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公开(公告)号：CN102655220A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201210051611.X
申请日：2012-03-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3204 , H01L51/5212 , H01L51/5228 , H01L2251/5361
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可靠性高的发光装置或照明装置。另外，本发明的目的在于提供一种制造成品率高的发光装置或照明装置。本发明提供一种具有以下结构的发光装置：通过使用以倒锥形为代表的底部轮廓位于上部轮廓内侧的形状的分离层，并具有利用发光层材料成膜时的覆盖量与上部电极材料成膜时的覆盖量的差的接触结构。另外，通过将形成该接触部的分离层的轮廓设置为凹凸形状，可以增加该接触部的长度，从而降低接触电阻。
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公开(公告)号：CN114830240A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202080085914.6
申请日：2020-12-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括第一至第三晶体管以及电容器。第一晶体管的源极和漏极中的一个被供应第一信号，其中另一个与第二晶体管的栅极及电容器的一个电极连接，栅极被供应第二脉冲信号。第二晶体管的源极和漏极中的一个被供应第一脉冲信号，其中另一个与电容器的另一个电极及第三晶体管的源极和漏极中的一个连接。第三晶体管的源极和漏极中的另一个被供应第一电位，栅极被供应使第一信号反转的第二信号。第一脉冲信号为时钟信号，第二脉冲信号为占空比为55％以下的信号。
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公开(公告)号：CN105051596B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201480018108.1
申请日：2014-03-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1335 , H01L29/786
Abstract: 提供了一种能够实现良好的反射显示的新颖显示装置。该显示装置包括：晶体管，其包括栅电极层、该栅电极层上的栅极绝缘层、该栅极绝缘层上的半导体层、和在该栅极绝缘层及半导体层上的源电极层及漏电极层；与该源电极层及该漏电极层同一平面上的反射电极层；与该反射电极层重叠的着色层；与该着色层重叠的像素电极层；以及连接到该源电极层和该漏电极层中的一个的抗氧化导电层。该像素电极层通过该抗氧化导电层连接到该晶体管。
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公开(公告)号：CN107293264B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201710195990.2
申请日：2017-03-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/36 , G09G3/32 , G09G3/3208
Abstract: 本发明的一个方式的目的是提高显示品质且降低功耗。本发明的一个方式是一种显示装置，该显示装置包括栅极驱动器、显示部及选择信号输出电路，其中，显示部包括多个像素电路及多个第一扫描线，像素电路包括第一显示元件，栅极驱动器与多个第一扫描线电连接，第一扫描线与多个像素电路电连接，第一扫描线具有被供应第一扫描信号的功能，选择信号输出电路具有输出第一选择信号的功能，第一选择信号所选择的扫描线被供应第一扫描信号，第一显示元件具有根据第一扫描信号刷新显示的功能，在显示部中使用以不同的频率被刷新的第一显示元件进行显示。
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公开(公告)号：CN102655220B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201210051611.X
申请日：2012-03-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3204 , H01L51/5212 , H01L51/5228 , H01L2251/5361
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可靠性高的发光装置或照明装置。另外，本发明的目的在于提供一种制造成品率高的发光装置或照明装置。本发明提供一种具有以下结构的发光装置：通过使用以倒锥形为代表的底部轮廓位于上部轮廓内侧的形状的分离层，并具有利用发光层材料成膜时的覆盖量与上部电极材料成膜时的覆盖量的差的接触结构。另外，通过将形成该接触部的分离层的轮廓设置为凹凸形状，可以增加该接触部的长度，从而降低接触电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114730807A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080078058.1
申请日：2020-11-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
Abstract: 提供一种可靠性高的半导体装置。半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管、电容器以及第一至第四布线。第一晶体管包括第一栅极及第二栅极，第一晶体管的源极和漏极中的一个与第一布线及第二栅极连接，第一晶体管的源极和漏极中的另一个与第二晶体管的源极和漏极中的一个及电容器的一个电极连接。第二晶体管的栅极与电容器的另一个电极连接，第二晶体管的源极和漏极中的另一个与第二布线连接。第一布线被供应第一电位，第二布线交替被供应第二电位及第三电位。第三布线与第一栅极连接，并被供应第一信号。第四布线与第二晶体管的栅极连接，并被供应使第一信号反转的第二信号。
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公开(公告)号：CN113470589A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110769027.7
申请日：2017-03-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/36 , G09G3/32 , G09G3/3266 , G09G3/3225
Abstract: 本发明的一个方式的目的是提高显示品质且降低功耗。本发明的一个方式是一种显示装置，该显示装置包括栅极驱动器、显示部及选择信号输出电路，其中，显示部包括多个像素电路及多个第一扫描线，像素电路包括第一显示元件，栅极驱动器与多个第一扫描线电连接，第一扫描线与多个像素电路电连接，第一扫描线具有被供应第一扫描信号的功能，选择信号输出电路具有输出第一选择信号的功能，第一选择信号所选择的扫描线被供应第一扫描信号，第一显示元件具有根据第一扫描信号刷新显示的功能，在显示部中使用以不同的频率被刷新的第一显示元件进行显示。
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公开(公告)号：CN113470589B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202110769027.7
申请日：2017-03-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/36 , G09G3/32 , G09G3/3266 , G09G3/3225
Abstract: 本发明的一个方式的目的是提高显示品质且降低功耗。本发明的一个方式是一种显示装置，该显示装置包括栅极驱动器、显示部及选择信号输出电路，其中，显示部包括多个像素电路及多个第一扫描线，像素电路包括第一显示元件，栅极驱动器与多个第一扫描线电连接，第一扫描线与多个像素电路电连接，第一扫描线具有被供应第一扫描信号的功能，选择信号输出电路具有输出第一选择信号的功能，第一选择信号所选择的扫描线被供应第一扫描信号，第一显示元件具有根据第一扫描信号刷新显示的功能，在显示部中使用以不同的频率被刷新的第一显示元件进行显示。
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公开(公告)号：CN107293264A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710195990.2
申请日：2017-03-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/36 , G09G3/32 , G09G3/3208
CPC classification number: G06F3/0412 , G06F3/0416 , G06F3/044 , G09G3/3611 , G09G3/32 , G09G3/3208
Abstract: 本发明的一个方式的目的是提高显示品质且降低功耗。本发明的一个方式是一种显示装置，该显示装置包括栅极驱动器、显示部及选择信号输出电路，其中，显示部包括多个像素电路及多个第一扫描线，像素电路包括第一显示元件，栅极驱动器与多个第一扫描线电连接，第一扫描线与多个像素电路电连接，第一扫描线具有被供应第一扫描信号的功能，选择信号输出电路具有输出第一选择信号的功能，第一选择信号所选择的扫描线被供应第一扫描信号，第一显示元件具有根据第一扫描信号刷新显示的功能，在显示部中使用以不同的频率被刷新的第一显示元件进行显示。
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公开(公告)号：CN105051596A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201480018108.1
申请日：2014-03-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1335 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/133345 , G02F1/133553 , G02F1/13439 , G02F1/1368 , G02F2001/136218 , H01L29/41733 , H01L29/78618
Abstract: 提供了一种能够实现良好的反射显示的新颖显示装置。该显示装置包括：晶体管，其包括栅电极层、该栅电极层上的栅极绝缘层、该栅极绝缘层上的半导体层、和在该栅极绝缘层及半导体层上的源电极层及漏电极层；与该源电极层及该漏电极层同一平面上的反射电极层；与该反射电极层重叠的着色层；与该着色层重叠的像素电极层；以及连接到该源电极层和该漏电极层中的一个的抗氧化导电层。该像素电极层通过该抗氧化导电层连接到该晶体管。
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