276316A
公开(公告)日:2023-12-22
申请号:CN202311429491.7
申请日:2023-10-31
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开一种褶皱环栅SOI LDMOS器件,利用环表面栅、埋栅和槽栅共同形成褶皱环栅结构,这样的褶皱环栅结构显著增加了SOI LDMOS器件沟道的有效长度以及宽度,缓解了因沟道长度和宽度的限制所导致的器件的耐压和导通电阻之间的矛盾,在耐压的前提下,有效地降低了器件的导通电阻,提高整体导通性能,同时能够增加电流通量,并提供更好的热传导和散热能力,对于器件性能的改善具有重要意义。此外,该褶皱环栅结构与传统功率集成电路工艺兼容,在一定程度上解决了沟道宽度较小的SOI LDMOS器件在工艺上的挑战,适合SOI智能功率集成电路的发展要求。
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公开(公告)号:CN108306622B
公开(公告)日:2023-09-26
申请号:CN201810384680.X
申请日:2018-04-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提出S波段宽带MMIC低噪声放大器,包括两级放大器:第一级场效应晶体管放大器、第一级栅极偏置网络、第一级漏极偏置网络、与第一级场效应晶体管放大器串联的第一传输线网、第二级场效应晶体管放大器、第二级栅极偏置网络和第二级漏极偏置网络;三级匹配网络:输入级匹配网络、级间匹配网络以及输出级匹配网络。本发明在第二级场效应晶体管源漏级并联负反馈网络,反馈网络的反馈电阻调节了放大器的增益,反馈网络的电容同时调节了信号的幅度和相位,还起到了直流隔离的作用。使得在较宽的频带内保持良好的增益平坦度,显著提高了低噪声放大器的线性度,降低了噪声系数。
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公开(公告)号:CN116590660A
公开(公告)日:2023-08-15
申请号:CN202310524470.7
申请日:2023-05-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种能够增强氧化镓紫外吸光度的制备方法及根据该方法制备的氧化镓材料,先在一衬底上通过磁控溅射的方式生长一层能产生紫外吸收的氧化镓薄膜,对氧化镓薄膜进行退火处理,再将氧化镓薄膜通过磁控溅射的方式生长一层铜薄膜,然后进行快速退火,使得铜薄膜受热量作用而裂成铜纳米粒子。该制备方法利用铜纳米粒子来增强氧化镓的紫外吸光性能,工艺步骤简单,易操作,进而有效降低制备成本,且通过该制备方法制备的氧化镓材料紫外吸光度提升效果显著。
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公开(公告)号:CN106783613B
公开(公告)日:2022-12-13
申请号:CN201710026316.1
申请日:2017-01-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/20
Abstract: 本发明公开一种III‑V族半导体MOSHEMT器件及其制备方法,其组分渐变缓冲层降低III‑V半导体之间晶格失配,减少位错引进的缺陷。同时该器件结构不仅降低MOS界面态密度,并且通过对外延材料采用高In组分In0.7Ga0.3As/In0.6Ga0.4As/In0.5Ga0.5As复合沟道设计以及势垒层和缓冲层平面处的双掺杂设计充分的提高了2‑DEG的浓度与电子迁移率,降低了沟道的方块电阻。本发明具有二维电子气浓度高、沟道电子迁移率大、器件特征频率和振荡频率高和制造工艺简单易于实现等特点。
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公开(公告)号:CN112130238B
公开(公告)日:2022-07-08
申请号:CN202011057874.2
申请日:2020-09-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明涉及一种基于阵列等离子体柱的可调谐光开关,解决的是法诺共振频率不可控和通过几何参数调节法诺共振时出现的可调自由度小的技术问题,从而使得光开关能够在不改变结构几何参数的情况下实现共振峰的连续动态可调,实现多阈值光开关,通过采用包括厚度小于工作波长的超表面,超表面为规则的几何形状,超表面内平行等间距分布有至少3个等离子体柱;等离子体柱的材质为包层石英管和填充的惰性气体;利用米氏散射理论获得单个等离子体柱的米氏散射系数以确定米式共振频率,再阵列等离子体柱获得布拉格散射,使米氏散射与布拉格散射相干涉产生法诺共振现象的技术方案,较好的解决了该问题,可用于光开关领域中。
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公开(公告)号:CN113640251A
公开(公告)日:2021-11-12
申请号:CN202110752420.5
申请日:2021-07-03
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种D型双芯光子晶体光纤双参量等离子体传感器。所述光纤SPR传感器包括具有开口环形通道和曲面侧壁的D型光子晶体光纤;包括纤芯、空气孔、金属膜、TiO2层、温敏介质、液体分析物及完美匹配层。本发明由光子晶体光纤的纤芯和大小一致的空气孔排列而成,基底材料为石英,纤芯的中间的一个空气孔填有温敏介质PDMS,并在其外圈涂有金属薄膜;在开口环形的平面上有金属薄膜与TiO2层。温敏介质的折射率随着温度改变而变化,同时纳米金层表面自由电子共振产生吸收峰,其共振波长会发生偏移,通过观测共振波长的偏移过程实现对温度的传感测量,采用的是表面等离子共振原理。该传感器灵敏度高,检测范围宽,抗腐蚀能力强。
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