公开(公告)号：CN101740583A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910212199.3

申请日：2009-11-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  长多刚 ,  秋元健吾 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L29/423 ,  H01L21/84 ,  H01L21/34 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。随着显示器件具有较高的清晰度，像素、栅极线和信号线的数量都增加。当栅极线和信号线的数量增加时，存在难以通过结合等安装包括驱动栅极线和信号线的驱动电路的IC芯片，从而使制造成本增大的问题。将像素部分和驱动像素部分的驱动电路设置在相同衬底上，使驱动电路的至少一部分包括使用插在设置在氧化物半导体上方和下方的栅电极之间的氧化物半导体的薄膜晶体管。因此，当将像素部分和驱动电路设置在相同衬底上时，可以降低制造成本。

公开(公告)号：CN101533780A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200910128712.0

申请日：2009-03-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  沟口隆文

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/027 ,  H01L21/28 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明的名称为薄膜晶体管的制造方法及显示装置的制造方法，提供掩模数目少的薄膜晶体管及显示装置的制造方法。通过如下步骤形成薄膜晶体管：形成导电膜；在所述导电膜上具有图案的薄膜叠层体；在所述薄膜叠层体中以到达所述导电膜的方式形成开口部；使用侧面蚀刻加工所述导电膜来形成栅电极层；以及在所述栅电极层上形成绝缘层、半导体层、源电极及漏电极层。通过设置开口部，蚀刻的控制性提高。

公开(公告)号：CN101271827A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200710185774.6

申请日：2007-10-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  宫入秀和 ,  神保安弘

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L27/1288 ,  B23K26/0661 ,  B23K26/0732 ,  G03F7/20 ,  G03F7/70291 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明涉及用于制造半导体器件的方法。本发明提供一种方法，通过这种方法可简单和精确地实施薄膜方法并且不使用抗蚀剂。进一步，本发明提供一种以低成本制造半导体器件的方法。在基板之上形成第一层，在该第一层之上形成剥落层，使用激光束从剥落层侧选择性照射该剥落层以减小部分剥落层的粘附性。接着，去除在具有减小的粘附性的部分中的剥落层，并且剥落层的剩余部分用作掩模以选择性刻蚀第一层。

公开(公告)号：CN101217150A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200710154325.5

申请日：2003-03-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  加藤清 ,  矶部敦生 ,  宫入秀和 ,  须泽英臣

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02609 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/04 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供有高电流驱动能力、能够高速运转并在多个半导体元件中几乎没有变化的半导体元件。它以下述事实为特征：半导体元件有包括多个晶体取向的第一结晶半导体区，第一结晶半导体区连接到导电的第二结晶半导体区，其中第一结晶半导体区在平行于在绝缘表面上的线形条状图形中延伸的绝缘膜的方向延伸，且第二结晶半导体区被提供，包括以线形条状图形延伸的绝缘膜。

公开(公告)号：CN100350617C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN03107081.7

申请日：2003-03-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  加藤清 ,  矶部敦生 ,  宫入秀和 ,  须泽英臣

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/02609 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/04 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供有高电流驱动能力、能够高速运转并在多个半导体元件中几乎没有变化的半导体元件。它以下述事实为特征：半导体元件有包括多个晶体取向的第一结晶半导体区，第一结晶半导体区连接到导电的第二结晶半导体区，其中第一结晶半导体区在平行于在绝缘表面上的线形条状图形中延伸的绝缘膜的方向延伸，且第二结晶半导体区被提供，包括以线形条状图形延伸的绝缘膜。

公开(公告)号：CN1828834A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610006425.9

申请日：2002-09-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  宫入秀和 ,  志贺爱子 ,  下村明久 ,  矶部敦生

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  B23K26/073 ,  B23K101/40

Abstract: 本发明的特征在于通过倾斜入射到凸透镜的激光束，出现诸如像散等的像差，并且激光束的形状在照射表面或其周围区域内形成线状。由于本发明具有非常简单的结构，光线调节较容易，并且器件尺寸变小。此外，由于光束相对于被照体倾斜入射，可防止返回光束。

公开(公告)号：CN1435897A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN03102284.7

申请日：2003-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  山崎舜平 ,  小久保千穗 ,  田中幸一郎 ,  下村明久 ,  荒尾达也 ,  宫入秀和

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 为了提供由半导体元件或半导体元件组组成的半导体装置，其中在沟道形成区中具有尽可能少的晶粒边界的结晶半导体膜形成于绝缘表面上，其可以高速运转，其具有高的电流驱动性能，且其在元件之间更少波动。本发明的方法包括：在具有绝缘表面的衬底上形成有开口的绝缘膜；在绝缘膜上和开口之上形成具有任意形成的晶粒边界的非晶半导体膜或多晶半导体膜；通过融化半导体膜，将融化的半导体灌入绝缘膜的开口中，并晶化或重结晶半导体膜形成结晶半导体膜；除去在开口中的结晶半导体膜部分之外的结晶半导体膜以形成与结晶半导体膜的顶面接触栅绝缘膜和栅电极。

公开(公告)号：CN119014145A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202380027639.6

申请日：2023-03-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  宫入秀和 ,  方堂凉太

IPC: H10K71/20 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H10K59/122 ,  H10K59/35

Abstract: 提供一种高清晰化的显示装置。形成覆盖像素电极的端部的第一绝缘层，形成与第一绝缘层的一部分及第一像素电极重叠的第一层，并使第一绝缘层的其他一部分及第二像素电极露出，形成与第一绝缘层的其他一部分及第二像素电极重叠的第二层，形成覆盖第一绝缘层的第二绝缘层，在第二绝缘层上形成与第一绝缘层重叠的树脂层，以覆盖第一膜、第二膜及树脂层的方式形成公共电极。并且，第一膜包含发射第一光的第一发光材料，第二膜包含发射与第一光不同颜色的第二光的第二发光材料。

公开(公告)号：CN102903759B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201210403155.0

申请日：2008-09-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  笹川慎也 ,  石塚章广

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/6675 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696 ,  H01L33/0058 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭示了薄膜晶体管和显示设备的制造方法，并且提供一种漏电流小且可靠性高的半导体装置的制造方法。在薄膜晶体管的制造方法中，通过利用抗蚀掩模进行蚀刻来在薄膜晶体管中形成背沟道部，通过去掉该抗蚀掩模并蚀刻所述背沟道部的一部分，去掉残存于背沟道部上的蚀刻残渣等，由此可以降低产生的漏电流。当进一步蚀刻背沟道部时，可以以无偏向的干法蚀刻来进行。

公开(公告)号：CN102386072B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201110228409.5

申请日：2011-08-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小松立 ,  神保安弘 ,  宫入秀和

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种以高生产率制造电特性优良的半导体装置的方法。本发明的一个方式如下：在第一条件下在绝缘膜上形成以低微粒密度具有高结晶性的混合相微粒的晶种，然后在第二条件下使混合相微粒生长而以填埋混合相微粒的空隙的方式在晶种上形成第一微晶半导体膜，并且，在不扩大第一微晶半导体膜所包含的混合相微粒之间的空隙且形成高结晶性的微晶半导体膜的第三条件下在第一微晶半导体膜上层叠形成第二微晶半导体膜。