一种高纯四硼化硅粉末及其制备方法

    公开(公告)号:CN114538457B

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN202011366680.0

    申请日:2020-11-27

    Abstract: 本发明公开了一种高纯四硼化硅粉末及其制备方法。该高纯四硼化硅粉末采用结晶度在40%‑60%之间的硼粉,选择硼粉和硅粉以3.2∶1‑4∶1的硼硅摩尔比例在气氛炉中高温反应合成,具体包括以下步骤:(1)将硅粉和硼粉按比例称重;(2)将硅粉和硼粉放入混料机中混合均匀;(3)将混合均匀的粉末装入刚玉坩埚中,并将坩埚放入气氛烧结炉中,使用高纯氩气对气氛炉炉腔进行清洗,直至炉腔内氧含量低于30ppm;(4)在氩气气氛保护下以5℃/min的速率升温至1280‑1350℃,保温2‑3h,以5℃/min的速度降温至室温;(5)将烧结后的粉末使用行星球磨机球磨破碎。本发明的高纯四硼化硅粉末经XRD测定全部物相为SiB4相,且除Si和B外其他杂质含量小于1%。

    一种适用于全自动键合的楔形劈刀及其加工方法

    公开(公告)号:CN114799750A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210435492.1

    申请日:2022-04-24

    Abstract: 本发明公开了属于微电子器件领域的一种适用于全自动键合的楔形劈刀及其加工方法。所述楔形劈刀为整体结构,由刀柄和刀头组成,其刀柄为圆柱状,其中心设有贯通的第一引线孔;刀头为楔形结构,刀头的刀尖部分为高低台阶结构,高台阶的端面为焊接端面,其刀头的四周分别与四个斜切面的一端连接;焊接端面由前缘角、键合面、后缘角、凹槽、斜面组成,第一斜切面上设有延伸至凹槽的第二引线孔,第二引线孔为锥形。本发明将第二引线孔设计为锥形结构,进口处为直径较大的面,有利于穿丝,出口处为直径较小的面,对焊丝的约束大,避免焊丝在送丝过程中出现摆丝问题,因此本发明适用于全自动键合焊接作业。

    一种深腔焊楔形劈刀及其加工方法

    公开(公告)号:CN114799595A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210384296.6

    申请日:2022-04-13

    Abstract: 本发明提供了一种深腔焊楔形劈刀及其加工方法,该楔形劈刀为一体成型结构,包括刀柄和刀头,刀柄为圆柱状,其中心设有贯通的第一引线孔,第一引线孔为锥形孔;刀头为楔形结构,刀头的端面为焊接端面,焊接端面沿劈刀主体的长度方向设有台阶状的缺角,缺角包括第一侧面与第二侧面,第一侧面为第一引线孔的小直径面,第二侧面与焊接端面相接。本发明中,第一引线孔为锥形孔,进口面的孔径大有利于穿丝,出口面的孔径小,对焊丝的约束大,避免焊丝在送丝过程中出现摆丝问题。采用注射成型的方法一步成型楔形劈刀结构,代替了以往生产楔形劈刀的机加工和电火花加工工艺,采用注射成型的方法能够大大提高生产效率,适用于楔形劈刀的大批量生产。

    一种高纯二硅化钽粉末及其制备方法

    公开(公告)号:CN114538450A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202011366770.X

    申请日:2020-11-27

    Abstract: 本发明公开了一种高纯二硅化钽粉末及其制备方法。该高纯二硅化钽粉末通过以下步骤制备:(1)将高纯硅粉和高纯钽粉按TaSi2的化学计量比称重;(2)将硅粉和钽粉混合后放入翻滚混料机中,同时加入高纯TaSi2粉末,TaSi2粉末加入量为硅粉和钽粉总重量的10%‑30%,加入玛瑙球进行混合8‑12h;(3)将混合后的粉末装入刚玉坩埚中,将装粉末的坩埚放入气氛烧结炉中,使用高纯氩气对气氛炉炉腔进行清洗,直至炉腔内氧含量低于30ppm;(4)在氩气气氛保护下以5℃/min的速率升温至1260‑1360℃,保温1‑8h,以5℃/min的速度降温至室温;(5)将烧结后的粉末使用行星球磨机球磨破碎。本发明的高纯二硅化钽粉末全部物相为TaSi2相,且除Ta和Si外其他杂质含量小于100ppm。

    一种增强AlScN薄膜C轴取向的方法

    公开(公告)号:CN114381701A

    公开(公告)日:2022-04-22

    申请号:CN202111536130.3

    申请日:2021-12-15

    Abstract: 本发明公开了属于压电薄膜制备技术领域的一种增强AlScN薄膜C轴取向的方法。所述步骤包括:将Al靶、具有不同Sc含量的过渡AlSc靶以及目标AlSc靶装入磁控溅射设备,通入工作气体,调节溅射气压、气体比例和溅射功率;按Al靶、Sc含量由高到低的过渡AlSc靶以及目标AlSc靶的顺序,依次在衬底上进行溅射;结束沉积过程后,降温即得到Sc含量与目标AlSc靶金属元素原子百分比一致的高C轴取向AlScN薄膜。本发明采用的方法能够在制备高Sc含量AlScN薄膜时,改善AlScN形核生长初期晶格畸变造成的取向紊乱,进一步增强AlScN薄膜的C轴择优取向,提高其压电性能。

    一种碳化钛基陶瓷与硬质合金焊接圆棒及其制备方法

    公开(公告)号:CN113831148A

    公开(公告)日:2021-12-24

    申请号:CN202110938002.5

    申请日:2021-08-16

    Abstract: 本发明公开了一种碳化钛基陶瓷与硬质合金焊接圆棒,包括碳化钛基陶瓷棒(1)、钛涂层(2)、铜基焊料(3)、硬质合金棒(4),碳化钛基陶瓷棒(1)的一端磁控溅射镀钛涂层(2),碳化钛基陶瓷棒(1)的一端与硬质合金棒(4)的一端通过铜基焊料(3)形成铜基焊料层焊接。制备方法包括以下步骤:清洗碳化钛基陶瓷棒的端面和硬质合金棒的端面;用饱和硼砂水溶液煮碳化钛基陶瓷棒和硬质合金棒,再超声波清洗后进行烘干;将碳化钛基陶瓷棒的一端磁控溅射镀钛涂层;将碳化钛基陶瓷棒与硬质合金棒装配后焊接,保温后进行降温,得到碳化钛基陶瓷与硬质合金焊接圆棒。本发明能够广泛地应用于刀具、微细钻头以及电子行业用键合工具等方面。

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