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公开(公告)号：CN118373597A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410271883.3
申请日：2024-03-11
申请人： 有研工程技术研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种高频低损耗LTCC材料及其制备方法和应用，包括玻璃粉、溶剂、分散剂、粘结剂、增塑剂，所述玻璃粉质量分数为40‑60％，溶剂质量分数为30‑50％，分散剂质量分数为0.3‑1％，粘结剂质量分数为3.7‑7％，增塑剂质量分数为2‑6％。所述玻璃粉由30～58wt％高熔点玻璃粉、40～68wt％低熔点玻璃粉和2wt％添加物组成；本发明中通过多种玻璃材料的复合提高了材料烧结致密度和力学性能，烧结析出介电性能优异的CaSiO3和CaB2O4晶相，获得了高频低损耗的LTCC材料。
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公开(公告)号：CN116262653A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111519262.5
申请日：2021-12-13
申请人： 有研工程技术研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有高透光率低介电损耗的锂铝硅系微晶玻璃及其制备方法。按质量百分比计，玻璃组成为：54％≤SiO2≤62％，16％≤Al2O3≤24％，3％≤Li2O≤7％，2％≤ZrO2≤3％，1.2％≤TiO2≤1.6％，0.5≤Sb2O3≤2％，0.5≤ZnO≤2％，1％≤Na2O≤4％，1％≤CaO≤4％，1％≤MgO≤5％，1％≤K2O≤4％，0.5％≤MgF2≤1.5％。其制备方法包括以下步骤：(1)按照所设计的玻璃组成准确称量各种原料，将原料充分混合均匀后放入铂金坩埚中在1520℃熔制3h，浇注成块后在550℃退火处理30min，然后随炉冷却至室温；(2)将所得玻璃在580～610℃进行核化处理，核化时间为4h，然后在670～700℃进行晶化处理，晶化时间为1h；结晶处理后的样品随炉冷却至室温。本发明制备的锂铝硅系微晶玻璃具备高透光率、低介电损耗和良好的力学性能。
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公开(公告)号：CN113092306B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202110483063.7
申请日：2021-04-30
申请人： 哈尔滨工业大学 , 齐齐哈尔大学 , 有研工程技术研究院有限公司
IPC分类号： G01N5/04
摘要： 一种有效检测四硼化硅及六硼化硅纯度的方法，它涉及材料领域，本发明提供一种有效检测B4Si及B6Si纯度的方法。本发明将试样去除水分后，采用不同浓度的氢氟酸处理后，再与KOH反应，砂芯漏斗抽滤，清洗后，进行计算。本发明与目前仪器手段表征相比优势在于可准确检测出B4Si及B6Si物相的含量，再通过简单计算就可得到物相纯度。本发明应用于B4Si及B6Si材料领域。
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公开(公告)号：CN113045206B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201911375624.0
申请日：2019-12-27
申请人： 有研工程技术研究院有限公司
IPC分类号： C03C12/00
摘要： 本发明涉及一种具有核壳结构的高硅氧玻璃粉及其制备方法，该高硅氧玻璃粉适合用作高温涂层材料。该高硅氧玻璃粉具有核壳结构，以质量百分比计算，高硅氧玻璃颗粒的内核部分由3～10％B2O3和90～97％SiO2组成；外壳部分由10～20％B2O3和80～90％SiO2组成。本发明以高纯石英粉和硼酐为基础原料，经球磨、烧结、破碎、再球磨等步骤制备得到。本发明具有核壳结构的高硅氧玻璃粉适合用作高温涂层材料，采用本发明的高硅氧玻璃制备涂层，可在高温下形成致密涂层。
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公开(公告)号：CN113045206A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201911375624.0
申请日：2019-12-27
申请人： 有研工程技术研究院有限公司
IPC分类号： C03C12/00
摘要： 本发明涉及一种具有核壳结构的高硅氧玻璃粉及其制备方法，该高硅氧玻璃粉适合用作高温涂层材料。该高硅氧玻璃粉具有核壳结构，以质量百分比计算，高硅氧玻璃颗粒的内核部分由3～10％B2O3和90～97％SiO2组成；外壳部分由10～20％B2O3和80～90％SiO2组成。本发明以高纯石英粉和硼酐为基础原料，经球磨、烧结、破碎、再球磨等步骤制备得到。本发明具有核壳结构的高硅氧玻璃粉适合用作高温涂层材料，采用本发明的高硅氧玻璃制备涂层，可在高温下形成致密涂层。
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公开(公告)号：CN112723881A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011617860.1
申请日：2020-12-30
申请人： 有研工程技术研究院有限公司
IPC分类号： C04B35/475 , C04B35/622
摘要： 本发明属于高压陶瓷材料领域，尤其涉及一种具有高温度稳定性的介电陶瓷材料的制备方法。本发明以Bi2O3、La2O3、TiO2、CaCO3为原料，按照配比要求，采用固相烧结合成工艺合成。由上述介电材料制成的陶瓷电容器，具有如下电气性能：温度变化率|△ε|/ε25≤1％(‑40℃～70℃)，介电常数ε25≥130，损耗角正切值tgδ≤0.3％，击穿电压VBAC≥5kV/mm，适合用于电子式电压互感器用电容器。
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公开(公告)号：CN111140463A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911155524.7
申请日：2019-11-22
申请人： 有研工程技术研究院有限公司
摘要： 本发明公开了属于真空技术领域的一种片状堆砌结构吸气剂泵。所述吸气剂泵包括吸气元件、陶瓷加热片、中心支撑杆、热屏蔽结构和底座；吸气元件包含吸气剂片与中心台阶垫片；吸气元件、陶瓷加热片通过圆孔交替堆砌在中心支撑杆上，通过中心台阶垫片厚度调整二者间隙；热屏蔽结构包括布设在堆砌体的顶、底和外层的热屏蔽层和镂空薄壳；底座为高真空CF法兰，通过可伐合金焊接电极。吸气元件上采用吸气剂片与中心台阶垫片配合的一体结构，有效避免吸气元件各部件摩擦而导致的掉粉问题。采用陶瓷加热片的面对面热辐射加热激活吸气剂，具有加热效率高、激活均匀的特点。本发明结构设计合理，具有安装便捷、使用安全，适用于各类真空系统的真空获得与无源维持。
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公开(公告)号：CN110922186A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911258099.4
申请日：2019-12-10
申请人： 有研工程技术研究院有限公司
IPC分类号： C04B35/495
摘要： 本发明公开了属于电子材料制造技术领域的一种中低温烧结(烧结温度为900℃-1200℃)高介电常数陶瓷材料及其制备方法。配方组成为：aBaO-bMgO-cAl2O3-dTiO2-eSiO2-fNb2O5-gSrO-hPbO，其中的a、b、c、d、e、f、g、h表示各成分的摩尔比例，分别为：2≤a≤15，2≤b≤5，0≤c≤10，4≤d≤16，5≤e≤45，20≤f≤55，16≤g≤27，3≤h≤25。将原料混合均匀，高温熔融、搅拌，形成均匀的液体；将熔融液快速倒入去离子水中，得到玻璃渣；将玻璃渣球磨、烘干、过筛、造粒后，压制成型为坯体，再将坯体于900℃-1200℃烧结，保温3小时，制得陶瓷电容器介质材料，该介质材料适用于单片陶瓷电容器和多层片式陶瓷电容器。
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公开(公告)号：CN117049864A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311314493.1
申请日：2023-10-11
申请人： 有研工程技术研究院有限公司
IPC分类号： C04B35/16 , C04B35/622 , C03C3/091 , H05K1/03
摘要： 本发明属于陶瓷材料技术领域，具体涉及一种低温共烧陶瓷生瓷带、制备方法、陶瓷、陶瓷电路和应用。本发明选用细钙钠硼硅玻璃粉和球形氧化铝作为生瓷带中的无机粉，选用混合溶剂、混合粘结剂和相应的增塑剂和分散剂作为有机成分，有效的解决了传统LTCC生瓷带烧结收缩的各向异性问题。本发明制备的低温共烧陶瓷生瓷带的表面平整光滑，X、Y、Z烧结收缩率均为15%±0.5%，能在850℃左右实现与金浆共烧。采用本发明所述的低温共烧陶瓷生瓷带制备得到的陶瓷为低阶低温共烧陶瓷，具有优良的介电性能，其在8GHz下的介电常数为7~8、介电损耗小于3×10‑3。
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公开(公告)号：CN114749672B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202210328301.1
申请日：2022-03-30
申请人： 有研工程技术研究院有限公司
IPC分类号： B22F9/04 , B22F1/00 , B22F1/14 , B22F1/142 , B22F1/145 , C22C1/02 , C22C16/00 , B01J20/02 , B01J20/30 , B01D53/02
摘要： 一种高纯ZrAl1粉体的制备方法及其用途，所述方法包括：采用悬浮熔炼法制备ZrAl1合金锭，装入氢化脱氢炉抽真空，对合金锭加热，然后充入氢气，当炉内氢压降为0.01～0.04MPa时再次充入氢气，如此反复充氢5～8次后，待炉内氢压降为0.01～0.04MPa后开始降温，降温至100～200℃后，向炉内通入高纯Ar；将ZrAl1合金锭取出后机械破碎、筛分；将ZrAl1合金粉末进行1～3次脱氢处理、抽真空封装备用。采用本发明制备的ZrAl1合金粉末作为还原剂来制作Na源，将Na源应用于超二代微光夜视仪光电阴极，结果表明，Na源的蒸发特性满足超二代微光像增强器光电阴极的制备要求。
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