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公开(公告)号：CN107877011A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710740384.4
申请日：2017-08-25
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 平田和也
IPC: B23K26/402
CPC classification number: B23K26/53 , B23K26/0006 , B23K26/0622 , B23K26/0626 , B23K26/0823 , B23K26/0853 , B23K26/38 , B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/56 , H01L21/02005 , H01L21/0201 , B23K26/402
Abstract: 提供实现生产率提高的SiC晶片生成方法。SiC晶片的生成方法从单晶SiC晶锭生成SiC晶片，包括：剥离面形成工序，在形成偏离角的方向进行晶锭的转位进给而进行2次以上的改质层形成加工，形成剥离面，该改质层形成加工中，将对SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位在距离晶锭的上表面相当于要生成的晶片的厚度的深度，并在与形成偏离角的方向正交的方向进行晶锭的加工进给，从而在晶锭内部形成改质层和从该改质层沿c面传播的裂痕；晶片生成工序，以剥离面为界面将晶锭的一部分剥离，生成SiC晶片。SiC晶片的生成方法还包括：倒角加工工序，对剥离得到的SiC晶片的外周实施倒角加工而去除毛刺；磨削工序，对SiC晶片的剥离面进行磨削，精加工成平滑面。
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公开(公告)号：CN106945190A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201611183289.0
申请日：2016-12-20
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B28D7/00 , B23K26/402
Abstract: 本发明提供SiC晶片的生成方法，能够高效地从SiC晶锭生成SiC晶片。一种SiC晶片的生成方法，具备：分离起点形成步骤，将对于SiC晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距SiC晶锭的端面相当于要生成的晶片的厚度的深度，并且使该聚光点与该SiC晶锭相对地移动来对该端面照射激光束，形成与该端面平行的改质层和从该改质层起进行伸长的裂痕作为分离起点；和晶片剥离步骤，在实施了该分离起点形成步骤之后，从该分离起点将相当于晶片的厚度的板状物从该SiC晶锭剥离而生成SiC晶片，在该分离起点形成步骤中，将形成聚光点的聚光透镜的数值孔径设定为0.45～0.9，并且将激光束的M2因子实质设定为5～50，将聚光点的直径设定为
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公开(公告)号：CN105665948A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201510854879.0
申请日：2015-11-30
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/53 , B23K26/08 , B23K101/40
CPC classification number: H01L21/322 , B23K26/0006 , B23K26/53 , B23K2103/56 , B28D5/0011 , H01L21/30 , H01L21/304 , H01L21/78 , B23K26/0853 , B23K2101/40
Abstract: 提供晶片的生成方法，从锭高效地生成晶片。晶片的生成方法具有：分离起点形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束聚光点定位在距正面相当于要生成的晶片厚度的深度，使聚光点与锭相对地移动而对正面照射激光束，形成与正面平行的改质层和从改质层伸长的裂痕而形成分离起点；晶片剥离步骤，在实施了分离起点形成步骤之后，从分离起点将相当于晶片的厚度的板状物从锭剥离而生成晶片，分离起点形成步骤包含：改质层形成步骤，c轴相对于正面的垂线倾斜偏离角，使激光束的聚光点沿着与在正面和c面之间形成偏离角的方向垂直的方向相对地移动而形成直线状的改质层；转位步骤，在形成偏离角的方向上使聚光点相对地移动而转位规定的量。
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公开(公告)号：CN105414776A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510586907.5
申请日：2015-09-15
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供SiC锭块的切片方法，其能够高效地从SiC锭块切片出SiC基板。实施如下工序：初始分离层形成工序，使激光光线的聚光点(P)沿着分离预定面(4)与SiC锭块(1)的端面(2)平行地扫描，在离开端面的位置形成分离层(5)；重复工序，在该初始分离层形成工序后，使聚光点(P)从该分离层向端面侧每次移动与SiC板的厚度(D)相同的距离并与该端面平行地进行扫描，重复进行分离层的形成而形成多个分离层；和分离工序，对通过该重复工序形成的多个分离层施加外力，以分离层为起点进行剥离来获取多块SiC板(6)。能够减少用于使激光光线在SiC锭块的端面容易入射的镜面加工的次数，能够高效地从SiC锭块获取多块SiC板。
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公开(公告)号：CN118156224A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311609493.4
申请日：2023-11-28
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供加工装置，其即使对晶片的背面进行磨削也不会形成刀刃状部分，能够解决导致作业者受伤或裂纹发展至晶片的内部而使器件损伤的问题。加工装置包含：卡盘工作台，其对贴合晶片进行保持；磨削单元，其对卡盘工作台所保持的贴合晶片进行磨削；清洗单元，其对贴合晶片进行清洗；和处理单元，在磨削贴合晶片之前由该处理单元实施用于去除形成于贴合晶片的外周的倒角部的处理。处理单元包含：使贴合晶片的一个面露出而进行支承的支承部；和照射激光光线的激光光线照射单元，激光光线照射单元从支承部所支承的晶片的一个面将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于外周剩余区域的内部而进行照射，形成用于去除倒角部的改质层。
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公开(公告)号：CN110047746B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201910007502.X
申请日：2019-01-04
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 平田和也
IPC: H01L21/304 , H01L21/67 , H01L21/66
Abstract: 提供平坦化方法，能够避免SiC锭的剥离面的过量磨削从而缩短磨削时间。平坦化方法包含如下的工序：磨削工序，将SiC锭(2)的与剥离面(58)相反的一侧保持于可旋转的卡盘工作台(62)，使具有呈环状配设的多个磨削磨具(74)的磨轮(72)进行旋转而对保持于卡盘工作台(62)的SiC锭(2)的剥离面(58)进行磨削；以及平坦度检测工序，向从磨轮(72)露出的SiC锭(2)的剥离面(58)照射光并对反射光进行检测，从而检测平坦的程度。在通过平坦度检测工序检测为SiC锭(2)的剥离面(58)平坦时，结束磨削工序。
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公开(公告)号：CN109841543B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201811398022.2
申请日：2018-11-22
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供剥离装置，其能够容易地以剥离层为起点将晶片从锭剥离。剥离装置包含：锭保持单元，其按照使相当于晶片的部分向下而使锭悬垂的状态对该锭进行保持；水槽，其贮存水；超声波单元，其浸渍于水槽内的水中；移动单元，其使锭保持单元在上下方向上移动并使该锭保持单元与超声波单元面对，并且该移动单元使相当于晶片的部分浸渍于水槽的水中；以及喷嘴，其朝向相当于晶片的部分喷射水而促进晶片的剥离。
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公开(公告)号：CN116903163A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310382721.2
申请日：2023-04-11
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 平田和也
IPC: C02F9/00 , C02F1/20 , H01L21/78 , B23K26/53 , B23K26/70 , C02F1/00 , C02F1/32 , C02F1/42 , C02F101/30
Abstract: 本发明提供水生成装置和晶片的制造方法，该水生成装置生成能够高效地传播超声波的水。水生成装置包含：过滤器，其对水进行过滤而生成清水；紫外线照射器，其对通过过滤器生成的清水照射紫外线而破坏清水中的有机物；离子交换树脂，其将通过紫外线照射器破坏了有机物的清水精制成纯水；以及脱气水生成单元，其对水进行脱气而生成脱气水。
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公开(公告)号：CN114952025A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210137803.6
申请日：2022-02-15
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/38 , B23K26/402 , B23K26/70 , B23K101/40
Abstract: 本发明提供激光加工装置和激光加工方法，能够降低从锭切出晶片时的切削损耗。根据对锭的上表面所包含的多个区域中的各个区域照射激励光时产生的荧光的光子数，设定对该多个区域中的各个区域的激光束的照射条件。这里，荧光的光子数依赖于锭中掺杂的杂质的浓度。因此，即使在锭中包含杂质浓度不同的区域的情况下，也能够在距离锭的上表面均匀的深度形成剥离层。由此，能够降低在从锭切出晶片时的切削损耗。
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公开(公告)号：CN114535815A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111292261.1
申请日：2021-11-03
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 平田和也
IPC: B23K26/36 , B23K26/362 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供晶片的生成方法，能够降低在后续工序中在晶片的外周区域产生缺损的可能性。仅对被加工物的除去外周区域之外的中央区域照射激光束而形成剥离层，该外周区域是从被加工物的外周缘至规定的距离内侧的区域。在该情况下，不会由于激光束的照射而在被加工物的外周区域形成剥离层，防止在被加工物的外周面形成烧蚀痕。其结果是，能够降低在对从该被加工物剥离的晶片进行后续工序时在该晶片的外周区域产生缺损的可能性。
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