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公开(公告)号：CN100380673C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN02157581.9
申请日：2002-11-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/3246 , H01L29/78621 , H01L29/78627 , H01L51/5234 , H01L51/5253 , H01L2251/5315 , H01L2251/566
Abstract: 本发明提高包含TFT和有机发光元件的发光设备的可靠性。该发光设备具有薄膜晶体管和发光元件，包括：半导体下表面上的第一无机绝缘层，栅电极上表面上的第二无机绝缘层，第二无机绝缘层上的第一有机绝缘层，第一有机绝缘层上的第三无机绝缘层，第三无机绝缘层上遍布的布线层，第二有机绝缘层和布线层的末端重叠且具有35-45度的倾斜角，形成在第二有机绝缘层的上表面和侧表面上且在布线层上有开口的第四无机绝缘层，与布线层接触形成且具有与第四无机绝缘层相重叠的侧端，与阴极层和第四无机绝缘层接触形成且包含发光材料的有机化合物层，和包含发光材料的有机化合物层接触形成的阳极层，第三和第四无机绝缘层用氮化硅或氮化铝形成。
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公开(公告)号：CN100377292C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN03132892.X
申请日：2003-07-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L51/5206
Abstract: 本发明的一个目的是减小或消除具有有机化合物的发光元件中出现的各种缺陷模式(收缩、黑斑等)。本发明通过使阻挡层111的上部或下部形成有曲率半径的曲面抑制在发光元件刚制造完成后就产生的不发光区，用多孔海绵清洗阳极110的表面以去除散布在阳极表面上的微粒，并在就要形成含有机化合物的层112前，通过进行真空加热以去除其上配有TFT和阻挡层的整个衬底表面上的吸收水，来抑制收缩出现。
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公开(公告)号：CN1870233A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200610088637.6
申请日：2006-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L27/12 , H01L27/1248 , H01L29/42384
Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在衬底上方形成第一绝缘膜，在第一绝缘膜上方形成半导体薄膜，使用高频波在大于等于1×1011cm2并小于等于1×1013cm－3的电子密度和大于等于0.5eV并小于等于1.5eV的电子温度的条件下通过对半导体薄膜实施等离子体处理来氧化或氮化半导体薄膜，形成第二绝缘膜以覆盖半导体薄膜；在第二绝缘膜上方形成栅电极；形成第三绝缘膜以覆盖栅电极；以及在第三绝缘膜上方形成导电薄膜。
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公开(公告)号：CN1674733A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510060158.9
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5246 , H01L27/3244 , H01L27/3276 , H01L2251/566
Abstract: 本发明的目的是提供用于制作能减少由于在制作发光器件中造成的静电电荷而引起的元件劣化的发光器件的一种方法。本发明的另一目的，是提供一种发光器件，在这种器件中由于被静电电荷造成的元件劣化引起的缺陷被减少。用于制作发光器件的方法包括制作用于驱动发光元件的顶栅型晶体管的步骤。在形成顶栅型晶体管的步骤中，当在加工半导体薄层时，在基底上形成以行和列延伸的第一似栅格的半导体薄层。在第一半导体薄层之间形成多个第二似岛的半导体薄层。多个第二似岛的第二半导体薄层起着晶体管的有源层的作用。
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公开(公告)号：CN1619772A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410100105.0
申请日：2002-01-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/336 , H01L21/8234 , G02F1/133
CPC classification number: H01L21/02672 , G02F1/13454 , H01L21/2022 , H01L21/3226 , H01L27/12 , H01L27/1248 , H01L27/1277 , H01L27/1288 , H01L27/3246 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L51/5253 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在一个衬底上形成第一半导体岛区和第二半导体岛区；在第一和第二半导体岛区上形成栅绝缘膜；在第一半导体岛区之上形成第一和第二栅电极，在第二半导体岛区之上形成第三栅电极，所述第一、第二和第三栅电极都包括第一导电膜和第二导电膜；使用上述第一、第二以及第三栅电极作为掩膜，向上述第一和第二半导体岛区掺入第一杂质元素；使用分别覆盖上述第一和第二栅电极的第一和第二光刻胶掩膜和上述第三栅电极作为掩膜，向上述第一和第二半导体岛区掺入第二杂质元素；和在上述第一和第二栅电极以及第三栅电极上形成一个绝缘膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1419297A
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：CN02157581.9
申请日：2002-11-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/3246 , H01L29/78621 , H01L29/78627 , H01L51/5234 , H01L51/5253 , H01L2251/5315 , H01L2251/566
Abstract: 本发明提高包含TFT和有机发光元件的发光设备的可靠性。该发光设备具有薄膜晶体管和发光元件，包括：半导体下表面上的第一无机绝缘层，栅电极上表面上的第二无机绝缘层，第二无机绝缘层上的第一有机绝缘层，第一有机绝缘层上的第三无机绝缘层，第三无机绝缘层上遍布的布线层，第二有机绝缘层和布线层的末端重叠且具有35－45度的倾斜角，形成在第二有机绝缘层的上表面和侧表面上且在布线层上有开口的第四无机绝缘层，与布线层接触形成且具有与第四无机绝缘层相重叠的侧端，与阴极层和第四无机绝缘层接触形成且包含发光材料的有机化合物层，和包含发光材料的有机化合物层接触形成的阳极层，第三和第四无机绝缘层用氮化硅或氮化铝形成。
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公开(公告)号：CN102812581A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201180016199.1
申请日：2011-03-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/66
CPC classification number: H01M4/134 , H01M4/0428 , H01M4/0471 , H01M4/1395 , H01M4/38 , H01M4/661 , H01M4/662 , H01M4/667 , Y10T29/49108 , Y10T29/49115
Abstract: 目的是提供充放电循环特性优异的二次电池。提供一种二次电池，该二次电池具有包含硅或硅化合物的电极，其中该电极在金属材料的层上设置有包含硅或硅化合物的层；在该金属材料层与该包含硅或硅化合物的层之间设置有所述金属材料和所述硅的混合层；所述金属材料的氧亲和性比该二次电池中进行电荷授受的离子的氧亲和性高；并且，所述金属材料的氧化物不具有绝缘性。进行电荷授受的离子是碱金属离子或碱土金属离子。
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公开(公告)号：CN101882668A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010224591.2
申请日：2003-12-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/52
CPC classification number: H01L27/127 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/3244 , H01L51/0052 , H01L51/0062 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/524 , H01L51/5253
Abstract: 提供一种显示装置，减少了作为使显示装置的特性劣化的原因的从封闭区进入的水分和氧，可靠性高，为此，本发明具有封闭膜，由此显示装置的包含有机材料的层间绝缘膜不与显示装置(面板)外部的大气直接接触。因此，能防止显示装置外部的水和氧通过包含有吸湿性的有机材料的绝缘膜等进入显示装置内。从而，还能防止水和氧等引起的显示装置内部的污染、电气特性的劣化、黑斑或收缩等各种劣化，能提高显示装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN1870233B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610088637.6
申请日：2006-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L27/12 , H01L27/1248 , H01L29/42384
Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在衬底上方形成第一绝缘膜，在第一绝缘膜上方形成半导体薄膜，使用高频波在大于等于1×1011cm-3并小于等于1×1013cm-3的电子密度和大于等于0.5eV并小于等于1.5eV的电子温度的条件下通过对半导体薄膜实施等离子体处理来氧化或氮化半导体薄膜，形成第二绝缘膜以覆盖半导体薄膜；在第二绝缘膜上方形成栅电极；形成第三绝缘膜以覆盖栅电极；以及在第三绝缘膜上方形成导电薄膜。
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公开(公告)号：CN100551179C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200510104144.2
申请日：2005-09-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供一种以高成品率、低成本制造高度可靠的显示器件的方法。根据本发明，在像素电极上形成间隔物，以当形成场致发光层时保护像素电极层不因掩模而损伤。此外，通过用密封材料将包含具有水渗透性的有机材料的层密封在显示器件中，并且使密封材料和含有有机材料的层不连接来防止由污染比如水分引起的发光元件的劣化。由于密封材料形成在显示器件中的驱动器电路区的一部分中，因此还可以实现显示器件的帧边框狭窄化。
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