公开(公告)号：CN116868693A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202280014839.3

申请日：2022-02-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  冈崎健一 ,  江口晋吾 ,  方堂凉太

IPC: H05B33/22

Abstract: 提供一种高清晰显示装置。该显示装置包括第一、第二发光器件、第一、第二着色层、第一、第二、第三绝缘体，第一着色层以与第一发光器件重叠的方式配置，第二着色层以与第二发光器件重叠的方式配置，第一发光器件及第二发光器件具有发射白色光的功能，第一着色层具有透过与第二着色层不同的颜色的可见光，第一发光器件包括第一导电层及第一导电层上的第一发光层，第二发光器件包括第二导电层及第二导电层上的第二发光层，第一绝缘体与第一发光器件的侧面的至少一部分接触，第二绝缘体与第二发光器件的侧面的至少一部分接触，第一绝缘体及第二绝缘体配置于第三绝缘体的上，第三绝缘体以覆盖第一导电层的端部及第二导电层的端部的方式配置。

公开(公告)号：CN116830805A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202280014452.8

申请日：2022-02-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  冈崎健一 ,  山根靖正 ,  方堂凉太

IPC: H05B33/22

Abstract: 提供一种高清晰或高分辨率的显示装置。显示装置包括第一发光元件、第二发光元件及侧壁。第一及第二发光元件各自包括像素电极、像素电极上的第一发光层、第一发光层上的中间层、中间层上的第二发光层及第二发光层上的公共电极。也就是说，第一及第二发光元件可以采用串联结构。像素电极、第一发光层、中间层及第二发光层按发光元件分离地设置。第一发光元件与第二发光元件相邻，第一发光元件与第二发光元件之间设置有侧壁。以覆盖像素电极的侧面的至少一部分的方式设置侧壁。

公开(公告)号：CN116762476A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202280011963.4

申请日：2022-01-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 柳泽悠一 ,  笹川慎也 ,  西崎史朗 ,  方堂凉太

IPC: H05B33/10

Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置的制造方法。本发明是一种包括第一至第三绝缘体、第一、第二导电体及第一EL层的显示装置的制造方法。在第一绝缘体上形成第一导电体且在第一绝缘体上及第一导电体上形成第二绝缘体。接着，在第二绝缘体的重叠于第一导电体的区域中形成到达第一导电体的第一开口部。在包含第一、第二绝缘体上及第一导电体上的区域涂敷正型光致抗蚀剂，在光致抗蚀剂中重叠于第一开口部及第一导电体的区域中形成到达第一导电体及第二绝缘体的具有反锥结构的第二开口部。在光致抗蚀剂的第二开口部的底部及光致抗蚀剂上依次形成第一EL层、第二导电体及第三绝缘体，然后去除光致抗蚀剂及形成在光致抗蚀剂上的第一EL层、第二导电体及第三绝缘体。

公开(公告)号：CN116686031A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202180087487.X

申请日：2021-12-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 笹川慎也 ,  方堂凉太 ,  樋浦吉和 ,  藤江贵博

IPC: G09F9/00

Abstract: 提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。本发明的一个方式是一种显示面板，包括：第一发光器件；第二发光器件；分隔壁；第一保护层；以及第二保护层。第一发光器件包括第一电极、第二电极及第一层，第一层夹在电极间，第一层包含第一具有空穴传输性的材料及第一具有电子接收性的物质，第一保护层与第二电极接触。另外，第二发光器件包括第三电极、第四电极及第二层，第二层夹在电极间，第二层包含第一具有空穴传输性的材料及第一具有电子接收性的物质，第二层在与第一层间具有第一间隙。第二保护层在与第一保护层间具有第二间隙，第二间隙与第一间隙重叠，第二保护层与第四电极接触。另外，分隔壁与第一间隙及第二间隙重叠。

公开(公告)号：CN114223060A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202080057006.6

申请日：2020-08-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  安藤善范 ,  方堂凉太 ,  广濑贵史

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种特性的不均匀小的半导体装置。在该半导体装置中，晶体管包括：氧化物半导体；氧化物半导体上的第一导电体及第二导电体；第一导电体上的第一绝缘体；第二导电体上的第二绝缘体；配置在第一绝缘体及第二绝缘体上且其中以重叠于第一导电体与第二导电体间的区域的方式形成第一开口的第三绝缘体；氧化物半导体上且配置在第一导电体与第二导电体间的第四绝缘体；以及第四绝缘体上的第三导电体，电容器包括：第二导电体；形成有到达第二导电体的第二开口的第三绝缘体；配置在第二开口内部的第五绝缘体；以及第五绝缘体上的第四导电体，插头穿过第一绝缘体、第三绝缘体、第一导电体及氧化物半导体，插头与第一导电体电连接，第一绝缘体及第二绝缘体是具有非晶结构的金属氧化物。

公开(公告)号：CN114144894A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202080052839.3

申请日：2020-07-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  笹川慎也 ,  方堂凉太 ,  广濑贵史 ,  小松良宽 ,  栃林克明 ,  菅谷健太郎

IPC: H01L29/786 ,  H01L23/532

Abstract: 提供一种晶体管特性的不均匀小的半导体装置。该半导体装置包括氧化物半导体、氧化物半导体上的第一导电体及第二导电体、与第一导电体的顶面接触的第一绝缘体、与第二导电体的顶面接触的第二绝缘体、位于第一绝缘体及第二绝缘体上且具有与第一导电体及第二导电体之间的区域重叠的开口的第三绝缘体、位于氧化物半导体上且位于第一导电体及第二导电体之间的区域中的第四绝缘体以及第四绝缘体上的第三导电体，并且第一绝缘体及第二绝缘体为包含非晶结构的金属氧化物。

公开(公告)号：CN111542914A

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：CN201880083766.7

申请日：2018-12-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  方堂凉太 ,  鸭川知世 ,  栃林克明

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/363 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种通态电流大且可靠性高的半导体装置。半导体装置包括第一绝缘体、第一绝缘体上的第二绝缘体、第一绝缘体上的第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第二氧化物上的第一导电体及第二导电体、第一导电体上的第三绝缘体、第二导电体上的第四绝缘体、第二氧化物上的第三氧化物、第三氧化物上的第五绝缘体、位于第五绝缘体上且与第三氧化物重叠的第三导电体、覆盖第一至第五绝缘体、第一氧化物、第二氧化物及第一至第三导电体的第六绝缘体以及第六绝缘体上的第七绝缘体，其中第六绝缘体与第一绝缘体的顶面的一部分、第二绝缘体的侧面、第五绝缘体的侧面、第一至第三氧化物的侧面、第一至第三导电体的侧面及第三导电体的顶面接触。

公开(公告)号：CN119452754A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202380033056.4

申请日：2023-04-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 方堂凉太 ,  远藤俊弥 ,  中野贤 ,  山崎舜平

IPC: H10D30/67 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H10D30/01 ,  H01L21/768 ,  H10D84/03 ,  H01L23/522 ,  H10D84/00 ,  H10D84/40 ,  H10D84/83 ,  H10D64/23 ,  H10B12/00 ,  H10B41/70 ,  H10B99/00

Abstract: 提供一种可以实现微型化或高集成化的半导体装置。在衬底上依次形成氧化物半导体、第一导电体、第一绝缘体、第二绝缘体、无机膜、第一涂敷膜及第二涂敷膜；通过干蚀刻法加工第二涂敷膜而形成岛状的第二涂敷膜；使用岛状的第二涂敷膜作为掩模通过干蚀刻法加工第一涂敷膜而形成岛状的第一涂敷膜且去除抗蚀剂掩模；使用岛状的第一涂敷膜作为掩模通过干蚀刻法依次加工无机膜、第二绝缘体、第一绝缘体及第一导电体而形成岛状的无机膜、岛状的第二绝缘体、岛状的第一绝缘体及岛状的第一导电体且去除岛状的第二涂敷膜；使用岛状的无机膜作为掩模通过干蚀刻法加工氧化物半导体而形成岛状的氧化物半导体且去除岛状的第一涂敷膜；以及通过干蚀刻法去除岛状的无机膜，其中第一绝缘体为氮化物，第二绝缘体为氧化物。

公开(公告)号：CN119013792A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202380034188.9

申请日：2023-04-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 远藤俊弥 ,  方堂凉太 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H10B12/00 ,  H10B41/70 ,  H10B99/00

Abstract: 提供一种可以实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括：衬底上的氧化物；氧化物上的彼此隔开的第一导电体及第二导电体；与第一导电体的顶面接触的第三导电体；与第二导电体的顶面接触的第四导电体；第三导电体及第四导电体上的具有开口的第一绝缘体；配置在第一绝缘体的开口内且与第一导电体的顶面、第二导电体的顶面、第三导电体的侧面及第四导电体的侧面接触的第二绝缘体；第二绝缘体上的第三绝缘体；以及第三绝缘体上的第五导电体，第一绝缘体所具有的开口具有与第三导电体和第四导电体之间的区域重叠的区域，第三绝缘体在第一导电体和第二导电体之间的区域中与氧化物的顶面接触，在晶体管的沟道长度方向的截面中，第一导电体和第二导电体之间的距离小于第三导电体和第四导电体之间的距离。

公开(公告)号：CN118679862A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202380020436.4

申请日：2023-01-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大贯达也 ,  加藤清 ,  国武宽司 ,  方堂凉太

IPC: H10B12/00 ,  G11C11/405 ,  H01L29/786 ,  H10B41/70 ,  H10B99/00

Abstract: 提供能够实现微型化或高集成化的半导体装置。半导体装置具有包括第一至第三晶体管及电容器的存储单元。在第一至第三晶体管中金属氧化物的侧面被源电极及漏电极覆盖。第二及第三晶体管共用金属氧化物。在第一至第三晶体管上方设置电容器。以包括与第一晶体管的源电极及漏电极中的一个的顶面及侧面接触的区域的方式设置包括被用作写入位线的区域的导电体。以包括与第三晶体管的源电极及漏电极中的一个的顶面及侧面接触的区域的方式设置包括被用作读出位线的区域的导电体。第一晶体管的源电极及漏电极中的另一个及第二晶体管的栅极与电容器的一个电极电连接。