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公开(公告)号：CN106945190B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201611183289.0
申请日：2016-12-20
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/301 , B28D7/00 , B23K26/402
Abstract: 本发明提供SiC晶片的生成方法，能够高效地从SiC晶锭生成SiC晶片。一种SiC晶片的生成方法，具备：分离起点形成步骤，将对于SiC晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距SiC晶锭的端面相当于要生成的晶片的厚度的深度，并且使该聚光点与该SiC晶锭相对地移动来对该端面照射激光束，形成与该端面平行的改质层和从该改质层起进行伸长的裂痕作为分离起点；和晶片剥离步骤，在实施了该分离起点形成步骤之后，从该分离起点将相当于晶片的厚度的板状物从该SiC晶锭剥离而生成SiC晶片，在该分离起点形成步骤中，将形成聚光点的聚光透镜的数值孔径设定为0.45～0.9，并且将激光束的M2因子实质设定为5～50，将聚光点的直径设定为
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公开(公告)号：CN104607801B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201410601145.7
申请日：2014-10-30
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/38 , B23K26/402
Abstract: 本发明提供激光加工方法以及激光加工装置，其能够抑制漏光且能够增大被加工物的厚度方向上的改性层的宽度。在该激光加工方法中，将对被加工物具有透射性的波长的激光线的聚光点定位于被加工物的内部而进行照射，在被加工物的内部形成改性层，激光线的谱线宽度设定为10pm以下。
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公开(公告)号：CN106945190A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201611183289.0
申请日：2016-12-20
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B28D7/00 , B23K26/402
Abstract: 本发明提供SiC晶片的生成方法，能够高效地从SiC晶锭生成SiC晶片。一种SiC晶片的生成方法，具备：分离起点形成步骤，将对于SiC晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距SiC晶锭的端面相当于要生成的晶片的厚度的深度，并且使该聚光点与该SiC晶锭相对地移动来对该端面照射激光束，形成与该端面平行的改质层和从该改质层起进行伸长的裂痕作为分离起点；和晶片剥离步骤，在实施了该分离起点形成步骤之后，从该分离起点将相当于晶片的厚度的板状物从该SiC晶锭剥离而生成SiC晶片，在该分离起点形成步骤中，将形成聚光点的聚光透镜的数值孔径设定为0.45～0.9，并且将激光束的M2因子实质设定为5～50，将聚光点的直径设定为
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101345212A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810127250.6
申请日：2008-06-30
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , B28D5/00 , B23K26/40 , B23K101/40
CPC classification number: H01L21/78
Abstract: 本发明提供一种晶片的分割方法，其可在不增大间隔道的间隔的情况下将在半导体基板的表面上通过层叠体而形成有多个器件的晶片分割成一个个器件。该晶片的分割方法用切削刀具将晶片沿该间隔道切断从而分割为一个个器件，所述晶片形成为在半导体基板的表面上，通过层叠绝缘膜和功能膜所成的层叠体而形成的器件被间隔道划分开来，其特征在于，所述晶片的分割方法包括以下工序：激光加工槽形成工序，从晶片的层叠体侧沿间隔道照射激光光线，在层叠体上形成到达半导体基板的激光加工槽，所述激光光线形成为外径比切削刀具的宽度大、且比间隔道的宽度小的环状光斑；和切断工序，利用切削刀具将半导体晶片的半导体基板沿在间隔道上形成的激光加工槽切断。
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公开(公告)号：CN101345212B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200810127250.6
申请日：2008-06-30
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , B28D5/00 , B23K26/40 , B23K101/40
CPC classification number: H01L21/78
Abstract: 本发明提供一种晶片的分割方法，其可在不增大间隔道的间隔的情况下将在半导体基板的表面上通过层叠体而形成有多个器件的晶片分割成一个个器件。该晶片的分割方法用切削刀具将晶片沿该间隔道切断从而分割为一个个器件，所述晶片形成为在半导体基板的表面上，通过层叠绝缘膜和功能膜所成的层叠体而形成的器件被间隔道划分开来，其特征在于，所述晶片的分割方法包括以下工序：激光加工槽形成工序，从晶片的层叠体侧沿间隔道照射激光光线，在层叠体上形成到达半导体基板的激光加工槽，所述激光光线形成为外径比切削刀具的宽度大、且比间隔道的宽度小的环状光斑；和切断工序，利用切削刀具将半导体晶片的半导体基板沿在间隔道上形成的激光加工槽切断。
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公开(公告)号：CN101992351A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010258989.8
申请日：2010-08-19
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: B23K26/146 , B23K26/142
Abstract: 本发明提供一种激光加工装置，其可防止沿从喷嘴喷射出的液柱照射的激光光线的折射。该激光加工装置具备：卡盘工作台，其保持被加工物；激光光线照射构件，其对保持于卡盘工作台的被加工物照射激光光线；以及加工进给构件，其使卡盘工作台和激光光线照射构件相对地进行加工进给，激光光线照射构件包括激光光线振荡构件和具有使从激光光线振荡构件振荡出的激光光线会聚的聚光透镜的加工头，加工头具备：液柱形成机构，其具有沿通过聚光透镜而会聚的激光光线的光轴喷出液体的喷嘴；以及水滴抽吸机构，其配设在液柱形成机构的下侧，并具有贯通通道和环状抽吸口，从喷嘴喷射出的液柱通过贯通通道，环状抽吸口围绕该贯通通道地形成，并与抽吸构件连通。
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公开(公告)号：CN104607801A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201410601145.7
申请日：2014-10-30
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/38 , B23K26/402
CPC classification number: B23K26/53 , B23K26/0006 , B23K26/0853 , B23K2103/56 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供激光加工方法以及激光加工装置，其能够抑制漏光且能够增大被加工物的厚度方向上的改性层的宽度。在该激光加工方法中，将对被加工物具有透射性的波长的激光线的聚光点定位于被加工物的内部而进行照射，在被加工物的内部形成改性层，激光线的谱线宽度设定为10pm以下。
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公开(公告)号：CN101992351B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201010258989.8
申请日：2010-08-19
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: B23K26/146 , B23K26/142
Abstract: 本发明提供一种激光加工装置，其可防止沿从喷嘴喷射出的液柱照射的激光光线的折射。该激光加工装置具备：卡盘工作台，其保持被加工物；激光光线照射构件，其对保持于卡盘工作台的被加工物照射激光光线；以及加工进给构件，其使卡盘工作台和激光光线照射构件相对地进行加工进给，激光光线照射构件包括激光光线振荡构件和具有使从激光光线振荡构件振荡出的激光光线会聚的聚光透镜的加工头，加工头具备：液柱形成机构，其具有沿通过聚光透镜而会聚的激光光线的光轴喷出液体的喷嘴；以及水滴抽吸机构，其配设在液柱形成机构的下侧，并具有贯通通道和环状抽吸口，从喷嘴喷射出的液柱通过贯通通道，环状抽吸口围绕该贯通通道地形成，并与抽吸构件连通。
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