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公开(公告)号：CN107564967A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710928567.9
申请日：2013-07-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及显示装置。本发明的目的是通过抑制因来自有机绝缘膜的释放气体造成的晶体管特性的变动，来提高显示装置的可靠性。该显示装置包括晶体管(150)、为了减少因该晶体管(150)导致的不均匀度而设置于晶体管(150)上的有机绝缘膜(117)、以及有机绝缘膜(117)上的电容器(170)。有机绝缘膜(117)的整体表面不被在晶体管(150)的上侧上的电容器(170)的构成要素覆盖，并且来自有机绝缘膜(117)的释放气体能够从有机绝缘膜(117)的上表面的露出部分释放到外部。
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公开(公告)号：CN116981293A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310483967.9
申请日：2023-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K59/12 , G09G3/3208 , G09G3/32 , H10K59/121 , H01L27/15
Abstract: 提供一种窄边框的廉价显示装置及电子设备。该显示装置具有包括发光器件的第一像素、包括受光器件的第二像素以及用来读出由第二像素获取的信息的读出电路。该读出电路具有所安装的IC芯片所包括的第一电路及以单片方式形成在形成有像素电路的衬底上的第二电路。通过采用该结构，可以从IC芯片省去相当于第二电路的电路，由此可以实现IC芯片的小型化。
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公开(公告)号：CN114730807A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080078058.1
申请日：2020-11-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
Abstract: 提供一种可靠性高的半导体装置。半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管、电容器以及第一至第四布线。第一晶体管包括第一栅极及第二栅极，第一晶体管的源极和漏极中的一个与第一布线及第二栅极连接，第一晶体管的源极和漏极中的另一个与第二晶体管的源极和漏极中的一个及电容器的一个电极连接。第二晶体管的栅极与电容器的另一个电极连接，第二晶体管的源极和漏极中的另一个与第二布线连接。第一布线被供应第一电位，第二布线交替被供应第二电位及第三电位。第三布线与第一栅极连接，并被供应第一信号。第四布线与第二晶体管的栅极连接，并被供应使第一信号反转的第二信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107564967B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201710928567.9
申请日：2013-07-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及显示装置。本发明的目的是通过抑制因来自有机绝缘膜的释放气体造成的晶体管特性的变动，来提高显示装置的可靠性。该显示装置包括晶体管(150)、为了减少因该晶体管(150)导致的不均匀度而设置于晶体管(150)上的有机绝缘膜(117)、以及有机绝缘膜(117)上的电容器(170)。有机绝缘膜(117)的整体表面不被在晶体管(150)的上侧上的电容器(170)的构成要素覆盖，并且来自有机绝缘膜(117)的释放气体能够从有机绝缘膜(117)的上表面的露出部分释放到外部。
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公开(公告)号：CN104508548B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201380038555.9
申请日：2013-07-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1343 , G09F9/30
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/133345 , G02F1/134309 , G02F1/13439 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F1/136277 , G02F2001/134372 , G02F2202/02 , G02F2202/10 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/42356 , H01L29/42384 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的目的是通过抑制因来自有机绝缘膜的释放气体造成的晶体管特性的变动，来提高显示装置的可靠性。该显示装置包括晶体管(150)、为了减少因该晶体管(150)导致的不均匀度而设置于晶体管(150)上的有机绝缘膜(117)、以及有机绝缘膜(117)上的电容器(170)。有机绝缘膜(117)的整体表面不被在晶体管(150)的上侧上的电容器(170)的构成要素覆盖，并且来自有机绝缘膜(117)的释放气体能够从有机绝缘膜(117)的上表面的露出部分释放到外部。
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公开(公告)号：CN104508548A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380038555.9
申请日：2013-07-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1343 , G09F9/30
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/133345 , G02F1/134309 , G02F1/13439 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F1/136277 , G02F2001/134372 , G02F2202/02 , G02F2202/10 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/42356 , H01L29/42384 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的目的是通过抑制因来自有机绝缘膜的释放气体造成的晶体管特性的变动，来提高显示装置的可靠性。该显示装置包括晶体管(150)、为了减少因该晶体管(150)导致的不均匀度而设置于晶体管(150)上的有机绝缘膜(117)、以及有机绝缘膜(117)上的电容器(170)。有机绝缘膜(117)的整体表面不被在晶体管(150)的上侧上的电容器(170)的构成要素覆盖，并且来自有机绝缘膜(117)的释放气体能够从有机绝缘膜(117)的上表面的露出部分释放到外部。
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公开(公告)号：CN119678669A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202380058071.4
申请日：2023-07-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10D30/67 , H10D30/01 , H10D84/01 , H10D84/83 , H10D84/00 , G09F9/00 , G09F9/30 , G09G3/20 , G09G3/3225 , G11C19/28 , H03K3/356 , H03K19/0175 , H03K19/094
Abstract: 提供一种新颖信号输出电路。本发明是包括具有纵向沟道型晶体管的信号输出电路的移位寄存器。通过将纵向沟道型晶体管的栅极‑源极间寄生电容和栅极漏极间寄生电容中的电容值较大的一个用作自举电容，实现占有面积小的信号输出电路。通过将氧化物半导体用于纵向沟道型晶体管的半导体层，源极和漏极间的绝缘耐压得到提高，可以缩短沟道长度。另外，在高温环境下也可以实现稳定的工作。
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公开(公告)号：CN114830240A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202080085914.6
申请日：2020-12-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括第一至第三晶体管以及电容器。第一晶体管的源极和漏极中的一个被供应第一信号，其中另一个与第二晶体管的栅极及电容器的一个电极连接，栅极被供应第二脉冲信号。第二晶体管的源极和漏极中的一个被供应第一脉冲信号，其中另一个与电容器的另一个电极及第三晶体管的源极和漏极中的一个连接。第三晶体管的源极和漏极中的另一个被供应第一电位，栅极被供应使第一信号反转的第二信号。第一脉冲信号为时钟信号，第二脉冲信号为占空比为55％以下的信号。
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