半导体装置
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111952260A

    公开(公告)日:2020-11-17

    申请号:CN202010408972.X

    申请日:2020-05-14

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置,包括:层叠配置的上侧导电板、中间导电板以及下侧导电板;第一半导体元件,位于上侧导电板与中间导电板之间,分别与上侧导电板和中间导电板电连接;第二半导体元件,位于中间导电板与下侧导电板之间,分别与中间导电板和下侧导电板电连接;以及密封体,密封第一半导体元件以及第二半导体元件,并将上侧导电板、中间导电板以及下侧导电板一体地保持。中间导电板具有主体部和露出部,主体部在密封体的内部与第一半导体元件以及第二半导体元件接合,露出部从密封体的表面露出于外部。中间导电板的露出部的厚度大于等于中间导电板的主体部的厚度。

    半导体装置及其制造方法
    22.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111354710A

    公开(公告)日:2020-06-30

    申请号:CN201911319896.9

    申请日:2019-12-19

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置,其具备:基板,其由绝缘体构成;第一导体膜,其设置在基板上的局部;半导体元件,其配置在第一导体膜上;以及外部连接端子,其在与第一导体膜分离的位置处经由接合层接合在基板上。半导体元件是具有主电极和信号电极的功率半导体元件,该主电极与第一导体膜接合,该信号电极与外部连接端子电连接。

    半导体装置
    23.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105556664B

    公开(公告)日:2018-10-19

    申请号:CN201480050991.2

    申请日:2014-09-09

    Abstract: 提供一种能够实现在开关元件的排列方向上的小型化并能够降低浪涌电压、且即使密封树脂体的绝缘性能下降也不易发生短路的半导体装置。在第1开关元件(20)与第2开关元件(30)的排列方向上,第2散热片(52)与第3散热片(54)通过接头部(58)被电连接。另外,第2电源端子(42)在排列方向上配置于第1电源端子(40)与输出端子(44)之间且第2散热片与第3散热片之间的区域。而且,在密封树脂体(66)内,与第1电源端子相同电位的第1电位部和与输出端子相同电位的第3电位部的最短距离、以及与第2电源端子相同电位的第2电位部与第3电位部的最短距离中的至少一个距离比第1电位部与第2电位部的最短距离短。

    半导体装置
    27.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111952270B

    公开(公告)日:2024-04-23

    申请号:CN202010408963.0

    申请日:2020-05-14

    Abstract: 本发明公开一种半导体装置,包括:半导体元件;密封体,密封半导体元件;以及导体部件,在密封体的内部经由焊料层与半导体元件接合。导体部件具有与焊料层接触的接合面和从接合面的周缘延伸的侧面。在侧面设置有非粗糙化区域和表面粗糙度大于非粗糙化区域的粗糙化区域。并且,非粗糙化区域与接合面的周缘相邻。

    半导体装置及其制造方法
    28.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111354710B

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN201911319896.9

    申请日:2019-12-19

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置,其具备:基板,其由绝缘体构成;第一导体膜,其设置在基板上的局部;半导体元件,其配置在第一导体膜上;以及外部连接端子,其在与第一导体膜分离的位置处经由接合层接合在基板上。半导体元件是具有主电极和信号电极的功率半导体元件,该主电极与第一导体膜接合,该信号电极与外部连接端子电连接。

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