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公开(公告)号：CN100547790C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200710163586.3
申请日：2007-10-12
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L21/822 , H01L21/761
Abstract: 公开了一种集成门极换流晶闸管，所述门极换流晶闸管包括n-型衬底，p型掺杂区，n型掺杂区，门极换流晶闸管的阳极p+掺杂区，二极管n+缓冲区，以及门极换流晶闸管的阴极梳条，还包括门极换流晶闸管的阴极和门极，二极管的阳极、门极换流晶闸管的阳极和二极管的阴极，其特征在于：在门极换流晶闸管的门极和二极管的阳极之间的p型掺杂区中具有沟槽，所述沟槽中掺杂n+型隔离环。本发明的集成门极换流晶闸管及其制造方法能够在GCT单元和二极管之间实现有效的隔离。
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公开(公告)号：CN101404273A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810215653.6
申请日：2008-09-08
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H05K1/18
Abstract: 一种半导体器件，包括门极换流晶闸管和印刷电路板；门极换流晶闸管包括阳极端(103)、阴极端(101)、管壳(105)以及由管壳(105)外壁引出的门极引线(111)；门极引线(111)具有安装面(112)；印刷电路板包括安装孔(302)和第一接触电极；门极换流晶闸管插入印刷电路板的安装孔(302)中，并使安装面(112)与第一接触电极接触；门极换流晶闸管还包括由所述管壳(105)外壁引出的且与阴极端(101)电连接的阴极引线(109)；安装孔的周围、与第一接触电极同侧还具有第二接触电极；阴极引线(109)具有安装面，且阴极引线的安装面(110)与第二接触电极接触。本发明的半导体组件组装简单。
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公开(公告)号：CN100474585C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200610032312.6
申请日：2006-09-26
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/082 , H01L21/82 , H01L21/8222
Abstract: 集成门极换流晶闸管中阴极图形的排布方法，阴极梳条采取分区复合方式排布：结合圆周排布和矩形排布各自的优点，在分区内部采用矩形排布，而各个分区之间仍按圆周排布。分区的方式各不相同，有些还充许局部修改梳条的位置或尺寸。所述的分区复合方法是：分区由扇区和环道两重分割形成，其中，所述的分区是一个等腰梯形区，它是梳条的基本排布单元；所述的扇区是将圆面沿径向等分为m个相同面积的扇形区，当m较较低时，接近于矩形排布；当m较高时，接近圆周分布。所述的环道是将圆面按正多边形划分为n个不同面积的同心环形区，这个值与芯片直径和梳条长度的选取有关；n越大，梳条总数越多，对电流有益。
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公开(公告)号：CN101123173A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710035781.8
申请日：2007-09-20
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/306 , C23F1/02
Abstract: 半导体器件芯片台面喷腐方法及装置，在芯片台面喷腐处理时，对芯片上需要保护的表面部分采取遮盖式保护方式，保护芯片上需要保护的表面部分不受损害。通过一套遮盖式保护系统，盖住芯片上需要保护的表面部分，以保证芯片上需要保护的表面部分在喷腐处理时不会有酸液溅浸到芯片中心需要保护的部位。整个装置至少包括一个保护罩，遮盖在芯片台面喷腐处理时，正好盖在芯片中心需要保护的部位，保护罩与芯片一起形成一个密封面，以保证芯片上需要保护的表面部分在喷腐处理时不会受到酸液溅浸。所述的保护罩可以是通过吸附方式吸附在芯片表面上的，也可以是直接通过外力装置紧贴在芯片表面的。
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公开(公告)号：CN1937244A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610032430.7
申请日：2006-10-20
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种阴电极分叉式半导体器件，它包括壳体、阳极、阴极、门电极以及阴电极，所述阳极和阴极分别位于壳体的两端，所述阴电极的一端位于壳体内阳极和阴极之间，另一端从壳体内引出后突出布置于壳体的外侧，所述门电极为门极管，两根或两根以上的门极管的一端位于壳体内阳极和阴极之间，另一端突出布置于壳体的外侧。本发明是一种在保证低感连接的条件下，结构简单紧凑、接口简洁、装配方便的阴电极分叉式半导体器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103346130A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310272369.3
申请日：2013-07-01
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种GCT门极绝缘座及门极组件，所述绝缘座为单向开口的腔体，所述腔体包括内侧壁、外侧壁和底部，所述外侧壁包括若干个间断的外子侧壁，所述内侧壁的内表面和/或所述外侧壁的至少一个外子侧壁的外表面呈阶梯式结构，即该内侧壁的内表面和/或外侧壁的外表面具有至少一个台阶。在GCT元件封装时，与绝缘座配合的内外阴极钼片可以放置在该台阶上，这样不仅可以减小绝缘座与阴极钼片之间的间隙而且可为阴极钼片提供一定的预紧力，从而限定阴极钼片的横向偏动和纵向偏动。通过该台阶对阴极钼片的限制，避免了阴极钼片与绝缘座之间的挤压变形而引发的器件门极和阴极之间的短路，确保了GCT元件的封装合格率。
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公开(公告)号：CN101673761B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200910178577.0
申请日：2009-09-29
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及半导体组件。一种半导体器件，具有相互平行的门极引出电极和阴极引出电极，所述门极引出电极为圆盘形且沿圆周设有第一叉孔，所述阴极引出电极为圆盘形且沿圆周设有分叉结构，所述分叉结构上具有与所述第一叉孔相对应的第二叉孔；或者，所述阴极引出电极为圆盘形且沿圆周设有第一叉孔，所述门极引出电极为圆盘形且沿圆周设有分叉结构，所述分叉结构上具有与所述第一叉孔相对应的第二叉孔。本发明实施例中的半导体器件及组件，不仅使安装门、阴极引出电极时只旋转一个扇段齿位就可以进行固定，安装极为方便，而且使门、阴极引出电极和电路板之间保持较大的接触面积，使GCT元件和电路板之间具有较小的连接电阻和电感。
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公开(公告)号：CN101136378B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200710035711.2
申请日：2007-09-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 一种半导体器件及其封装气密性检测方法及配气装置，包括管壳和管芯，管芯密闭在管壳内，管壳内充有一定压力的气体。管壳内充入的气体是由惰性气体与可检测气体混合的混合气体。半导体器件封装气密性的检测采用混合气体的检测方式。所提供的配气装置包括气体混合容器、惰性气体输入系统、可检测气体输入系统、混合气体输出系统和抽真空系统几部分，其中在混合容器上分别开有惰性气体入口与可检测气体的入口。惰性气体入口与可检测气体的入口可以是分别不同的两个入口，也可以共用一个入口。惰性气体入口与惰性气体输入系统相接；可检测气体的入口与可检测气体输入系统相接。
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公开(公告)号：CN100533669C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200710035980.9
申请日：2007-10-29
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/268
Abstract: 半导体芯片局部电子辐照方法及装置，将芯片置于芯片的电子辐照区内的“电子直线加速器”辐照床上，通过一个分区电子辐照装置，采用局部遮挡电子照射的方法，实现对半导体芯片上的不同区域进行局部电子辐照。所述的局部遮挡电子照射的方法是利用金属挡块可以隔离电子射线的原理，在不需要或需要不同电子辐照剂量电子照射的部分，设置不同厚度的可以隔离电子射线的金属挡块挡住电子辐照的电子射线，实现对半导体芯片上的不同区域进行独立电子辐照。尤其是采用金属铅制成的挡块，遮挡住芯片上不需要辐照部分的电子射线，实现对半导体芯片上的不同区域进行局部电子辐照。
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公开(公告)号：CN100426522C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200610032430.7
申请日：2006-10-20
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种阴电极分叉式半导体器件，它包括壳体、阳极、阴极、栅电极以及阴电极，所述阳极和阴极分别位于壳体的两端，所述阴电极的一端位于壳体内阳极和阴极之间，另一端从壳体内引出后突出布置于壳体的外侧，所述栅电极为栅极管，两根或两根以上的栅极管的一端位于壳体内阳极和阴极之间，另一端突出布置于壳体的外侧。本发明是一种在保证低感连接的条件下，结构简单紧凑、接口简洁、装配方便的阴电极分叉式半导体器件。
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