电位发生电路、电位发生装置和用它的半导体装置和其驱动方法

    公开(公告)号:CN1533525A

    公开(公告)日:2004-09-29

    申请号:CN02814561.5

    申请日:2002-12-19

    CPC classification number: H02M3/07 H02M3/073

    Abstract: 本发明提供一种电位发生电路,具备电容器(4);串联连接于电容器(4)上的强电介质电容器(6);输出端子(11);将输出端子(11)接地的电容(10);将两个电容器(4、6)的连接节点(5)与输出端子(11)连接的开关(9);及将连接节点(5)接地的开关(1),在第一期间中,在开关(1)及开关(9)变为截止状态的状态下,向端子(3)提供正电位,同时,将端子(7)接地,在所述第一期间之后的第二期间,将端子(3)接地,且开关(9)变为导通状态,在所述第二期间之后的第三期间,开关(9)变为截止状态,开关(1)变为导通状态,且向端子(7)提供正电位,在所述第三期间之后的第四期间,将端子(7)接地,重复所述第一期间到所述第四期间。

    半导体装置
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1389922A

    公开(公告)日:2003-01-08

    申请号:CN02121828.5

    申请日:2002-06-06

    CPC classification number: G11C27/005 G11C11/54 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 提供作为神经元元件、电位发生装置、逻辑变换电路而发挥作用的半导体装置。在电位发生装置中,N型MIS晶体管(54)的源极和P型MIS晶体管(56)的源极彼此相连,并且,与输出端子(55)连接。N型MIS晶体管(54)的漏极和提供电源电压VDD的电源电压提供部(53)相连,P型MIS晶体管(56)的漏极和提供接地电压VSS的接地(57)相连。并且,N型MIS晶体管(54)的衬底电位是接地电压VSS,P型MIS晶体管(56)的衬底电位是电源电压VDD。这样,构成了从源极取出输出的源极跟随器电路。利用该电位发生装置,能得到稳定地进行NOR动作和NAND动作的切换的逻辑变换电路。

    电压发生电路、电压发生装置、半导体器件及其驱动方法

    公开(公告)号:CN1689230A

    公开(公告)日:2005-10-26

    申请号:CN03824600.7

    申请日:2003-09-03

    CPC classification number: G11C11/4087 G11C11/22 G11C11/4074

    Abstract: 电压发生电路包含:电容器(4)、与电容器(4)串联连接的强电介质电容器(6)、输出端子(11)、使输出端子(11)接地的电容器(10)、电源电压供给端子(13)、连接电源电压供给端子(13)和2只电容器(4、6)的连接结点(N1)的开关(1)、以及连接连接结点(N1)和输出端子(11)的开关(9)。在第1期间,在使开关(1)及(9)为断开状态的状态下,使端子(3)接地,并把电源电压供给端子(7),在第2期间,把电源电压供给端子(3),且使开关(9)为导通状态,在第3期间,使开关(9)为断开状态,使开关(1)为导通状态,且使端子(7)接地,在第4期间,把电源电压供给端子(7),从前述第1期间直到前述第4期间顺序重复进行。

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