半导体装置
    22.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102097439B

    公开(公告)日:2012-12-05

    申请号:CN201010539117.9

    申请日:2006-12-04

    Inventor: 山田大干

    CPC classification number: H01L27/1266 H01L27/1248 H01L29/78603

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种有防水性且可靠性高的半导体装置的制造方法,包括如下步骤:在衬底上依次形成剥离层、无机绝缘层、包括有机化合物层的元件形成层;将剥离层和无机绝缘层剥离或者将衬底和无机绝缘层剥离;将无机绝缘层的一部分或无机绝缘层以及元件形成层的一部分去掉来至少使无机绝缘层分离得成为多个部分,并在分离了的无机绝缘层的外缘层叠有机化合物层、柔性衬底和粘合剂中的任两个或更多;以及将有机化合物层、柔性衬底和粘合剂中的任两个或更多层叠的区域分割。

Patent Agency Ranking