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公开(公告)号:CN111952260A
公开(公告)日:2020-11-17
申请号:CN202010408972.X
申请日:2020-05-14
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/367 , H01L23/492
Abstract: 本发明提供一种半导体装置,包括:层叠配置的上侧导电板、中间导电板以及下侧导电板;第一半导体元件,位于上侧导电板与中间导电板之间,分别与上侧导电板和中间导电板电连接;第二半导体元件,位于中间导电板与下侧导电板之间,分别与中间导电板和下侧导电板电连接;以及密封体,密封第一半导体元件以及第二半导体元件,并将上侧导电板、中间导电板以及下侧导电板一体地保持。中间导电板具有主体部和露出部,主体部在密封体的内部与第一半导体元件以及第二半导体元件接合,露出部从密封体的表面露出于外部。中间导电板的露出部的厚度大于等于中间导电板的主体部的厚度。
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公开(公告)号:CN111354710A
公开(公告)日:2020-06-30
申请号:CN201911319896.9
申请日:2019-12-19
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/498 , H01L23/367 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种半导体装置,其具备:基板,其由绝缘体构成;第一导体膜,其设置在基板上的局部;半导体元件,其配置在第一导体膜上;以及外部连接端子,其在与第一导体膜分离的位置处经由接合层接合在基板上。半导体元件是具有主电极和信号电极的功率半导体元件,该主电极与第一导体膜接合,该信号电极与外部连接端子电连接。
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公开(公告)号:CN105556664B
公开(公告)日:2018-10-19
申请号:CN201480050991.2
申请日:2014-09-09
Abstract: 提供一种能够实现在开关元件的排列方向上的小型化并能够降低浪涌电压、且即使密封树脂体的绝缘性能下降也不易发生短路的半导体装置。在第1开关元件(20)与第2开关元件(30)的排列方向上,第2散热片(52)与第3散热片(54)通过接头部(58)被电连接。另外,第2电源端子(42)在排列方向上配置于第1电源端子(40)与输出端子(44)之间且第2散热片与第3散热片之间的区域。而且,在密封树脂体(66)内,与第1电源端子相同电位的第1电位部和与输出端子相同电位的第3电位部的最短距离、以及与第2电源端子相同电位的第2电位部与第3电位部的最短距离中的至少一个距离比第1电位部与第2电位部的最短距离短。
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公开(公告)号:CN104347573B
公开(公告)日:2017-06-20
申请号:CN201410350640.5
申请日:2014-07-22
IPC: H01L23/495 , H02M7/00 , H02M1/00
CPC classification number: H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L24/89 , H01L2224/48247 , H01L2224/85001 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及引线框架、电力变换装置、半导体设备及其制造方法。根据本公开,提供一种引线框架,包括:并排地布置的第一岛和第二岛;外周框架;第一引线,第一引线在与第一方向垂直的第二方向上延伸;第二引线,第二引线在第二方向上延伸;第一联结部分,第一联结部分将第一引线联结到框架;第二联结部分,第二联结部分将第二引线联结到框架;中间部分,中间部分在第一方向上形成在第一和第二联结部分之间使得中间部分在第二方向上延伸以在第一和第二岛之间的空间之前终止;和变形抑制部分,变形抑制部分被形成或者设置在第一引线、第二引线、第一和第二联结部分中的至少一个之中,并且被构造成抑制在模制过程期间第一和第二引线的变形。
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公开(公告)号:CN106165202A
公开(公告)日:2016-11-23
申请号:CN201580012762.6
申请日:2015-01-19
Abstract: 端子连接构造具备:阳端子及具有弹性以从两侧夹住上述阳端子的方式与上述阳端子嵌合的阴端子,上述阳端子包括:母材、覆盖上述母材的第一基底层、覆盖上述第一基底层的第二基底层及覆盖上述第二基底层的最表层,上述第一基底层和上述第二基底层硬度不同。
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公开(公告)号:CN105518841A
公开(公告)日:2016-04-20
申请号:CN201480048461.4
申请日:2014-08-29
IPC: H01L21/60 , H01L25/07 , H01L23/051 , H01L23/492 , H01L23/495
CPC classification number: H01L23/49568 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/36 , H01L23/3672 , H01L23/49513 , H01L23/49524 , H01L23/49537 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/83 , H01L25/072 , H01L29/7397 , H01L29/861 , H01L2224/2612 , H01L2224/26175 , H01L2224/29111 , H01L2224/32014 , H01L2224/32057 , H01L2224/32245 , H01L2224/33 , H01L2224/33181 , H01L2224/40137 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/83007 , H01L2224/83101 , H01L2224/83203 , H01L2224/83385 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83815 , H01L2224/92242 , H01L2224/92247 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置(20),其包括:对置的第一金属板(36、56)和第二金属板(34、54);多个半导体元件(26、28、30、32、206、208、210、212、306、308、310、312),它们每个介于第一金属板(36、56)和第二金属板(34、54)之间;金属块(44、50、314、316),其介于第一金属板(36、56)和每个半导体元件(26、28、30、32、206、208、210、212、306、308、310、312)之间;焊料构件(46、52),其介于第一金属板(36、56)和金属块(44、50、314、316)之间并且将第一金属板(36、56)连接至金属块(44、50、314、316);以及注塑树脂(74),其密封半导体元件(26、28、30、32、206、208、210、212、306、308、310、312)和金属块(44、50、314、316)。第一金属板(36、56)的一面,其为金属块(44、50、314、316)经由焊料构件(46、52)连接至第一金属板(36、56)的一面的对置侧,暴露于注塑树脂(74)外。第一金属板(36、56)具有沿着其中设置有焊料构件(46、52)的区域的外周形成的凹槽(70、72),凹槽(70、72)共同围绕焊料构件(46、52),以便防止焊料构件(46、52)在第一金属板(36、56)的黏结面上散布。每个半导体元件(26、30、206、210、306、310)可以是功率半导体开关元件,诸如绝缘栅双极晶体管(IGBT),其在转换电功率时进行开关操作,以及每个半导体元件(28、32、208、212、308、312)可以是为了在中断对应的一个半导体元件(26、30、206、210、306、310)时循环电流所需要的回流二极管。
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公开(公告)号:CN111952270B
公开(公告)日:2024-04-23
申请号:CN202010408963.0
申请日:2020-05-14
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/492 , H01L23/488
Abstract: 本发明公开一种半导体装置,包括:半导体元件;密封体,密封半导体元件;以及导体部件,在密封体的内部经由焊料层与半导体元件接合。导体部件具有与焊料层接触的接合面和从接合面的周缘延伸的侧面。在侧面设置有非粗糙化区域和表面粗糙度大于非粗糙化区域的粗糙化区域。并且,非粗糙化区域与接合面的周缘相邻。
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公开(公告)号:CN111354710B
公开(公告)日:2023-08-04
申请号:CN201911319896.9
申请日:2019-12-19
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/498 , H01L23/367 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种半导体装置,其具备:基板,其由绝缘体构成;第一导体膜,其设置在基板上的局部;半导体元件,其配置在第一导体膜上;以及外部连接端子,其在与第一导体膜分离的位置处经由接合层接合在基板上。半导体元件是具有主电极和信号电极的功率半导体元件,该主电极与第一导体膜接合,该信号电极与外部连接端子电连接。
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公开(公告)号:CN104160493B
公开(公告)日:2017-03-22
申请号:CN201380012899.2
申请日:2013-02-28
CPC classification number: H01L23/49575 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/49513 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/498 , H01L23/49833 , H01L23/49844 , H01L23/49861 , H01L24/73 , H01L25/18 , H01L2224/29111 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/00011 , H01L2924/01047 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1815 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01033
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法,将多组功率单元在预定方向上排列配置,且将该多组功率单元一体地进行树脂封装,所述功率单元中,多个半导体元件隔开预定的间隙而载置在金属板上,所述半导体装置中,在制造时填充的树脂流通的流路上的比预定位置靠树脂的流通方向下游侧的位置配置妨碍树脂向流通方向下游侧的流通的结构体,其中,所述流路位于在预定方向上彼此相邻配置的2个功率单元之间,所述预定位置是与隔开预定的间隙而载置的2个半导体元件中的位于接近树脂的流入口的一侧的近方半导体元件的该流入口侧的相反侧的端部对应的位置。
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公开(公告)号:CN103066027B
公开(公告)日:2016-08-03
申请号:CN201210306999.3
申请日:2012-08-24
CPC classification number: H01L23/4334 , H01L21/565 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L25/071 , H01L2224/33 , H01L2924/0002 , H01L2924/181 , Y10T29/49002 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种动力模块、制造动力模块的方法以及成型模具,所述动力模块包括:半导体元件;第一冷却构件和第二冷却构件,所述第一冷却构件和所述第二冷却构件被配置为将所述半导体元件夹在它们之间;框架构件,其被配置为支撑在所述第一冷却构件与所述第二冷却构件之间的所述半导体元件;以及成型树脂件,其布置于所述第一冷却构件与所述第二冷却构件之间,其中,所述框架构件包括调节构件,所述调节构件调节所述第一冷却构件与所述第二冷却构件之间的距离。
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