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公开(公告)号：CN103824879B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201410044426.7
申请日：2014-01-30
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种功率器件结终端结构与制造方法。所述功率器件结终端结构包括：场限环，其间隔设置于最外侧主结的外侧；电荷补偿区，其通过掺杂间隔形成于外延层，所述电荷补偿区贯穿所述最外侧主结的靠外侧的冶金结面和所述场限环的靠外侧的冶金结面，其中所述电荷补偿区的导电类型与所述场限环的导电类型相同。这种功率器件结终端结构耐压能力好、可靠性高。
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公开(公告)号：CN105244267A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510746482.X
申请日：2015-11-05
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/283 , H01L29/861 , H01L29/40 , H01L29/16
Abstract: 本发明属于PiN器件领域，尤其涉及一种碳化硅PiN器件的欧姆接触方法，该方法包括以下步骤：a)准备碳化硅PiN基体；b)在碳化硅PiN基体的P型SiC外延层表面沉积非晶硅层；c)分别在沉积有非晶硅层的碳化硅PiN基体的SiC衬底表面和非晶硅层表面沉积金属层；d)对沉积有金属层的碳化硅PiN基体进行退火处理，得到形成欧姆接触的碳化硅PiN器件；所述退火处理依次包括第一升温阶段、第一保温阶段、第二升温阶段和第二保温阶段；第一保温阶段和第二保温阶段的温度分别为450～550℃和970～1020℃。本发明提供的方法通过一次退火工艺即可在沉积有金属层的碳化硅PiN基体上形成P型欧姆接触和N型欧姆接触。
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公开(公告)号：CN103000698B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201210483461.X
申请日：2012-11-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/04
CPC classification number: H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法，该SiC结势垒肖特基二极管包括：N+-SiC衬底；形成于该N+-SiC衬底之上的同型N--SiC外延层；形成于该N--SiC外延层上的肖特基金属接触；形成于该肖特基金属接触之下N-区域中的P型区；形成于该肖特基金属接触边缘处的一个P-型环，该P-型环作为结终端延伸区域；形成于该P-型环上的n个P+型环，n≥2；形成于该n个P+型环间的SiO2钝化层；以及形成于该N+-SiC衬底背面的N型欧姆接触。本发明提出的SiC结势垒肖特基二极管，能够降低器件表面的峰值电场，有利于提高器件的击穿电压，且通过一次Al离子注入结合刻蚀的方法，避免了多次Al离子注入，器件制备工艺相对简单。
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公开(公告)号：CN104966735A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510274919.4
申请日：2015-05-26
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/04
CPC classification number: H01L29/78 , H01L21/049 , H01L29/42368 , H01L29/66068
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅MOSFET器件，采用阶梯形的栅氧化层结构，位于沟道和部分N+源区上方的为第一栅氧化层，其厚度为40～60nm；位于JFET区上方的为第二栅氧化层，其厚度为100～200nm。优选所述碳化硅MOSFET器件的JFET区宽度为2～6μm。本发明在有效减小栅氧化层电场强度的同时，不致影响器件阈值电压和栅控特性。继而充分扩展设计余量，通过采用较宽的JFET区结构，进一步减小器件导通电阻。
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公开(公告)号：CN104659114A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510043980.8
申请日：2015-01-28
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明涉及MOS电容以及其制造方法。该方法包括，步骤一：在基板上设置SiC外延层；步骤二：在SiC外延层上设置氧隔离层；步骤三：在氧隔离层上设置硅层；步骤四：将硅层氧化成SiO2层。根据本方法制造的MOS电容，反型沟道载流子迁移较高，MOS电容的性能较好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102931054B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201210299142.3
申请日：2012-08-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明公开了一种实现P型SiC材料低温欧姆合金退火的方法，针对TiAl基金属化系统，该方法采用两步退火方式实现P型SiC材料低温欧姆接触，第一步退火为预退火，第二步退火为高温快速退火，其中：第一步预退火是通过预退火方式形成Al的合金体系，促进TiAl基欧姆接触金属与P型SiC的界面反应，形成界面过渡层；第二步高温快速退火是利用预退火过程中形成的界面反应催化剂，在低于常规快速退火温度下，实现Ti、Al与SiC的反应，形成低势垒、高载流子密度的碳化物或者硅化物过渡层。本发明提出的两步退火方法，可有效降低合金退火温度，也可以适用于其它半导体材料，尤其是宽禁带材料的欧姆接触领域。
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公开(公告)号：CN102931224A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210298644.4
申请日：2012-08-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于P-SiC欧姆接触的界面过渡层复合结构，该界面过渡层复合结构处于SiC衬底与金属层之间，包括富Al层和特定化学成分配比的碳化物混合层，其中，富Al层形成于SiC衬底之上，特定化学成分配比的碳化物混合层形成于富Al层之上，金属层形成于特定化学成分配比的碳化物混合层之上。本发明同时公开了一种制作界面过渡层复合结构的方法。利用本发明提出的界面过渡层复合结构，可有效调节接触势垒高度，提高接触层载流子浓度，增加载流子隧穿机率，有效实现P型SiC材料的良好欧姆接触，且本发明公开的界面过渡层复合结构制作方法简单、可重复性高。
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公开(公告)号：CN106684146B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201510767499.3
申请日：2015-11-11
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/43
Abstract: 本发明涉及一种栅自对准型碳化硅MOSFET及其制备方法。该方法以多晶碳化硅作为碳化硅MOSFET的自对准栅电极前体来制备栅自对准型碳化硅MOSFET，制备过程中利用多晶碳化硅替代多晶硅作为栅自对准离子注入掩膜，可以使碳化硅MOSFET的制备完全执行硅MISFET制造过程中所执行的栅自对准工艺，由此解决了现有沟道自对准工艺的金属污染和低对准精度的问题。
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公开(公告)号：CN105226104B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201510737969.1
申请日：2015-11-03
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/04
Abstract: 本申请公开了一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法，其中，所述二极管包括：第一掺杂类型碳化硅衬底；位于所述衬底一侧的阴极；位于所述衬底背离所述阴极一侧的外延层；位于所述外延层表面的阳极；所述外延层的掺杂浓度由所述阳极边界至所述衬底边界逐渐增高。对于所述二极管的外延层来讲，高掺杂浓度有利于降低所述二极管的导通电阻，低掺杂浓度有利于提升所述二极管的耐压能力。而发明人研究发现，当所述二极管处于反偏状态时，内建电场强度由所述二极管的阳极边界至所述衬底边界逐渐减弱。因此将所述二极管可以在保持耐压能力不变的前提下，降低正向导通电阻，进而降低其导通压降和总体功耗。
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公开(公告)号：CN105448673B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201610003058.0
申请日：2016-01-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/04
Abstract: 本申请公开了一种碳化硅器件背面欧姆接触的制作方法，包括在碳化硅片的正面制作正面碳膜；在所述碳化硅片的背面制作背面碳膜；对所述碳化硅片进行高温退火，激活所述碳化硅片中的注入杂质；去除所述正面碳膜和所述背面碳膜；去除所述碳化硅片背面的氧化层；在所述碳化硅片的背面生长背面金属并进行退火，形成欧姆接触。由于在对碳化硅片进行高温退火之前，制作背面碳膜，与碳化硅背面Si‑C悬挂键形成C‑Si‑C键，从而固定Si原子，抑制Si原子的升华，增加碳化硅背面Si原子浓度，使得金属易与碳化硅背面反应形成低阻层化合物，能够避免高温退火激活工艺中在碳化硅器件背面形成高阻的富碳层，使器件背面具有活泼的化学性质，有利于背面欧姆接触的形成。
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