公开(公告)号：CN102160104B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN200980137844.8

申请日：2009-08-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  秋元健吾 ,  小森茂树 ,  鱼地秀贵 ,  和田理人 ,  千叶阳子

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/3276 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/5221

Abstract: 一种显示装置包括其中像素以矩阵状排列的像素部，该像素包括：具有含氧量不同的至少两种氧化物半导体层的组合并在与栅电极层重叠的成为沟道形成区的半导体层上具有沟道保护层的反交错型薄膜晶体管；以及与该反交错型薄膜晶体管电连接的像素电极层。在该显示装置中的该像素部的周边，设置有包括由与所述像素电极层相同材料而形成的导电层的焊盘部。并且，所述导电层电连接到形成在对置衬底上的共同电极层。

公开(公告)号：CN102150191B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN200980135451.3

申请日：2009-08-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  秋元健吾 ,  小森茂树 ,  鱼地秀贵 ,  二村智哉 ,  笠原崇广

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/0266 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/13394 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/13624 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/247 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种保护电路，其包括非线性元件，所述非线性元件进一步包括：栅电极；覆盖栅电极的栅极绝缘层；一对第一及第二布线层，在栅极绝缘层上其端部与栅电极重叠，并且其中层叠导电层和第二氧化物半导体层；第一氧化物半导体层，其至少与栅电极重叠并与栅极绝缘层、第一及第二布线层的导电层的侧面部和第二氧化物半导体层的侧面部及顶面部接触。在栅极绝缘层上，物理性不同的氧化物半导体层彼此接合，从而与肖特基结相比可以执行稳定的操作。因此，可以减少结的泄漏，并可以提高非线性元件的特性。

公开(公告)号：CN101378082B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200810212476.6

申请日：2008-08-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小林聪 ,  川俣郁子 ,  大力浩二 ,  小森茂树 ,  伊佐敏行 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1368

Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有电特性及可靠性都高的薄膜晶体管的显示装置、以及一种量产性高地制造该显示装置的方法。在具有沟道停止型的反交错型薄膜晶体管的显示装置中，该沟道停止型的反交错型薄膜晶体管具有包括沟道形成区的微晶半导体膜，并且在该微晶半导体膜的沟道形成区中的不重叠于源电极及漏电极的区域中选择性地设置有包括一种导电型的杂质元素的杂质区。

公开(公告)号：CN102646600A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210102929.6

申请日：2006-05-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  永井雅晴 ,  纳光明 ,  坂仓真之 ,  小森茂树 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/78645

Abstract: 半导体设备及其制造方法。本发明的一个目的在于，在有限的面积中形成多个元件，以便减少由用于集成的元件占用的面积，使得可在诸如液晶显示设备和含有EL元件的发光设备的半导体设备中推动更高的分辨率(增加像素数量)、以小型化来减少每一显示像素的节距以及驱动像素部分的驱动电路的集成。对光刻过程应用配备有由衍射光栅图案或半透明薄膜构成并具有降低光强度的功能的辅助图案的光掩膜或标线，用于形成栅电极以便形成复杂栅电极。此外，可通过仅仅改变掩膜而无需增加处理的次数在同一衬底上形成具有上述多栅结构的顶栅TFT和具有单栅结构的顶栅TFT。

公开(公告)号：CN1866540B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200610084061.6

申请日：2006-05-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  永井雅晴 ,  纳光明 ,  坂仓真之 ,  小森茂树 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/78645

Abstract: 本发明的一个目的在于，在有限的面积中形成多个元件，以便减少由用于集成的元件占用的面积，使得可在诸如液晶显示设备和含有EL元件的发光设备的半导体设备中推动更高的分辨率(增加像素数量)、以小型化来减少每一显示像素的节距以及驱动像素部分的驱动电路的集成。对光刻过程应用配备有由衍射光栅图案或半透明薄膜构成并具有降低光强度的功能的辅助图案的光掩膜或标线，用于形成栅电极以便形成复杂栅电极。此外，可通过仅仅改变掩膜而无需增加处理的次数在同一衬底上形成具有上述多栅结构的顶栅TFT和具有单栅结构的顶栅TFT。

公开(公告)号：CN102160105A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200980137845.2

申请日：2009-08-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  秋元健吾 ,  小森茂树 ,  鱼地秀贵 ,  和田理人 ,  千叶阳子

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种适用于设置在显示面板中的共同连接部的结构。设置在像素部的外侧区域的共同连接部具有使用与栅极绝缘层相同的层形成的绝缘层、使用与第二氧化物半导体层相同的层形成的氧化物半导体层、以及使用与导电层相同的层形成的导电层(也称为共同电位线)的层叠结构，其中，通过设置在第一氧化物半导体层上的层间绝缘层中的开口，导电层(也称为共同电位线)连接到共同电极，并且与像素电极相对的电极通过导电粒子电连接到共同电极。

公开(公告)号：CN101884112A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200880118999.2

申请日：2008-11-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  小森茂树 ,  伊佐敏行 ,  小松立

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78609

Abstract: 本发明提供了一种使用少数量掩模的薄膜晶体管和显示器件的制造方法。将第一导电膜、绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜、和第二导电膜堆叠。然后，使用多色调掩模在其上面形成具有凹陷部分的抗蚀剂掩模。执行第一蚀刻以形成薄膜堆叠体，并执行其中对薄膜堆叠体进行侧蚀刻的第二蚀刻以形成栅极电极层。使抗蚀剂凹入，然后形成源极电极、漏极电极等；由此，制造薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN115997276A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202180052289.X

申请日：2021-08-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  山根靖正 ,  安藤善范 ,  小森茂树 ,  方堂凉太 ,  大贯达也 ,  笹川慎也

IPC: H01L21/336

Abstract: 提供一种晶体管特性不均匀少的半导体装置。该半导体装置包括第一器件层至第n(n为2以上的自然数)器件层，该器件层分别包括第一阻挡绝缘膜、第二阻挡绝缘膜、第三阻挡绝缘膜、氧化物半导体器件、第一导电体及第二导电体，第一器件层至第n器件层中，在第一阻挡绝缘膜上配置氧化物半导体器件，以覆盖氧化物半导体器件的方式配置第二阻挡绝缘膜，通过在第二阻挡绝缘膜形成的开口以与氧化物半导体器件电连接的方式配置第一导电体，在第一导电体上配置第二导电体，在第二导电体及第二阻挡绝缘膜上配置第三阻挡绝缘膜，第一阻挡绝缘膜至第三阻挡绝缘膜具有抑制氢的扩散的功能。

公开(公告)号：CN107564967A

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201710928567.9

申请日：2013-07-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 横山雅俊 ,  小森茂树 ,  佐藤学 ,  冈崎健一 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明涉及显示装置。本发明的目的是通过抑制因来自有机绝缘膜的释放气体造成的晶体管特性的变动，来提高显示装置的可靠性。该显示装置包括晶体管(150)、为了减少因该晶体管(150)导致的不均匀度而设置于晶体管(150)上的有机绝缘膜(117)、以及有机绝缘膜(117)上的电容器(170)。有机绝缘膜(117)的整体表面不被在晶体管(150)的上侧上的电容器(170)的构成要素覆盖，并且来自有机绝缘膜(117)的释放气体能够从有机绝缘膜(117)的上表面的露出部分释放到外部。

公开(公告)号：CN104485362B

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201410649540.2

申请日：2008-08-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小林聪 ,  川俣郁子 ,  大力浩二 ,  小森茂树 ,  伊佐敏行 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/04 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种显示装置以及显示装置的制造方法。本发明的目的在于提供一种具有电特性及可靠性都高的薄膜晶体管的显示装置、以及一种量产性高地制造该显示装置的方法。在具有沟道停止型的反交错型薄膜晶体管的显示装置中，该沟道停止型的反交错型薄膜晶体管具有包括沟道形成区的微晶半导体膜，并且在该微晶半导体膜的沟道形成区中的不重叠于源电极及漏电极的区域中选择性地设置有包括一种导电型的杂质元素的杂质区。