公开(公告)号：CN107104109A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201710362808.8

申请日：2012-10-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之 ,  后藤裕吾 ,  三宅博之 ,  黑崎大辅

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: G11C19/184 ,  G09G2310/0275 ,  G09G2310/0286 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 半导体装置。本发明的一个方式提供一种能够防止静电破坏所引起的成品率的降低的半导体装置，其中，对扫描线供应用来选择多个像素的信号的扫描线驱动电路包括生成上述信号的移位寄存器，并且，在上述移位寄存器中将用作多个晶体管的栅电极的一个导电膜分割为多个，由形成在与上述被分割的导电膜不同的层中的导电膜使上述被分割的导电膜彼此电连接。上述多个晶体管包括移位寄存器的输出一侧的晶体管。

公开(公告)号：CN103035192B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201210378806.5

申请日：2012-10-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之 ,  后藤裕吾 ,  三宅博之 ,  黑崎大辅

IPC: G09G3/20 ,  H01L29/78

CPC classification number: G11C19/184 ,  G09G2310/0275 ,  G09G2310/0286 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明的一个方式提供一种能够防止静电破坏所引起的成品率的降低的半导体装置，其中，对扫描线供应用来选择多个像素的信号的扫描线驱动电路包括生成上述信号的移位寄存器，并且，在上述移位寄存器中将用作多个晶体管的栅电极的一个导电膜分割为多个，由形成在与上述被分割的导电膜不同的层中的导电膜使上述被分割的导电膜彼此电连接。上述多个晶体管包括移位寄存器的输出一侧的晶体管。

公开(公告)号：CN106165106A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201580016956.3

申请日：2015-03-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂仓真之

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/092 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明可以提供一种寄生电容小的晶体管。可以提供一种频率特性高的晶体管。可以提供一种包括该晶体管的半导体装置。提供一种晶体管，包括氧化物半导体、第一导电体、第二导电体、第三导电体、第一绝缘体以及第二绝缘体。第一导电体具有第一导电体与氧化物半导体隔着第一绝缘体相互重叠的第一区域、第一导电体与第二导电体隔着第一绝缘体及第二绝缘体相互重叠的第二区域以及第一导电体与第三导电体隔着第一绝缘体及第二绝缘体相互重叠的第三区域。氧化物半导体包括该氧化物半导体与第二导电体接触的第四区域以及该氧化物半导体与第三导电体接触的第五区域。

公开(公告)号：CN105810753A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610240258.8

申请日：2010-08-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  野田耕生 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪 ,  丸山穗高

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体器件及其制造方法。本发明的一个目的是制造含有电特性稳定的薄膜晶体管的高度可靠的半导体器件。覆盖薄膜晶体管的氧化物半导体层的绝缘层含有硼元素或铝元素。通过使用含有硼元素或铝元素的硅靶或氧化硅靶的溅射法来形成含有硼元素或铝元素的绝缘层。可选地，含有替代硼元素的锑(Sb)元素或磷(P)元素的绝缘层覆盖薄膜晶体管的氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN102484139B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201080039662.X

申请日：2010-09-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂仓真之 ,  宫永昭治 ,  高桥正弘 ,  广桥拓也 ,  岛津贵志

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的之一是提供一种具有适合用于半导体装置的新的结构的氧化物半导体层。此外，本发明的目的之一是提供一种使用具有新的结构的氧化物半导体层的半导体装置。本发明是一种氧化物半导体层，包括：以非晶为主要结构的非晶区域以及表面的附近的包含In2Ga2ZnO7的晶粒的结晶区域，其中，晶粒被取向为其c轴成为大体上垂直于表面的方向。此外，本发明是一种使用这种氧化物半导体层的半导体装置。

公开(公告)号：CN101499477B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN200810185584.9

申请日：2006-02-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之 ,  野田刚司 ,  桑原秀明 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L27/3244 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3248 ,  H01L51/0011 ,  H01L51/5052 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5209 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明提供一种在制造有源矩阵型发光器件时，能够在比常规更短的时间内实现以低成本和高成品率制造的结构和方法。在本发明中，作为和在有源矩阵型发光器件的像素部分上排列的TFT的半导体层连接或电连接而形成的金属电极采用叠层结构，而且对该金属电极进行部分地蚀刻。然后，该部分地被蚀刻了的金属电极用作发光元件的第一电极，并在其上形成缓冲层、含有机化合物的层和第二电极。

公开(公告)号：CN1905165B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN200610107657.3

申请日：2006-07-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  坂仓真之

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L21/0273 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5259

Abstract: 本发明的目的在于提供一种技术，以高成品率制造高可靠性的半导体器件和显示器件。本发明使用设置有衍射光栅图形或辅助图形的曝光掩模作为曝光掩模，所述辅助图形由半透膜构成并且具有光强度降低功能。当使用这种曝光掩模时，可以进一步正确地进行多种多样的曝光的控制，从而可以将抗蚀剂加工成进一步精密的形状。由此，在使用这种掩模层的情况下，可以通过相同的步骤以适合于所要求的性能的不同形状对导电膜或绝缘膜进行形状上的加工。因此，能够制造具有不同特性的薄膜晶体管和不同尺寸或形状的布线，而不增加步骤。

公开(公告)号：CN103151387A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310060424.2

申请日：2010-08-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  野田耕生 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪 ,  丸山穗高

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。本发明的一个目的是制造含有电特性稳定的薄膜晶体管的高度可靠的半导体器件。覆盖薄膜晶体管的氧化物半导体层的绝缘层含有硼元素或铝元素。通过使用含有硼元素或铝元素的硅靶或氧化硅靶的溅射法来形成含有硼元素或铝元素的绝缘层。可选地，含有替代硼元素的锑（Sb）元素或磷（P）元素的绝缘层覆盖薄膜晶体管的氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN101950740B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201010231768.1

申请日：2006-10-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之 ,  大沼英人 ,  桑原秀明

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/77 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/1244 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/528 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3276 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的一个目的是在不增加步骤数的情况下防止断裂或不良接触，从而形成具有高驱动性能和可靠性的集成电路。本发明将各自设有衍射光栅图案或由具有光强减小功能的半透明膜形成的辅助图案的光掩模或光罩应用于在引线的重叠部分中形成引线的光刻步骤。并且形成用作两层结构的下引线的导电膜，然后，形成抗蚀剂图案以形成下引线的第一层和窄于第一层的第二层来减缓陡直阶梯。

公开(公告)号：CN102598283A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080050485.5

申请日：2010-08-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  野田耕生 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪 ,  丸山穗高

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的一个目的是制造含有电特性稳定的薄膜晶体管的高度可靠的半导体器件。覆盖薄膜晶体管的氧化物半导体层的绝缘层含有硼元素或铝元素。通过使用含有硼元素或铝元素的硅靶或氧化硅靶的溅射法来形成含有硼元素或铝元素的绝缘层。可选地，含有替代硼元素的锑(Sb)元素或磷(P)元素的绝缘层覆盖薄膜晶体管的氧化物半导体层。