公开(公告)号：CN111354710B

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN201911319896.9

申请日：2019-12-19

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 榊原明德 ,  川岛崇功 ,  门口卓矢 ,  浦本幸治 ,  小川泰弘

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/367 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：基板，其由绝缘体构成；第一导体膜，其设置在基板上的局部；半导体元件，其配置在第一导体膜上；以及外部连接端子，其在与第一导体膜分离的位置处经由接合层接合在基板上。半导体元件是具有主电极和信号电极的功率半导体元件，该主电极与第一导体膜接合，该信号电极与外部连接端子电连接。

公开(公告)号：CN111354710A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201911319896.9

申请日：2019-12-19

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 榊原明德 ,  川岛崇功 ,  门口卓矢 ,  浦本幸治 ,  小川泰弘

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/367 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：基板，其由绝缘体构成；第一导体膜，其设置在基板上的局部；半导体元件，其配置在第一导体膜上；以及外部连接端子，其在与第一导体膜分离的位置处经由接合层接合在基板上。半导体元件是具有主电极和信号电极的功率半导体元件，该主电极与第一导体膜接合，该信号电极与外部连接端子电连接。

公开(公告)号：CN111354709A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201911319889.9

申请日：2019-12-19

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 榊原明德 ,  川岛崇功

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：基板，其由绝缘体构成；第1导体膜，其设置于基板的一侧表面；半导体元件，其具有第1电极和第2电极，第1电极连接于第1导体膜；以及外部连接端子，其具有内端部分和外端部分，内端部分位于基板与半导体元件之间并连接于第2电极。外部连接端子还具有中间部分，该中间部分位于内端部分与外端部分之间并接合于基板的所述一侧表面。外部连接端子的中间部分与基板之间的距离比外部连接端子的内端部分与基板之间的距离大。

公开(公告)号：CN111354709B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN201911319889.9

申请日：2019-12-19

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 榊原明德 ,  川岛崇功

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：基板，其由绝缘体构成；第1导体膜，其设置于基板的一侧表面；半导体元件，其具有第1电极和第2电极，第1电极连接于第1导体膜；以及外部连接端子，其具有内端部分和外端部分，内端部分位于基板与半导体元件之间并连接于第2电极。外部连接端子还具有中间部分，该中间部分位于内端部分与外端部分之间并接合于基板的所述一侧表面。外部连接端子的中间部分与基板之间的距离比外部连接端子的内端部分与基板之间的距离大。

公开(公告)号：CN110600457B

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN201910485829.8

申请日：2019-06-05

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 土持真悟 ,  浅井林太郎 ,  榊原明德 ,  野口真男

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。半导体装置具备：第一绝缘基板；第一半导体元件及第二半导体元件，配置在第一绝缘基板上；第二绝缘基板，隔着第一半导体元件而与第一绝缘基板相对；第三绝缘基板，隔着第二半导体元件而与第一绝缘基板相对，并与第二绝缘基板横向排列配置。