公开(公告)号：CN106105388B

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201580012233.6

申请日：2015-02-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中田昌孝 ,  阿部贵征 ,  千田尚之

IPC: H05B33/02 ,  H01L51/50 ,  H05B33/04

CPC classification number: H01L51/5246 ,  H01L27/323 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5243 ,  H01L2251/5338 ,  Y02E10/549

Abstract: 提供种起因于裂缝的不良得到降低的柔性装置。另外,提供种生产率高的柔性装置。另外,提供种即使保持在高温高湿环境下也不容易产生显示不良的柔性装置。种发光装置,该发光装置包括第柔性衬底、第二柔性衬底、缓冲层、第裂缝抑制层以及发光元件,第柔性衬底的第面和第二柔性衬底的第二面相对,缓冲层及第裂缝抑制层设置在第柔性衬底的第面上,缓冲层和第裂缝抑制层相互重叠,发光元件设置在第二柔性衬底的第二面上。

公开(公告)号：CN105960712A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201580007515.7

申请日：2015-02-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  神长正美 ,  岛行德 ,  黒崎大辅 ,  中田昌孝 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

Abstract: 提供一种包括氧化物半导体的通态电流大的半导体装置。该半导体装置包括设置在驱动电路部的第一晶体管和设置在像素部的第二晶体管；第一晶体管和第二晶体管的结构不同。并且，第一晶体管和第二晶体管具有顶栅结构。在各晶体管的氧化物半导体膜中，在不与栅电极重叠的区域中包含杂质元素。氧化物半导体膜中的包含杂质元素的区域具有低电阻区域的功能。另外，氧化物半导体膜中的包含杂质元素的区域与包含氢的膜接触。另外，也可以包括在包含氢的膜的开口部中与包含杂质元素的区域接触且具有源电极以及漏电极的功能的导电膜。设置在驱动电路部的第一晶体管包括在其间隔着氧化物半导体膜的两个栅电极。

公开(公告)号：CN112510097B

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202011132912.6

申请日：2015-02-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  冈崎健一 ,  片山雅博 ,  中田昌孝

IPC: H10D30/67 ,  H10K59/121 ,  H10D86/60

Abstract: 本发明题为半导体装置、显示装置、显示模块以及电子设备。本发明的一个方式提供一种半导体装置，其中包括使用氧化物半导体的交错型晶体管及电容元件。本发明的一个方式是一种包括晶体管及电容元件的半导体装置，其中晶体管包括：氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜；栅极绝缘膜上的栅电极；栅电极上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的第三绝缘膜；以及第三绝缘膜上的源电极及漏电极，源电极及漏电极与氧化物半导体膜电连接，电容元件包括：第一导电膜；第二导电膜；以及该第二绝缘膜，第一导电膜与栅电极设置在同一表面上，该第二导电膜与源电极及漏电极设置在同一表面上，该第二绝缘膜设置在第一导电膜与第二导电膜之间。

公开(公告)号：CN119769196A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202380060639.6

申请日：2023-09-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神长正美 ,  岛行德 ,  中田昌孝 ,  吉住健辅

IPC: H10D30/67 ,  G02F1/1368 ,  H10K50/10 ,  H10D84/03 ,  H10D84/40 ,  H10D84/83

Abstract: 提供一种能够实现微型化的晶体管。提供一种电特性良好的晶体管。半导体装置包括第一至第三导电层、第一至第三半导体层、第一及第二绝缘层。第二半导体层设置在第一导电层上，第一绝缘层设置在第二半导体层上，第二导电层设置在第一绝缘层上，第三半导体层设置在第二导电层上。第一绝缘层包括到达第二半导体层的开口。第一半导体层具有与第三半导体层接触的部分、在开口的内侧与第一绝缘层的侧面接触的部分以及与第二半导体层接触的部分。第二绝缘层覆盖第一半导体层。第三导电层隔着第二绝缘层重叠于第一半导体层。第一至第三半导体层包含硅。第二及第三半导体层包含相同的杂质元素。第一绝缘层包含氢、氮及硅。

公开(公告)号：CN119137748A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202380034576.7

申请日：2023-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大野正胜 ,  土桥正佳 ,  中田昌孝 ,  岛行德 ,  肥冢纯一

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H10K50/10 ,  H05B33/14

Abstract: 提供一种占有面积小的半导体装置。本发明是一种半导体装置，该半导体装置依次层叠包括第一导电层、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第二导电层，还包括半导体层、第三导电层以及第五绝缘层，半导体层与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面、第二绝缘层的侧面、第三绝缘层的侧面、第四绝缘层的侧面以及第二导电层接触，第五绝缘层位于半导体层上，第三导电层位于第五绝缘层上并隔着第五绝缘层与半导体层重叠，第一绝缘层包括含氢量比第二绝缘层及第四绝缘层的每一个多的区域，第三绝缘层包含氧。

公开(公告)号：CN118235191A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202280075633.1

申请日：2022-11-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中田昌孝 ,  片山雅博 ,  佐藤来 ,  保坂泰靖 ,  生内俊光 ,  土桥正佳 ,  楠纮慈 ,  中山智则

IPC: G09F9/30 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种清晰度高的显示装置。本发明的一个方式是一种包括晶体管、发光器件、第一绝缘层、第二绝缘层及第一导电层的显示装置。晶体管包括半导体层以及与半导体层电连接的第二导电层。发光器件包括像素电极。第一绝缘层设置在晶体管上并包括到达第二导电层的第一开口。第一导电层覆盖第一开口。第二绝缘层设置在第一绝缘层上并在与第一开口重叠的区域中包括第二开口。像素电极覆盖第二绝缘层的顶面及第二开口。像素电极通过第一导电层与第二导电层电连接。第一绝缘层的端部位于第二导电层上。第二绝缘层的端部位于第一导电层上。第二绝缘层的端部位于第一绝缘层的端部的外侧。

公开(公告)号：CN117980978A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202280063648.6

申请日：2022-09-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 杉本和哉 ,  初见亮 ,  久保田大介 ,  佐藤来 ,  中田昌孝 ,  中泽安孝

IPC: G09F9/30 ,  G09F9/00 ,  G06F3/042 ,  H05B33/02 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14 ,  H10K59/126 ,  H10K59/38 ,  H10K59/40 ,  H10K50/858 ,  H10K59/80

Abstract: 提供一种摄像功能的显示装置。提供一种能够以高灵敏度拍摄的摄像装置或显示装置。该显示装置包括第一衬底、与第一衬底相对的第二衬底、第一衬底上的发光元件、与发光元件相邻的受光元件、第一衬底上的第一遮光层、第二衬底的与第一衬底相对的面上的第二遮光层以及第二遮光层的与第一衬底相对的面上的第三遮光层。从平面看时，第一至第三遮光层都设置在发光元件与受光元件之间。从平面看时，在第一遮光层与第三遮光层之间具有间隙。

公开(公告)号：CN116981293A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202310483967.9

申请日：2023-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤学 ,  松本裕功 ,  中田昌孝

IPC: H10K59/12 ,  G09G3/3208 ,  G09G3/32 ,  H10K59/121 ,  H01L27/15

Abstract: 提供一种窄边框的廉价显示装置及电子设备。该显示装置具有包括发光器件的第一像素、包括受光器件的第二像素以及用来读出由第二像素获取的信息的读出电路。该读出电路具有所安装的IC芯片所包括的第一电路及以单片方式形成在形成有像素电路的衬底上的第二电路。通过采用该结构，可以从IC芯片省去相当于第二电路的电路，由此可以实现IC芯片的小型化。

公开(公告)号：CN114730807A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202080078058.1

申请日：2020-11-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤学 ,  川岛进 ,  楠紘慈 ,  森英典 ,  松本裕功 ,  黑崎大辅 ,  神长正美 ,  中田昌孝

IPC: H01L29/786

Abstract: 提供一种可靠性高的半导体装置。半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管、电容器以及第一至第四布线。第一晶体管包括第一栅极及第二栅极，第一晶体管的源极和漏极中的一个与第一布线及第二栅极连接，第一晶体管的源极和漏极中的另一个与第二晶体管的源极和漏极中的一个及电容器的一个电极连接。第二晶体管的栅极与电容器的另一个电极连接，第二晶体管的源极和漏极中的另一个与第二布线连接。第一布线被供应第一电位，第二布线交替被供应第二电位及第三电位。第三布线与第一栅极连接，并被供应第一信号。第四布线与第二晶体管的栅极连接，并被供应使第一信号反转的第二信号。

公开(公告)号：CN114207832A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202080055599.2

申请日：2020-07-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 后藤尚人 ,  池泽直树 ,  中田昌孝 ,  佐藤亚美 ,  三泽千惠子

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L21/77 ,  H01L27/12

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式是一种包括半导体层、半导体层上的第一绝缘层以及第一绝缘层上的导电层的半导体装置。半导体层具有第一区域、一对的第二区域、一对的第三区域以及一对的第四区域。第二区域夹着第一区域设置，第三区域夹着第一区域及第二区域设置，第四区域夹着第一区域、第二区域及第三区域设置。第一区域具有与第一绝缘层及导电层重叠的区域，第二区域及第三区域分别具有与第一绝缘层重叠的区域且不与导电层重叠，第四区域不与第一绝缘层和导电层重叠。与第二区域重叠的区域的第一绝缘层的厚度大致相等于与第一区域重叠的区域的第一绝缘层的厚度。与第三区域重叠的区域的第一绝缘层的厚度比与第二区域重叠的区域的第一绝缘层的厚度薄。