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公开(公告)号:CN114730807A
公开(公告)日:2022-07-08
申请号:CN202080078058.1
申请日:2020-11-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
Abstract: 提供一种可靠性高的半导体装置。半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管、电容器以及第一至第四布线。第一晶体管包括第一栅极及第二栅极,第一晶体管的源极和漏极中的一个与第一布线及第二栅极连接,第一晶体管的源极和漏极中的另一个与第二晶体管的源极和漏极中的一个及电容器的一个电极连接。第二晶体管的栅极与电容器的另一个电极连接,第二晶体管的源极和漏极中的另一个与第二布线连接。第一布线被供应第一电位,第二布线交替被供应第二电位及第三电位。第三布线与第一栅极连接,并被供应第一信号。第四布线与第二晶体管的栅极连接,并被供应使第一信号反转的第二信号。