公开(公告)号：CN107431093A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680017258.X

申请日：2016-03-10

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 三村智博 ,  金村高司 ,  杉本雅裕 ,  副岛成雅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 半导体装置具备：漏极区(1)；漂移层(2)，其由与所述漏极区相比杂质浓度较低的第一导电型半导体构成；基极区(4)，其由第二导电型半导体构成；源极区(5)，其由高浓度的第一导电型半导体构成；接触区(6)，其由被设为高浓度的第二导电型半导体构成；沟槽栅结构，其被配置在沟槽(7)的入口侧且具有被配置到与所述基极区相比而较深处为止的第一栅绝缘膜(8a)、与第一栅电极(9a)，并包含底部绝缘膜(8b)；源电极(10)，其与所述源极区以及所述接触区电连接；漏电极(12)，其被配置在所述漏极区的背面侧。所述沟槽被配置到与所述基极区相比而较深处为止。此外，所述第一栅绝缘膜由与所述底部绝缘膜相比介电常数较高的绝缘材料构成。

公开(公告)号：CN102301481A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201080006058.7

申请日：2010-01-29

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 关章宪 ,  杉本雅裕 ,  川桥宪 ,  高桥康夫 ,  前田将克

IPC: H01L29/45 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L29/45 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供一种p型SiC半导体元件的欧姆电极，其包括由Ti3SiC2制成并且直接形成在p型SiC半导体的表面上的欧姆电极层。本发明还提供一种形成p型SiC半导体元件的欧姆电极的方法。所述欧姆电极包括欧姆电极层，该欧姆电极层由Ti3SiC2制成并且直接形成在p型SiC半导体的表面上。该方法包括：在p型SiC半导体的表面上以原子组成比例Ti∶Si∶C为3∶1∶2的方式来包括Ti、Si和C的三元混合膜，以制造层压膜；以及在真空下或者在惰性气体气氛下对所制造的层压膜退火。

公开(公告)号：CN101202304A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200710198750.4

申请日：2007-12-12

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 树神雅人 ,  林荣子 ,  上杉勉 ,  杉本雅裕

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7789 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明提供一种将MIS结构内置的HEMT。该HEMT(10)具有：与漏电极形成电连接的漏极区域(32)、与源电极形成电连接的源极区域(34)、形成在漏极区域(32)和源极区域(34)之间的第一半导体区域(22)、MIS结构(40)和异质结构。MIS结构具有隔着栅极绝缘膜(42)与第一半导体区域(22)表面的一部分相对的栅电极(44)。异质结构具有第二半导体区域(24)，该第二半导体区域(24)与第一半导体区域(22)的表面的其余部分相邻接，并且具有比第一半导体区域(22)的带隙更宽的带隙。漏极区域(32)和源极区域(34)通过MIS结构(40)和异质结构的组合结构而形成电连接。

公开(公告)号：CN107431092A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680017256.0

申请日：2016-03-10

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 三村智博 ,  金村高司 ,  水野祥司 ,  杉本雅裕 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 半导体装置具备：漏极区(1)，其由第一或第二导电型半导体构成；漂移层(2)，其由第一导电型半导体构成；基极区(4)，其由第二导电型半导体构成；源极区(5)，其由高浓度的第一导电型半导体构成；接触区(6)，其由高浓度的第二导电型半导体构成；沟槽栅结构，其包含上段侧栅结构以及下段侧栅结构；源电极(10)，其与所述源极区以及所述接触区连接；漏电极(12)，其被配置在所述漏极区的背面侧。所述上段侧栅结构被配置在沟槽(7)内的上段侧，并具有第一栅绝缘膜(8a)和第一栅电极(9a)。此外，所述下段侧栅结构被配置在所述沟槽内的下段侧，并具有由较高的介电常数的绝缘材料构成的第二栅绝缘膜(8b)和第二栅电极(9b)。

公开(公告)号：CN106024886A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610169667.3

申请日：2016-03-23

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉本雅裕 ,  渡边行彦 ,  宫原真一朗

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种金属氧化物半导体场效应晶体管。在俯视观察半导体基板(20)的表面(23)时，源极区(11)和第一接触区(141)在与栅极沟槽(30)的侧面(301)相接的范围内，在沿着栅极沟槽(30)的方向上邻接形成，第二接触区(142)在远离栅极沟槽(30)的范围内，与源极区(11)和第一接触区(141)邻接形成。第一接触区(141)的杂质浓度与第二接触区(142)的杂质浓度相比较低。

公开(公告)号：CN102473602B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201080034296.9

申请日：2010-08-04

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 关章宪 ,  杉本雅裕 ,  川桥宪 ,  高桥康夫 ,  前田将克

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种用于p型SiC半导体的欧姆电极和形成欧姆电极的方法。所述欧姆电极具有欧姆电极层，其具有非晶结构并由Ti(1?x?y)Si(x)C(y)三元膜制成，所述三元膜的组成比例在由用式x＝0(0.35≤y≤0.5)、式y＝1.778(x?0.375)2+0.1(0≤x≤0.375)、式y＝?1.120x+0.5200(0.1667≤x≤0.375)和式y＝?2.504x2?0.5828x+0.5(0≤x≤0.1667)表示的两条直线和两条曲线所包围的并且排除由式x＝0表示的所述直线的组成范围内。所述欧姆层直接层叠在p型SiC半导体的表面上。

公开(公告)号：CN102668040B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201080042659.3

申请日：2010-09-02

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉本雅裕 ,  関章宪 ,  川桥宪 ,  高桥康夫 ,  前田将克

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/338 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L29/452 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具有相对于氮化物半导体的接触电阻较低的电极。该制造方法具有：含碳层形成工序，在氮化物半导体层上形成含有碳的含碳层；含钛层形成工序，在含碳层上形成含有钛的含钛层。在含钛层和氮化物半导体层之间形成TiN和TiC的无限固溶体Ti(C，N)的层。由此，含钛层在其边界部整体上相对于氮化物半导体层被欧姆接触。

公开(公告)号：CN102856382B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210226273.9

申请日：2012-06-29

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 宫原真一朗 ,  杉本雅裕 ,  高谷秀史 ,  渡边行彦 ,  副岛成雅 ,  石川刚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅半导体器件。在碳化硅半导体器件中，多个沟槽（7）具有一个方向上的纵向方向并且以条纹图案布置。每个所述沟槽（7）均具有在所述纵向方向上延伸的第一侧壁和第二侧壁。所述第一侧壁与（11-20）平面和（1-100）平面中的一个平面成第一锐角，所述第二侧壁与（11-20）平面和（1-100）平面的所述一个平面成第二锐角，并且所述第一锐角小于所述第二锐角。第一导电类型区（5）仅与每个所述沟槽（7）的所述第一侧壁和所述第二侧壁中的所述第一侧壁接触，并且电流通路仅形成在所述第一侧壁和所述第二侧壁中的所述第一侧壁上。

公开(公告)号：CN102341898A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200980157760.0

申请日：2009-03-02

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉本雅裕 ,  副岛成雅 ,  上杉勉 ,  树神雅人 ,  石井荣子

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7788

Abstract: 本发明提供一种能够抑制漏电流的产生的纵型的氮化物半导体装置以及该氮化物半导体装置的制造方法。氮化物半导体装置(100)为纵型的HEMT，其具有：n-型的GaN的第一氮化物半导体层(2)；p+型的GaN的第二氮化物半导体层(6a、6b)；n-型的GaN的第三氮化物半导体层(9)；与第三氮化物半导体层(9)的表面异质接合的、n-型的AlGaN的第四氮化物半导体层(8)。在从第三氮化物半导体层(9)的边缘隔开的位置处设置有开口(11a、11b)，所述开口(11a、11b)贯穿第三氮化物半导体层(9)并到达第二氮化物半导体层(6a、6b)的表面。开口(11a、11b)内设置有源极电极(12a、12b)。与源极电极(21a、12b)相接的蚀刻损伤(7b)被未形成蚀刻损伤的区域包围。

公开(公告)号：CN100530687C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200580024191.4

申请日：2005-06-22

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉本雅裕 ,  加地徹 ,  中野由崇 ,  上杉勉 ,  上田博之 ,  副岛成雅

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，其具有p-GaN层(32)、SI-GaN层(62)、AlGaN层(34)被层叠的层叠结构，并且具有形成在AlGaN层(34)的顶表面侧的栅电极(44)。AlGaN层(34)具有比p-GaN层(32)和SI-GaN层(62)更宽的带隙。而且，SI-GaN层(62)的杂质浓度小于1×1017cm-3。可以实现具有稳定的常断操作的、包括III-V族半导体的半导体器件。