公开(公告)号：CN109564851A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780049788.7

申请日：2017-08-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  佐藤将孝 ,  池泽直树 ,  谷中顺平 ,  井户尻悟

IPC: H01L21/02 ,  B23K26/57 ,  B32B9/00 ,  B32B15/04 ,  B32B38/18 ,  G09F9/00 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L31/1892 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/6835 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/66969 ,  H01L31/1896 ,  H01L51/003 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/83052 ,  H01L2924/35121

Abstract: 提高半导体装置的制造工序的成品率。提高半导体装置的生产率。在衬底上形成第一材料层，在第一材料层上形成第二材料层，将第一材料层与第二材料层彼此分离，由此制造半导体装置。此外，在分离前，优选对包括第一材料层与第二材料层的叠层体进行加热。第一材料层包含氢、氧和水中的一种或多种。第一材料层例如包含金属氧化物。第二材料层包含树脂(例如，聚酰亚胺或丙烯酸)。第一材料层与第二材料层通过切断氢键来彼此分离。通过对因加热第一材料层与第二材料层的界面或界面附近而析出的水照射光，使第一材料层与第二材料层彼此分离。

公开(公告)号：CN114207832A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202080055599.2

申请日：2020-07-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 后藤尚人 ,  池泽直树 ,  中田昌孝 ,  佐藤亚美 ,  三泽千惠子

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L21/77 ,  H01L27/12

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式是一种包括半导体层、半导体层上的第一绝缘层以及第一绝缘层上的导电层的半导体装置。半导体层具有第一区域、一对的第二区域、一对的第三区域以及一对的第四区域。第二区域夹着第一区域设置，第三区域夹着第一区域及第二区域设置，第四区域夹着第一区域、第二区域及第三区域设置。第一区域具有与第一绝缘层及导电层重叠的区域，第二区域及第三区域分别具有与第一绝缘层重叠的区域且不与导电层重叠，第四区域不与第一绝缘层和导电层重叠。与第二区域重叠的区域的第一绝缘层的厚度大致相等于与第一区域重叠的区域的第一绝缘层的厚度。与第三区域重叠的区域的第一绝缘层的厚度比与第二区域重叠的区域的第一绝缘层的厚度薄。