公开(公告)号：CN1770405A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510107058.7

申请日：2005-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大谷久 ,  森谷幸司 ,  坂倉真之 ,  大沼英人

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/1248 ,  H01L27/1214

Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法。目的在于形成具有绝缘性和平坦性的绝缘膜。通过在包含不活泼气体作为其主要成分并具有5％或更低的氧气浓度和1％或更低的水浓度的气氛中对涂敷后的包含硅氧烷聚合物的树脂进行加热处理，形成绝缘膜。优选地，氧气浓度是1％或更低，水浓度为0.1％或更低。包含硅氧烷的树脂包含甲基和苯基。而且，不活泼气体是氮气。

公开(公告)号：CN1674733A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200510060158.9

申请日：2005-03-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 村上智史 ,  坂倉真之

IPC: H05B33/10 ,  H05B33/08 ,  H05B33/12 ,  H05B33/02

CPC classification number: H01L51/5246 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3276 ,  H01L2251/566

Abstract: 本发明的目的是提供用于制作能减少由于在制作发光器件中造成的静电电荷而引起的元件劣化的发光器件的一种方法。本发明的另一目的，是提供一种发光器件，在这种器件中由于被静电电荷造成的元件劣化引起的缺陷被减少。用于制作发光器件的方法包括制作用于驱动发光元件的顶栅型晶体管的步骤。在形成顶栅型晶体管的步骤中，当在加工半导体薄层时，在基底上形成以行和列延伸的第一似栅格的半导体薄层。在第一半导体薄层之间形成多个第二似岛的半导体薄层。多个第二似岛的第二半导体薄层起着晶体管的有源层的作用。

公开(公告)号：CN100550471C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200510060158.9

申请日：2005-03-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 村上智史 ,  坂倉真之

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/08

CPC classification number: H01L51/5246 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3276 ,  H01L2251/566

Abstract: 本发明的目的是提供用于制作能减少由于在制作发光器件中造成的静电电荷而引起的元件劣化的发光器件的一种方法。本发明的另一目的，是提供一种发光器件，在这种器件中由于被静电电荷造成的元件劣化引起的缺陷被减少。用于制作发光器件的方法包括制作用于驱动发光元件的顶栅型晶体管的步骤。在形成顶栅型晶体管的步骤中，当在加工半导体薄层时，在基底上形成以行和列延伸的第一似栅格的半导体薄层。在第一半导体薄层之间形成多个第二似岛的半导体薄层。多个第二似岛的第二半导体薄层起着晶体管的有源层的作用。