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公开(公告)号：CN118102525A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410097869.6
申请日：2018-11-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/26 , H05B33/28 , G06F1/16 , G09F9/30 , H10K59/35 , H10K59/12 , H10K59/131 , H10K59/18 , H10K71/16 , H10K71/60 , H10K77/10 , H10K50/15 , H10K50/16 , H10K50/17 , H10K50/18
Abstract: 本公开的发明名称是“显示面板、显示装置、显示模块、电子设备及显示面板的制造方法”。抑制显示面板的显示不均匀。提供一种像素的开口率高的显示面板。该显示面板包括第一像素电极、第二像素电极、第三像素电极、第一发光层、第二发光层、第三发光层、第一公共层、第二公共层、公共电极以及辅助布线。第一公共层位于第一像素电极及第二像素电极上。第一公共层具有与第一发光层重叠的部分以及与第二发光层重叠的部分。第二公共层位于第三像素电极上。第二公共层具有与第三发光层重叠的部分。公共电极具有隔着第一公共层及第一发光层与第一像素电极重叠的部分、隔着第一公共层及第二发光层与第二像素电极重叠的部分、隔着第二公共层及第三发光层与第三像素电极重叠的部分、以及与辅助布线的顶面接触的部分。
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公开(公告)号：CN107799668A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710769657.8
申请日：2017-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/56
CPC classification number: H01L21/02694 , G02F2201/44 , H01L21/02488 , H01L21/67132 , H01L21/7806 , H01L27/1225 , H01L27/1266 , H01L29/66969 , H01L51/56 , H01L51/003
Abstract: 本发明的目的是提高半导体装置的制造工序的成品率。另外，本发明的一个方式的目的是提高半导体装置的生产率。在衬底上形成第一材料层，在第一材料层上形成第二材料层，使第一材料层与第二材料层分离，由此制造半导体装置。另外，在进行分离之前，优选对层叠的第一材料层与第二材料层进行加热。第一材料层包含含有氢和氧中的一个或两个的气体(例如，水)。第一材料层例如包含金属氧化物。第二材料层包含树脂。通过切断氢键来使第一材料层与第二材料层分离。另外，通过进行加热，第一材料层与第二材料层的界面或界面附近析出水。第一材料层与第二材料层间的密接性因存在于其界面或其界面附近的水而降低而使第一材料层与第二材料层彼此分离。
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公开(公告)号：CN117279467A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311265408.7
申请日：2017-09-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K77/10 , H10K59/127 , H10K71/00 , H01L21/02 , B08B3/00
Abstract: 再利用玻璃衬底。提高半导体装置的量产性。本发明的一个方式是其一个表面具有第一材料及第二材料的玻璃衬底。第一材料具有金属和金属氧化物中的一个或两个。第二材料具有树脂和树脂分解物中的一个或两个。此外，本发明的一个方式是玻璃衬底的清洗方法，该清洗方法包括准备其一个表面具有第一材料及第二材料的玻璃衬底的步骤及去除第二材料的至少一部分以暴露第一材料的步骤。
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公开(公告)号：CN107452899B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201710329228.9
申请日：2017-05-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供一种成本低且产量高的剥离方法。该剥离方法包括如下步骤：在形成用衬底上使用具有感光性的材料形成第一层；通过利用光刻法在第一层中形成第一区域及其厚度薄于第一区域的第二区域，形成包括第一区域及第二区域的树脂层；在树脂层的第一区域上形成在沟道形成区域中包含氧化物半导体的晶体管；在树脂层的第二区域上形成导电层；对树脂层照射激光，将晶体管与形成用衬底分离。
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公开(公告)号：CN109690734A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780056499.X
申请日：2017-09-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02 , H01L21/304 , H01L29/786
Abstract: 再利用玻璃衬底。提高半导体装置的量产性。本发明的一个方式是其一个表面具有第一材料及第二材料的玻璃衬底。第一材料具有金属和金属氧化物中的一个或两个。第二材料具有树脂和树脂分解物中的一个或两个。此外，本发明的一个方式是玻璃衬底的清洗方法，该清洗方法包括准备其一个表面具有第一材料及第二材料的玻璃衬底的步骤及去除第二材料的至少一部分以暴露第一材料的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109690734B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201780056499.X
申请日：2017-09-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 再利用玻璃衬底。提高半导体装置的量产性。本发明的一个方式是其一个表面具有第一材料及第二材料的玻璃衬底。第一材料具有金属和金属氧化物中的一个或两个。第二材料具有树脂和树脂分解物中的一个或两个。此外，本发明的一个方式是玻璃衬底的清洗方法，该清洗方法包括准备其一个表面具有第一材料及第二材料的玻璃衬底的步骤及去除第二材料的至少一部分以暴露第一材料的步骤。
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公开(公告)号：CN112602377A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201980055691.6
申请日：2019-08-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种能够在弯曲状态下长时间显示的发光装置。提供一种能够以较小的曲率半径反复弯曲的发光装置。本发明是一种发光装置，该发光装置具有柔性，并包括发光元件、第一无机绝缘层、第二无机绝缘层及第一有机绝缘层。第一有机绝缘层位于第一无机绝缘层上。发光元件隔着第一有机绝缘层位于第一无机绝缘层上。第二无机绝缘层位于发光元件上。第一无机绝缘层的端部及第二无机绝缘层的端部都位于第一有机绝缘层的端部的内侧。第一有机绝缘层的端部在发光装置的侧面露出。在发光元件的端部的外侧，第一无机绝缘层与第二无机绝缘层优选彼此接触。
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公开(公告)号：CN111418266A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201880077377.3
申请日：2018-11-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 抑制显示面板的显示不均匀。提供一种像素的开口率高的显示面板。该显示面板包括第一像素电极、第二像素电极、第三像素电极、第一发光层、第二发光层、第三发光层、第一公共层、第二公共层、公共电极以及辅助布线。第一公共层位于第一像素电极及第二像素电极上。第一公共层具有与第一发光层重叠的部分以及与第二发光层重叠的部分。第二公共层位于第三像素电极上。第二公共层具有与第三发光层重叠的部分。公共电极具有隔着第一公共层及第一发光层与第一像素电极重叠的部分、隔着第一公共层及第二发光层与第二像素电极重叠的部分、隔着第二公共层及第三发光层与第三像素电极重叠的部分、以及与辅助布线的顶面接触的部分。
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公开(公告)号：CN107452899A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710329228.9
申请日：2017-05-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供一种成本低且产量高的剥离方法。该剥离方法包括如下步骤：在形成用衬底上使用具有感光性的材料形成第一层；通过利用光刻法在第一层中形成第一区域及其厚度薄于第一区域的第二区域，形成包括第一区域及第二区域的树脂层；在树脂层的第一区域上形成在沟道形成区域中包含氧化物半导体的晶体管；在树脂层的第二区域上形成导电层；对树脂层照射激光，将晶体管与形成用衬底分离。
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公开(公告)号：CN111418266B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201880077377.3
申请日：2018-11-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/26 , H05B33/02 , H05B33/10 , H05B33/12 , H05B33/28 , G09F9/30 , H10K59/35 , H10K59/12 , H10K59/131 , H10K59/18 , H10K71/16 , H10K71/60 , H10K77/10 , H10K50/15 , H10K50/16 , H10K50/17 , H10K50/18
Abstract: 公共层及第三发光层与第三像素电极重叠的部抑制显示面板的显示不均匀。提供一种像素 分、以及与辅助布线的顶面接触的部分。的开口率高的显示面板。该显示面板包括第一像素电极、第二像素电极、第三像素电极、第一发光层、第二发光层、第三发光层、第一公共层、第二公共层、公共电极以及辅助布线。第一公共层位于第一像素电极及第二像素电极上。第一公共层具有与第一发光层重叠的部分以及与第二发光层重叠的部分。第二公共层位于第三像素电极上。第二公共层具有与第三发光层重叠的部分。
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